包括噪声阻挡结构的图像感测装置制造方法及图纸

公开了一种包括噪声阻挡结构的图像感测装置。该图像感测装置包括：半导体基板，其被构造为支撑响应于所接收的入射光而产生信号的多个图像像素、被配置为处理从图像像素读出的信号的逻辑电路、以及联接到逻辑电路以减少逻辑电路所产生的噪声的噪声阻挡结构。噪声阻挡结构形成为沿第一方向以直线延伸而没有任何弯曲部分，并且沿垂直于第一方向的第二方向穿过半导体基板。

Image sensing device including noise blocking structure

【技术实现步骤摘要】
包括噪声阻挡结构的图像感测装置
本专利文档中公开的技术和实现涉及图像感测装置。
技术介绍
图像感测装置是用于使用对光起反应的半导体特性来捕获至少一个图像的装置。近来，随着计算机产业和通信产业的越来越多的发展，在例如数码相机、便携式摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、监控相机、医用微型相机、机器人等的各种领域中对高质量和高性能图像传感器的需求正在迅速增长。图像感测装置大致可以分类为基于CCD(电荷耦合器件)的图像感测装置和基于CMOS(互补金属氧化物半导体)的图像感测装置。近来，由于模拟控制电路和数字控制电路可以直接实现为单个集成电路(IC)，因此基于CMOS的图像感测装置已迅速得到广泛使用。
技术实现思路
所公开的技术的各种实施方式涉及一种包括噪声阻挡结构的图像感测装置。所公开的技术的一些实现涉及一种图像感测装置，其能够高效地防止从嵌入其内的逻辑电路块产生的噪声泄漏到逻辑电路块外部并防止对图像感测装置的其它块造成不期望的影响。根据所公开的技术的实施方式，图像感测装置可以包括：半导体基板，其被构造为支撑响应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：/n半导体基板，所述半导体基板被构造为支撑响应于所接收的入射光而产生信号的多个图像像素、被配置为处理从所述图像像素读出的信号的逻辑电路、以及联接到所述逻辑电路以减少所述逻辑电路所产生的噪声的噪声阻挡结构，/n其中，所述噪声阻挡结构形成为沿第一方向以直线延伸而没有任何弯曲部分，并且沿垂直于所述第一方向的第二方向穿过所述半导体基板。/n

【技术特征摘要】
20181212 KR 10-2018-01597931.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
半导体基板，所述半导体基板被构造为支撑响应于所接收的入射光而产生信号的多个图像像素、被配置为处理从所述图像像素读出的信号的逻辑电路、以及联接到所述逻辑电路以减少所述逻辑电路所产生的噪声的噪声阻挡结构，
其中，所述噪声阻挡结构形成为沿第一方向以直线延伸而没有任何弯曲部分，并且沿垂直于所述第一方向的第二方向穿过所述半导体基板。


2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述噪声阻挡结构包括：
第一噪声阻挡部分，所述第一噪声阻挡部分彼此间隔开预定距离并被布置成围绕所述逻辑电路；以及
第二噪声阻挡部分，所述第二噪声阻挡部分彼此间隔开预定距离并被布置在所述第一噪声阻挡部分的外壁中。


3.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，所述第一噪声阻挡部分被布置成包括开口的多边形带状，在所述开口中不存在所述第一噪声阻挡部分。


4.根据权利要求3所述的图像感测装置，其中，所述第二噪声阻挡部分被布置在所述第一噪声阻挡部分的所述开口周围。


5.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述噪声阻挡结构包括金属膜和气隙。


6.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述噪声阻挡结构形成在所述半导体基板的P阱区中。


7.根据权利要求6所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括：
N阱区，所述N阱区形成为围绕所述P阱区的外壁。


8.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述逻辑电路形成在所述半导体基板的下部中。


9.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
半导体基板，所述半导体基板被配置为包括在检测到入射光时产生信号的图像像素和处理由所述图像像素产生的信号的逻辑电路区域；以及
噪声阻挡结构，所述噪声阻挡结构被设置在所述半导体基板上并且包括：
第一阻挡结构，所述第一阻挡结构包括通过开口彼此分隔开并且部分地围绕所述逻辑电路区域的第一噪声阻挡部分，每个所述第一噪声阻挡部分以直线延伸；以及
第二阻挡结构，所述第二阻挡结构被设置在所述开口周围以防止噪声从所述第一阻挡结构泄漏出来，并包括以直线延伸的第二噪声阻挡部分。


10.根据权利要求9所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钟殷，郭镐映，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR