光电转换元件及图像传感器制造技术

本发明专利技术提供一种光电转换元件及图像传感器，涉及图像传感器技术领域。光电转换元件的半导体区域包括：衬底、以及衬底上依次设置的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区；第三掺杂区的表面设置有调制栅极，衬底的边缘设置有隔离区，隔离区内设置有输出区；光电转换元件中产生的光生电子，至少部分由衬底通过第三掺杂区到达输出区。其中，通过衬底与隔离区形成耗尽区，由于耗尽区存在强电场，进而可加速衬底中产生的光生电子的转移速度，从而有效提高了光电转换元件中产生的光生电子的输出效率。

Photoelectric conversion element and image sensor

【技术实现步骤摘要】
光电转换元件及图像传感器
本专利技术涉及图像传感器
，具体而言，涉及一种光电转换元件及图像传感器。
技术介绍
随着科技的发展，互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)图像传感器已经广泛应用在人们生活的各方各面，例如远距离高精度测距、高动态成像、高帧频成像。现有技术中，CMOS图像传感器中包括的光电转换元件包括：衬底、掺杂区、钳位层、输出区、调制栅极。由于衬底区域存在一定厚度的中性体区，该中性体区没有电场，光生电子从衬底向掺杂区转移时在中性体区仅能通过扩散方式移动，从而导致光生电子的转移速度较慢。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种光电转换元件及图像传感器，以解决现有技术中存在的光电转换元件中光生电子转移速度较慢的问题。为实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：第一方面，本申请实施例提供了一种光电转换元件，所述光电转换元件的半导体区域包括：衬底、以及所述衬底上依次设置的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换元件，其特征在于，所述光电转换元件的半导体区域包括：衬底、以及所述衬底上依次设置的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区；/n所述第三掺杂区的表面设置有调制栅极，所述衬底的边缘设置有隔离区，所述隔离区内设置有输出区；/n所述光电转换元件中产生的光生电子，至少部分由所述衬底通过所述第三掺杂区到达所述输出区。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电转换元件，其特征在于，所述光电转换元件的半导体区域包括：衬底、以及所述衬底上依次设置的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区；
所述第三掺杂区的表面设置有调制栅极，所述衬底的边缘设置有隔离区，所述隔离区内设置有输出区；
所述光电转换元件中产生的光生电子，至少部分由所述衬底通过所述第三掺杂区到达所述输出区。


2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，所述隔离区包括：第一隔离区和第二隔离区；
所述输出区设置在所述第一隔离区内，所述第二隔离区设置在所述第一隔离区远离所述输出区的一侧。


3.根据权利要求2所述的光电转换元件，其特征在于，所述第二隔离区在所述衬底上的投影覆盖所述第一隔离区的投影。


4.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，所述第二掺杂区和所述第三掺杂区的两部分中间设置有第四掺杂区；
所述第三掺杂区的表面设置有所述调制栅极。


5.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷述宇，
申请(专利权)人：宁波飞芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33