显示面板、阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种显示面板、阵列基板及其制作方法，其中所述阵列基板包括薄膜晶体管元件，以及依次形成于所述薄膜晶体管元件上的界面层、第一透明导电层、钝化层、以及第二透明导电层。本发明专利技术通过将现有技术中的平坦层以界面层取代，并且搭配栅极再蚀刻制程以及通过在界面层和钝化层上同时开设深浅孔的制程方式，将形成低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板所需要使用到的光罩数量减少至8道，有效降低生产材料成本及光罩成本。

Display panel, array substrate and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
显示面板、阵列基板及其制作方法
本申请涉及一种显示
，特别涉及一种显示面板、阵列基板及其制作方法。
技术介绍
随着显示面板的技术发展，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon,LTPS)薄膜晶体管阵列基板日益普及，并且逐渐取代非晶硅(amorphoussilicon,a-Si)薄膜晶体管阵列基板。虽然非晶硅薄膜晶体管阵列基板仅仅需要4至5道光罩即可完成制程，但是由于低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板具有较高的迁移率以及较佳的电性表现，因此逐渐成为主流，广泛应用于小尺寸、高分辨率的显示面板。但由于低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制程复杂，基本需要9至12道光罩制程才可以完成，导致成本上升及竞争力的下降。请参照图1，图1为现有的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板10的示意图。所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板10的制作方法包括以下步骤：步骤S10：提供一衬底基板101。步骤S11：在所述衬底基板101上依次形成遮光层102、缓冲层103以及有源层104，其中通过第一光罩形成所述遮光层102，通过第二光罩形成所述有源层104。步骤S12：通过第三光罩在所述有源层104上形成源极及漏极的重掺杂。步骤S13：在所述有源层104上形成栅极绝缘层105，并且通过第四光罩在所述栅极绝缘层105上形成栅极电极106，接着以所述栅极电极106作为硬光罩对所述有源层104进行所述源极/漏极的轻掺杂。步骤S14：在所述栅极电极106上形成层间绝缘层107。步骤S15：通过第五光罩在所述栅极绝缘层105与所述层间绝缘层107开设第一过孔108，所述第一过孔108的位置分别与所述源极及所述漏极的位置对应，并且以第六光罩形成源极电极109a与漏极电极109b。步骤S16：在所述层间绝缘层107、源极电极109a和漏极电极109b上沉积绝缘层，并进行磨平，以形成上表面平坦的平坦层1010，并且通过第七光罩在所述平坦层1010对应所述漏极电极109b的位置上开设有第二过孔1011，此时所述漏极电极109b露出。步骤S17：在所述平坦层1010上通过第八光罩形成作为公用电极的第一透明导电层1012。步骤S18：在所述平坦层1010以及所述第一透明导电层1012上形成钝化层1013，并且通过第九光罩在对应所述漏极电极109b的位置上开设有第三过孔1014，使得所述漏极电极109b再次露出。步骤S19：在所述钝化层1013上通过第十光罩形成作为像素电极的第二透明导电层1015。现有技术中，平坦层1010的厚度较厚，需要两道或两道以上的蚀刻制程(使用两道或两道以上光罩)在其上形成过孔。基于上述，形成所述低温多晶薄膜晶体管阵列基板10需要有10道光罩制程，若要进一步地将触碰电极(TouchPanel,TP)集成于所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板10中，则需要再多一道光罩制程形成开孔作连接。也就是说，于现有技术中形成低温多晶薄膜晶体管阵列基板基本需要有11道光罩制程。因此，为了能够降低制作低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的成本，有必要提供一种显示面板、阵列基板及其制作方法，以解决现有技术的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示面板、阵列基板及其制作方法，以解决低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板需要由多道光罩制程制作，造成成本上升的问题。为实现上述目的，本专利技术第一方面提供一种阵列基板，其包括：薄膜晶体管元件，其包括栅极电极、源极电极和漏极电极；界面层，覆盖所述源极电极和所述漏极电极；第一透明导电层，形成于所述界面层上；钝化层，形成于所述界面层和所述第一透明导电层上；以及第二透明导电层，形成于所述钝化层上，其中所述界面层和所述钝化层在对应所述漏极电极的位置上开设有第一过孔，所述钝化层在对应所述第一透明导电层的一部分的位置上开设有第二过孔，所述第一透明导电层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述漏极电极电连接。进一步地，所述第二透明导电层包括漏极电极连接区及导电区，所述漏极电极连接区和所述导电区之间形成狭缝电性断开。进一步地，所述第一过孔和所述第二过孔在所述漏极电极连接区中以所述第二透明导电层的材料填充。进一步地，所述狭缝设置在所述源极电极及所述漏极电极于垂直方向上的投影与所述第二透明导电层重叠区域的外围。进一步地，所述薄膜晶体管元件为N型金氧半导体晶体管。进一步地，所述第一透明导电层为像素电极，所述第二透明导电层为共用电极。进一步地，所述薄膜晶体管阵列基板更包括有触控电极，由所述界面层所覆盖，其中所述界面层和所述钝化层在对应所述触控电极的位置上开设有第三过孔，所述触控电极通过所述第三开孔与所述第二透明导电层电连接。进一步地，所述界面层的厚度0.1微米至0.5微米。进一步地，所述薄膜晶体管元件包括：有源层；栅极绝缘层，覆盖所述有源层；所述栅极电极，形成于所述栅极绝缘层上；层间绝缘层，覆盖所述栅极电极以及所述栅极绝缘层；所述源极电极与所述漏极电极，形成于所述层间绝缘层上，所述源极电极与所述漏极电极分别与形成在所述有源层上的源极与漏极对应电连接设置。本专利技术第二方面提供一种阵列基板的制作方法，其包括以下步骤：形成薄膜晶体管元件，其包括栅极电极、源极电极和漏极电极；形成界面层，以覆盖所述源极电极和所述漏极电极；在所述界面层上形成第一透明导电层；在所述界面层和所述第一透明导电层上形成钝化层；对所述界面层和所述钝化层开设第一过孔，所述第一过孔位于对应所述漏极电极的位置；对所述钝化层开设第二过孔，所述第二过孔位于对应所述第一透明导电层的一部分的位置；以及在所述钝化层上形成第二透明导电层，其中所述第一透明导电层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述漏极电极电连接。进一步地，所述形成薄膜晶体管元件的步骤包括有：形成有源层；形成栅极绝缘层，以覆盖所述有源层；形成所述栅极电极，并且通过所述栅极电极作为硬光罩，在所述有源层上形成具有掺杂的源极与漏极；在所述栅极绝缘层上形成层间绝缘层，以覆盖所述栅极电极和所述栅极绝缘层；以及对所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层在分别对应所述源极与所述漏极的位置上开设源极/漏极过孔；在所述层间绝缘层上形成所述源极电极和所述漏极电极，并且通过所述源极/漏极过孔分别与所述源极和所述漏极电连接。进一步地，在所述第二透明导电层形成有漏极电极连接区及导电区，所述漏极电极连接区和所述导电区之间形成狭缝电性断开。进一步地，所述第一过孔和所述第二过孔在所述漏极电极连接区中以所述第二透明导电层的材料填充。进一步地，所述狭缝形成于所述源极电极及所述漏极电极于垂直方向上的投影与所述第二透明导电层重叠区域的外围。进一步地，在形成所述源极电极与所述漏极电极的同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n薄膜晶体管元件，其包括栅极电极、源极电极和漏极电极；/n界面层，覆盖所述源极电极和所述漏极电极；/n第一透明导电层，形成于所述界面层上；/n钝化层，形成于所述界面层和所述第一透明导电层上；以及/n第二透明导电层，形成于所述钝化层上，/n其中所述界面层和所述钝化层在对应所述漏极电极的位置上开设有第一过孔，所述钝化层在对应所述第一透明导电层的一部分的位置上开设有第二过孔，所述第一透明导电层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述漏极电极电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
薄膜晶体管元件，其包括栅极电极、源极电极和漏极电极；
界面层，覆盖所述源极电极和所述漏极电极；
第一透明导电层，形成于所述界面层上；
钝化层，形成于所述界面层和所述第一透明导电层上；以及
第二透明导电层，形成于所述钝化层上，
其中所述界面层和所述钝化层在对应所述漏极电极的位置上开设有第一过孔，所述钝化层在对应所述第一透明导电层的一部分的位置上开设有第二过孔，所述第一透明导电层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述漏极电极电连接。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述第二透明导电层包括漏极电极连接区及导电区，所述漏极电极连接区和所述导电区之间形成狭缝电性断开。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：所述第一过孔和所述第二过孔在所述漏极电极连接区中以所述第二透明导电层的材料填充。


4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：所述狭缝设置在所述源极电极及所述漏极电极于垂直方向上的投影与所述第二透明导电层重叠区域的外围。


5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述薄膜晶体管元件为N型金氧半导体晶体管。


6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述第一透明导电层为像素电极，所述第二透明导电层为共用电极。


7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列基板更包括有触控电极，由所述界面层所覆盖，其中所述界面层和所述钝化层在对应所述触控电极的位置上开设有第三过孔，所述触控电极通过所述第三开孔与所述第二透明导电层电连接。


8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述界面层的厚度0.1微米至0.5微米。


9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管元件包括：
有源层；
栅极绝缘层，覆盖所述有源层；
所述栅极电极，形成于所述栅极绝缘层上；
层间绝缘层，覆盖所述栅极电极以及所述栅极绝缘层；以及
所述源极电极与所述漏极电极，形成于所述层间绝缘层上，所述源极电极与所述漏极电极分别与形成在所述有源层上的源极与漏极对应电连接设置。


10.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成薄膜晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖军城，许勇，艾飞，宋德伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42