TFT阵列结构及其绑定区、绑定区的制作方法技术

一种TFT阵列结构及其绑定区、绑定区的制作方法，绑定区包括第一基板(10)、设置在第一基板(10)上的金属叠层(20)、设置在第一基板(10)上并覆盖金属叠层(20)边缘的绝缘叠层(30)、以及设置在金属叠层(20)上的透光导电层(40)；金属叠层(20)包括具有Cu层的第一金属层(21)；透光导电层(40)覆盖在第一金属层(21)上。在TFT阵列结构的绑定区中，通过透光导电层(40)在金属层上的设置，对金属层进行保护，避免金属层中的Cu金属氧化腐蚀。

TFT array structure and method of making binding area and binding area

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
[0001]本专利技术涉及发光显示
，尤其涉及一种TFT阵列结构及其绑定区、绑定区的制作方法。
技术介绍
[0002]现有AMOLED（主动式有机发光二极体）技术，较多采用Topemission（顶发光）结构。现有的AMOLEDtopemissionArray结构（主动式有机发光二极管的阵列结构）的PE（像素电极）层一般采用ITO/Ag/ITO三层结构，其中Ag是容易氧化材料，若在bonding区（绑定区）保留ITO/Ag/ITO层，容易发生腐蚀影响bondingpad（绑定焊盘）接触电阻，因此一般在bondingpad区域不留下PE膜层，同时SD（Source&DrainElectrode）金属使用耐氧化的Ti/Al/Ti金属结构，避免裸露后的氧化腐蚀。[0003]在AMOLEDtopemissionArray结构中，SD金属也有采用Cu工艺双层结构（Mo/Cu、钼合金/Cu、Ti/Cu等），其中Cu金属通常设置在上方，而因为Cu表面没有设置耐氧化膜层进行保护，容易发生氧化腐蚀，会影响bondingpad接触电阻，影响本文档来自技高网...

【技术保护点】
权利要求书 /n [权利要求 1] 一种

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】权利要求书
[权利要求1]一种
阵列结构的绑定区，其特征在于，包括第一基板、设置在所述第一基板上的金属叠层、设置在所述第一基板上并覆盖所述金属叠层边缘的绝缘叠层、以及设置在所述金属叠层上的透光导电层；所述金属叠层包括具有〇!层的第一金属层；所述透光导电层覆盖在所述第一金属层上。
[权利要求2]根据权利要求1所述的绑定区，其特征在于，所述透光导电层为111)层或1å0层。
[权利要求3]根据权利要求1所述的绑定区，其特征在于，所述透光导电层为设置在所述第一金属层上的像素电极层经蚀刻后留下的底部透光导电层。
[权利要求4]根据权利要求1所述的绑定区，其特征在于，所述第一金属层为双层结构，包括所述〇!层、以及设置在所述〇!层朝向所述第一基板一侧的金属导电层；所述金属导电层为八1、Mo、〇1、II、Mo合金、0å0以及å10中至少一种制成。
[权利要求5]根据权利要求1所述的绑定区，其特征在于，所述第一金属层为三层结构，包括所述〇!层、设置在所述〇!层相对两侧并分别朝向所述第一基板和透光导电层的金属导电层；
、II、Mo合金、
[权利要求6]根据权利要求1所述的绑定区，其特征在于，所述金属叠层还包括设置在所述第一金属层和第一基板之间的第二金属层；所述第一金属层和第二金属层通过过孔搭接。
[权利要求7]根据权利要求6所述的绑定区，其特征在于，所述第二金属层为双层结构，包括〇!层以及设置在所述(：1!层朝向所述第一基板一侧的金属导电层；所述金属导电层为八1、Mo、〇1、II、Mo合金、
0中至少一种制成。
[权利要求8]根据权利要求6所述的绑定区，其特征在于，所述第二金属层为三层结构，包括〇!层、设置在所述〇!层相对两侧并分别朝向所述第一基板和第一金属层的金属导电层；所述金属导电层为1、Mo、〇!、II
、Mo合金、
[权利要求9]根据权利要求6所述的绑定区，其特征在于，所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层；
所述第二绝缘层设置在所述第一基板上并覆盖所述第二金属层，所述第一绝缘层设置在所述第二绝缘层上并覆盖所述第一金属层的边缘。
[权利要求10]一种
阵列结构，其特征在于，包括显示区和权利要求1-9任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林致远，蔡武卫，陈国峰，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44