一种感测装置及其封装方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种感测装置及其封装方法，该方法包括以下步骤：从光电二极管芯片的第一表面对所述光电二极管芯片进行减薄处理，接着形成叠层减反射结构，接着形成第一掩膜层，在所述第一掩膜层中形成开口以暴露所述叠层减反射结构，接着在所述开口中形成金属栅格结构，接着形成图案化的第二掩膜层，利用所述第二掩膜层刻蚀所述第一掩膜层和所述金属栅格结构，以在所述金属栅格结构的每个侧墙上形成多个平行排列的沟槽，所述沟槽的横向宽度大于所述侧墙的宽度，接着在所述沟槽中沉积金属材料，使得所述金属栅格结构的每个侧墙上形成多个凸起，接着形成滤色层，使得多个所述凸起嵌入到所述滤色层中，接着在所述滤色层上形成透镜层。

A sensing device and its packaging method

【技术实现步骤摘要】
一种感测装置及其封装方法
本专利技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种感测装置及其封装方法。
技术介绍
CMOS传感器采用一般半导体电路最常用的CMOS工艺，具有集成度高、功耗小、速度快、成本低等特点，最近几年在宽动态、低照度方面发展迅速。CMOS即互补性金属氧化物半导体，主要是利用硅和锗两种元素所做成的半导体，通过CMOS上带负电和带正电的晶体管来实现基本的功能。这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片记录和解读成影像。以背照式(Back-sideIllumination，简称BSI)CMOS图像传感器为例，在现有的制造工艺中，先在半导体衬底内形成逻辑器件、像素器件以及金属互连结构，然后采用承载晶圆与所述半导体衬底的正面键合，进而对半导体衬底的背部进行减薄，进而在半导体衬底的背面形成CIS的后续工艺，例如在所述像素器件的半导体衬底背面形成防反射薄膜，进而在防反射薄膜的表面形成滤色单元矩阵等，如何提高滤色单元的稳固性，是人们一直期望解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种感测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像感测装置的封装方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)提供一光电二极管芯片，所述光电二极管芯片包括多个相互间隔的感光单元以及位于相邻感光单元之间的隔离结构，所述光电二极管芯片具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述光电二极管芯片的所述第二表面暴露出所述感光单元；/n(2)接着从所述光电二极管芯片的第一表面对所述光电二极管芯片进行减薄处理；/n(3)接着在所述光电二极管芯片的第一表面上形成叠层减反射结构；/n(4)接着在所述叠层减反射结构上形成第一掩膜层，在所述第一掩膜层中形成开口以暴露所述叠层减反射结构，接着在所述开口中形成金属栅格结构；/n(5)接着在所述第一掩膜层和...

【技术特征摘要】
1.一种图像感测装置的封装方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)提供一光电二极管芯片，所述光电二极管芯片包括多个相互间隔的感光单元以及位于相邻感光单元之间的隔离结构，所述光电二极管芯片具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述光电二极管芯片的所述第二表面暴露出所述感光单元；
(2)接着从所述光电二极管芯片的第一表面对所述光电二极管芯片进行减薄处理；
(3)接着在所述光电二极管芯片的第一表面上形成叠层减反射结构；
(4)接着在所述叠层减反射结构上形成第一掩膜层，在所述第一掩膜层中形成开口以暴露所述叠层减反射结构，接着在所述开口中形成金属栅格结构；
(5)接着在所述第一掩膜层和所述金属栅格结构上形成图案化的第二掩膜层，利用所述第二掩膜层刻蚀所述第一掩膜层和所述金属栅格结构，以在所述金属栅格结构的每个侧墙上形成多个平行排列的沟槽，所述沟槽的横向宽度大于所述侧墙的宽度，接着在所述沟槽中沉积金属材料，使得所述金属栅格结构的每个侧墙上形成多个凸起；
(6)接着去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，以在所述金属栅格结构中形成凹槽，在所述凹槽中形成滤色层，使得多个所述凸起嵌入到...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯红伟，
申请(专利权)人：山东砚鼎电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37