TFT阵列结构及其绑定区、绑定区的制作方法技术

一种TFT阵列结构及其绑定区、绑定区的制作方法，绑定区包括第一基板(10)、设置在第一基板(10)上的金属叠层(20)、设置在第一基板(10)上并覆盖金属叠层(20)边缘的绝缘叠层(30)、以及设置在金属叠层(20)上的透光导电层(40)；金属叠层(20)包括具有Cu层的第一金属层(21)；透光导电层(40)覆盖在第一金属层(21)上。在TFT阵列结构的绑定区中，通过透光导电层(40)在金属层上的设置，对金属层进行保护，避免金属层中的Cu金属氧化腐蚀。

TFT array structure and method of making binding area and binding area

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
[0001]本专利技术涉及发光显示
，尤其涉及一种TFT阵列结构及其绑定区、绑定区的制作方法。
技术介绍
[0002]现有AMOLED（主动式有机发光二极体）技术，较多采用Topemission（顶发光）结构。现有的AMOLEDtopemissionArray结构（主动式有机发光二极管的阵列结构）的PE（像素电极）层一般采用ITO/Ag/ITO三层结构，其中Ag是容易氧化材料，若在bonding区（绑定区）保留ITO/Ag/ITO层，容易发生腐蚀影响bondingpad（绑定焊盘）接触电阻，因此一般在bondingpad区域不留下PE膜层，同时SD（Source&DrainElectrode）金属使用耐氧化的Ti/Al/Ti金属结构，避免裸露后的氧化腐蚀。[0003]在AMOLEDtopemissionArray结构中，SD金属也有采用Cu工艺双层结构（Mo/Cu、钼合金/Cu、Ti/Cu等），其中Cu金属通常设置在上方，而因为Cu表面没有设置耐氧化膜层进行保护，容易发生氧化腐蚀，会影响bondingpad接触电阻，影响产品可靠度。技术问题[0004]本专利技术要解决的技术问题在于，提供一种避免金属层中的Cu金属氧化腐蚀的TFT阵列结构的绑定区以及具有该绑定区的TFT阵列结构、以及该绑定区的制作方法。问题的解决方案技术解决方案[0005]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种绑定区，包括基板、设置在所述基板上的金属叠层、设置在所述基板上并覆盖所述金属叠层边缘的绝缘叠层、设置在所述金属叠层上的像素电极层、设置在所述绝缘叠层上并覆盖所述像素电极层边缘的像素定义层、以及设置在所述像素电极层上的金属保护叠层。[0006]本专利技术还提供一种了?!阵列结构，包括显示区和上述的绑定区；所述绑定区连接在所述显示区的外围。[0007]本专利技术还提供一种上述绑定区的制作方法，包括以下步骤：[0008]1、在了?!阵列结构制备过程中，对其上的像素电极层进行第一次光刻胶图案化，使绑定区的上的像素电极层裸露出来；[0009]82、对所述绑定区上的像素电极层依次进行第一次刻蚀和第二次刻蚀，分别将所述像素电极层的顶部透光导电层和反射导电层刻蚀，留下所述像素电极层的底部透光导电层；[0010]3、对所述绑定区上的底部透光导电层进行第二次光刻胶图案化，将位于所述绑定区金属叠层上的底部透光导电层覆盖；[0011]4、对所述绑定区上的底部透光导电层进行第三次刻蚀，去除所述金属叠层上以外的其他底部透光导电层，留下位于所述绑定区的金属叠层上的底部透光导电层，以形成覆盖在所述金属叠层的具有〇!层的第一金属层上的透光导电层。专利技术的有益效果有益效果[0012]本专利技术的有益效果：在了?!阵列结构的绑定区中，通过透光导电层在金属层上的设置，对金属层进行保护，避免金属层中的〇!金属氧化腐蚀。[0013]本专利技术的绑定区，相较于现有技术，增加了第二次光刻图案化处理，留下像素电极层底部的透光导电层，作为绑定区的保护层，对绑定区的金属层进行保护对附图的简要说明附图说明[0014]下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中：[0015]图1是本专利技术第一实施例的绑定区的结构示意图；[0016]图2是本专利技术第二实施例的绑定区的结构示意图；[0017]阵列结构的结构示意图。专利技术实施例本专利技术的实施方式[0018]为了对本专利技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本专利技术的具体实施方式。[0019]本专利技术的TFT阵列结构的绑定区，所述的TFT阵列结构用于AMOLED显示器中，作为AMOLEDtopemissionArray结构（主动式有机发光二极管的阵列结构）[0020]如图1所示，本专利技术第一实施例的TFT阵列结构的绑定区，可包括第一基板10、设置在第一基板10上的金属叠层20、设置在第一基板10上并覆盖金属叠层20边缘的绝缘叠层30、以及设置在金属叠层20上的透光导电层40,透光导电层40两端边缘与绝缘叠层30相抵。[0021]金属叠层20为具有Cu（铜）层的金属叠层，透光导电层40在金属叠层20上对其进行保护，避免Cu金属氧化腐蚀。[0022]本实施例中，金属叠层20包括具有Cu层的第一金属层21（可称为Ml或M2）。透光导电层40设置在第一金属层21上，将第一金属层上21上表面露出的部分覆盖。[0023]透光导电层40为IT0（氧化铟锡）层或IZ0（铟锌氧化物）层。[0024]该透光导电层40为设置在第一金属层21上的像素电极层（0LED阳极）经蚀刻后留下的底部透光导电层。像素电极层通常为三层结构，由高透过率、高导电率的透光导电层以及高反射率、高导电率和耐腐蚀的反射导电层组成，通常为ITO/Ag/ITO或IZO/Ag/IZO三层结构。在形成透光导电层40时，依次将相邻的透光导电层和反射导电层刻蚀，留下其中的一层透光导电层，即形成第一金属层21上的透光导电层40。[0025]作为选择，第一金属层21可为双层结构，包括Cu层、以及设置在Cu层朝向第一基板10—侧的金属导电层；金属导电层为Al、Mo、Cu、Ti、Mo合金、GZO、ZIO等金属、合金、导体金属氧化物中至少一种制成。对于该双层结构的第一金属层21，其Cu层朝向透光导电层40。[0026]作为选择，第一金属层21也可为三层结构，包括Cu层、设置在Cu层相对两侧并分别朝向第一基板10和透光导电层40的金属导电层；金属导电层为1、]\^〇、〇!、！!、〇合金、GZO^å10等金属、合金、导体金属氧化物中至少一种制成[0027]本实施例中，对应第一金属层21，绝缘叠层30设置在第一基板10上并覆盖第一金属层21的边缘，保护第一金属层21的边界。该绝缘叠层30可为氧化硅（8^）或氮化硅（8^）等制成的绝缘层。[0028]如图2所示，本专利技术第二实施例的了?!阵列结构的绑定区，可包括第一基板10、设置在第一基板10上的金属叠层20、设置在第一基板10上并覆盖金属叠层20边缘的绝缘叠层30、以及设置在金属叠层20上的透光导电层40。[0029]金属叠层20为具有（：11（铜）层的金属叠层，透光导电层40在金属叠层20上对其进行保护，避免（：1!金属氧化腐蚀。[0030]本实施例中，金属叠层20包括具有〇1层的第一金属层21和第二金属层22，第二金属层22设置在第一金属层21和第一基板10之间；第一金属层21和第二金属层22通过过孔搭接。可以理解的是，在其他实施例中，第一金属层21与第二金属层22的接合方式也可以采用其他方式，例如焊接、粘接等，本专利技术不做具体的限定。[0031]透光导电层40覆盖在第一金属层21上。该透光导电层40和第一金属层21具体可参考上述第一实施例中相关所述，在此不再赘述。本文档来自技高网...

【技术保护点】
权利要求书 /n [权利要求 1] 一种

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】权利要求书
[权利要求1]一种
阵列结构的绑定区，其特征在于，包括第一基板、设置在所述第一基板上的金属叠层、设置在所述第一基板上并覆盖所述金属叠层边缘的绝缘叠层、以及设置在所述金属叠层上的透光导电层；所述金属叠层包括具有〇!层的第一金属层；所述透光导电层覆盖在所述第一金属层上。
[权利要求2]根据权利要求1所述的绑定区，其特征在于，所述透光导电层为111)层或1å0层。
[权利要求3]根据权利要求1所述的绑定区，其特征在于，所述透光导电层为设置在所述第一金属层上的像素电极层经蚀刻后留下的底部透光导电层。
[权利要求4]根据权利要求1所述的绑定区，其特征在于，所述第一金属层为双层结构，包括所述〇!层、以及设置在所述〇!层朝向所述第一基板一侧的金属导电层；所述金属导电层为八1、Mo、〇1、II、Mo合金、0å0以及å10中至少一种制成。
[权利要求5]根据权利要求1所述的绑定区，其特征在于，所述第一金属层为三层结构，包括所述〇!层、设置在所述〇!层相对两侧并分别朝向所述第一基板和透光导电层的金属导电层；
、II、Mo合金、
[权利要求6]根据权利要求1所述的绑定区，其特征在于，所述金属叠层还包括设置在所述第一金属层和第一基板之间的第二金属层；所述第一金属层和第二金属层通过过孔搭接。
[权利要求7]根据权利要求6所述的绑定区，其特征在于，所述第二金属层为双层结构，包括〇!层以及设置在所述(：1!层朝向所述第一基板一侧的金属导电层；所述金属导电层为八1、Mo、〇1、II、Mo合金、
0中至少一种制成。
[权利要求8]根据权利要求6所述的绑定区，其特征在于，所述第二金属层为三层结构，包括〇!层、设置在所述〇!层相对两侧并分别朝向所述第一基板和第一金属层的金属导电层；所述金属导电层为1、Mo、〇!、II
、Mo合金、
[权利要求9]根据权利要求6所述的绑定区，其特征在于，所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层；
所述第二绝缘层设置在所述第一基板上并覆盖所述第二金属层，所述第一绝缘层设置在所述第二绝缘层上并覆盖所述第一金属层的边缘。
[权利要求10]一种
阵列结构，其特征在于，包括显示区和权利要求1-9任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林致远，蔡武卫，陈国峰，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44