【技术实现步骤摘要】
功率器件埋入式基板封装结构及制备方法
本专利技术涉及埋入式基板封装
，特别涉及功率器件埋入式基板封装结构及制备方法。
技术介绍
伴随轻薄短小、高性能便携电子设备的急速增加，将电子元器件埋入基板内部的新型基板级封装技术已大量出现。埋入式封装技术除了将无源元件埋入基板之中，也将有源器件也一同埋入到有机基板中。这种封装技术不仅能使有源、无源器件间的引线缩短，提高整体性能，而且对实现超小型、薄型化极为有利。为了实现这一目的，采用陶瓷系高温烧结的方式显然是不行的，唯一有效可行的方式就是采用有机基板，而且IC元件与无源元件不同，不能在基板内做成，只能采用薄型封装或者裸芯片等形式，将其埋入基板中。基于晶圆级埋入扇形的概念，将裸功率半导体芯片直接粘贴在有机基板上，然后进行介质层层压，并在介质层上激光开盲孔将芯片的电极引出，最后进行布线和植球，完成功率半导体器件的板级封装。现有埋入式基板封装加工方法的步骤如下：步骤一，参见图1，在有机基板1的上下表面覆铜箔2、3,作为核心层以及支撑层；步骤二：参见...
【技术保护点】
1.功率器件埋入式基板封装结构，其特征在于，包括功率半导体管芯和基板，所述功率半导体管芯通过流胶层压在所述基板上；在所述流胶内开设有若干盲孔和若干通孔，并对这些盲孔和通孔金属化，使得所述功率半导体管芯的电极与外层线路铜箔连接；对所述外层线路铜箔进行图形化处理后，进行植球和切割，形成功率器件埋入式基板封装结构。/n
【技术特征摘要】
1.功率器件埋入式基板封装结构，其特征在于，包括功率半导体管芯和基板，所述功率半导体管芯通过流胶层压在所述基板上；在所述流胶内开设有若干盲孔和若干通孔，并对这些盲孔和通孔金属化，使得所述功率半导体管芯的电极与外层线路铜箔连接；对所述外层线路铜箔进行图形化处理后，进行植球和切割，形成功率器件埋入式基板封装结构。
2.如权利要求1所述的功率器件埋入式基板封装结构，其特征在于，所述功率半导体管芯包括硅层和设置在所述硅层上表面上的上电极以及设置在所述硅层下表面上的下电极，所述上电极的一部分与所述硅层直接连接，上电极的另一部分与所述硅层之间设置有介质层，相邻的上电极之间通过钝化层隔离开来；所述上电极包括压焊盘Al层和与所述压焊盘Al层的上表面电连接的导电柱，所述上电极中的导电柱和所述钝化层被塑封层塑封起来；部分盲孔穿过塑封层使得所述导电柱露出。
3.如权利要求1所述的功率器件埋入式基板封装结构，其特征在于，所述功率半导体管芯包括硅层和设置在所述硅层上表面上的上电极以及设置在所述硅层下表面上的下电极，所述上电极的一部分与所述硅层直接连接，上电极的另一部分与所述硅层之间设置有介质层，相邻的上电极之间通过钝化层隔离开来；所述上电极包括压焊盘Al层和与所述压焊盘Al层的上表面电连接的导电柱，所述上电极中的导电柱和所述钝化层被塑封层塑封起来并且所述导电柱的顶面露出所述塑封层，同时所述导电柱还露出所述流胶层直接与外层线路铜箔电连接。
4.如权利要求2或3所述的功率器件埋入式基板封装结构，其特征在于，所述导电柱可以为镍柱、铜柱或者金柱或者其他金属。
5.功率器件埋入式基板封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：功率半导体管芯制备
1.1在硅层的上表面上覆着介质层、钝化层以及压焊盘Al层，压焊盘Al层的一部分与所述硅层直接连接，压焊盘Al层的另一部分与所述硅层之间设置有介质层，相邻的压焊盘Al层之间通过钝化层隔离开来；
1.2在每一压焊盘Al层上制作导电柱，形成功率半导体管芯的上电极；
1.3将钝化层和所有的导电柱采用塑封层塑封起来；
1.4对塑封层的上表面进行研磨，将所...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄平，鲍利华，顾海颖，
申请(专利权)人：上海朕芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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