X射线探测器及其制备方法技术

本申请适用于探测器技术领域，提供了X射线探测器及其制备方法，该X射线探测器包括：钙钛矿晶体基板，两侧面均设置有载流子传输层；两层电极层，分别设置在两层载流子传输层上；其中，每一电极层包括由多个电极组成的二维面阵电极，且两层电极层之间的各个电极一一对应；两层读出阵列电路面板，分别设置在两层电极层上，且与各个电极连接；其中，每一读出阵列电路面板上均设置有信号读出电极，且两层读出阵列电路面板中的信号处理电路分别为脉冲计数电路和电荷积分电路。本申请能够使得X射线探测器工作在光子计数模式，或使得X射线探测器工作在能量积分模式，或使得X射线探测器同时工作在光子计数模式和能量积分模式。

【技术实现步骤摘要】
X射线探测器及其制备方法
本申请属于探测器
，尤其涉及X射线探测器及其制备方法。
技术介绍
半导体的辐射探测器的基本工作原理为：高能光子在半导体中激发电子空穴对，电子空穴对在电场的作用下，分别向正负电极漂移，产生感应电荷并被外电路收集，形成电信号。根据工作模式的不同，半导体辐射探测器可分为光子计数型探测器和能量积分型探测器。其中，光子计数型探测器工作在脉冲模式，感应电荷产生脉冲信号，其中脉冲个数为对应高能光子数量，脉冲高度对应高能光子能量。而光子计数型探测器无法工作在高通量X射线下，但是当减少光子通量将导致信噪比降低，同时减小了探测器的动态范围，不利于X射线成像。
技术实现思路
为克服相关技术中存在的问题，本申请实施例提供了X射线探测器及其制备方法。本申请是通过如下技术方案实现的：第一方面，本申请实施例提供了一种X射线探测器，包括：钙钛矿晶体基板，两侧面均设置有载流子传输层；两层电极层，分别设置在两层所述载流子传输层上；其中，每一所述电极层包括由多个电极组成的二维面阵电极，且两层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种X射线探测器，其特征在于，包括：/n钙钛矿晶体基板，两侧面均设置有载流子传输层；/n两层电极层，分别设置在两层所述载流子传输层上；其中，每一所述电极层包括由多个电极组成的二维面阵电极，且两层所述电极层之间的各个电极一一对应；/n两层读出阵列电路面板，分别设置在所述两层电极层上，且与各个电极连接；其中，每一所述读出阵列电路面板上均设置有信号读出电极，且所述两层读出阵列电路面板的信号处理电路分别为脉冲计数电路和电荷积分电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种X射线探测器，其特征在于，包括：
钙钛矿晶体基板，两侧面均设置有载流子传输层；
两层电极层，分别设置在两层所述载流子传输层上；其中，每一所述电极层包括由多个电极组成的二维面阵电极，且两层所述电极层之间的各个电极一一对应；
两层读出阵列电路面板，分别设置在所述两层电极层上，且与各个电极连接；其中，每一所述读出阵列电路面板上均设置有信号读出电极，且所述两层读出阵列电路面板的信号处理电路分别为脉冲计数电路和电荷积分电路。


2.如权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述脉冲计数电路包括多个像素单元，每个像素单元对应一个脉冲计数子电路，且与对应的电极层中的一个电极对应连接。


3.如权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述电荷积分电路包括多个像素电容，每个像素电容与对应的电极层中的一个电极对应连接，用于存储对应电极产生的电荷信号；
其中，通过选通信号读出存储在所述像素电容中的电荷信号。


4.如权利要求1至3任一项所述的X射线探测器，其特征在于，所述脉冲计数电路对应的读出阵列电路面板为CMOS阵列面板，所述电荷积分电路对应的读出阵列电路面板为CMOS阵列面板或TFT阵列面板。


5.如权利要求1至3任一项所述的X射线探测器，其特征在于，两层所述载流子传输层分别为电子传输层和空穴传输层；
其中，所述电子传输层的材质为TiO2、SnO2、...

【专利技术属性】
技术研发人员：巫皓迪，葛永帅，牛广达，唐江，梁栋，刘新，郑海荣，
申请(专利权)人：中国科学院深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44