基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基板处理装置。本发明专利技术的基板处理装置在基板处理工艺时控制气体流动，提高温度的均匀度，并且可防止颗粒流进处理空间内。

Substrate treatment device

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本专利技术涉及基板处理装置，更详细地说，涉及在热处理工艺时控制气体流动以提高温度均匀度并且可防止颗粒流进处理空间内的基板处理装置。
技术介绍
在制造显示装置或者半导体元件时使用的基板处理装置中在处理基板的处理空间内部可排放或者供应大量的气体。这种气体以在基板上形成薄膜或者在基板的薄膜形成图案、对处理空间内部环境进行换气等为目的可供应于处理空间内部。在完成基板处理工艺之后，处理空间内部的气体可排放到外部。为了在热处理工艺中得到优质的产品，有必要控制稳定，以将基板面内的温度偏差最小化。然而，现有的设备通常是在处理基板的处理空间内按照狭槽分别从左至右形成气体流动。也就是，为了形成层流(laminarflow)，在处理空间相向的两侧执行气体的供应和排放。然而，因为热移动，存在从左侧至右侧的温度差，或者在冷却时处理空间上部比下部相对更晚冷却，因此存在发生温差的问题。另外，通过从左侧至右侧的气流的流动，存在压力比外部低的处理空间的区域。这种压力低的区域相比于外部处于负压状态，因此可出现外部颗粒容易流进处理空间内的问题。另外，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，包括：/n主体，提供内部空间并且具有排气口；/n隔壁，在所述内部空间形成处理空间，所述处理空间从主体的侧壁间隔预定距离配置以处理多个基板；/n工艺气体供应部，贯通所述主体的侧壁及所述隔壁，至少一部分配置在所述处理空间内，包括将工艺气体喷射于所述处理空间的多个工艺气体供应管；/n基板支撑部，配置成不与所述工艺气体供应管发生干涉，并支撑所述多个基板，以使所述多个基板以垂直方向相互间隔配置；/n加热部，用于加热被所述基板支撑部支撑的所述基板；/n其中，所述排气口与所述主体的侧壁及所述隔壁之间的空间连通。/n

【技术特征摘要】
20181217 KR 10-2018-0163027;20191107 KR 10-2019-011.一种基板处理装置，包括：
主体，提供内部空间并且具有排气口；
隔壁，在所述内部空间形成处理空间，所述处理空间从主体的侧壁间隔预定距离配置以处理多个基板；
工艺气体供应部，贯通所述主体的侧壁及所述隔壁，至少一部分配置在所述处理空间内，包括将工艺气体喷射于所述处理空间的多个工艺气体供应管；
基板支撑部，配置成不与所述工艺气体供应管发生干涉，并支撑所述多个基板，以使所述多个基板以垂直方向相互间隔配置；
加热部，用于加热被所述基板支撑部支撑的所述基板；
其中，所述排气口与所述主体的侧壁及所述隔壁之间的空间连通。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述隔壁包括：
上部隔壁，在所述主体的上侧壁间隔预定距离配置；
侧部隔壁，在所述主体的左侧壁、右侧壁、后侧壁间隔预定距离配置。


3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述工艺气体供应部包括：
工艺气体连接管，从外部接收工艺气体；
多个工艺气体供应管，贯通所述主体及所述隔壁并且间隔预定距离配置；
工艺气体分配管，一侧连通于所述工艺气体连接管，而另一侧则连接于所述多个工艺气体供应管。


4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述工艺气体连接管及所述工艺气体分配管分别设置在所述主体的两侧壁，向所述工艺气体供应管供应工艺气体。


5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述工艺气体供应管至少在与配置在所述处理空间的基板相对应的位置形成多个排放孔。


6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述处理空间内多个基板以垂直方向相互间隔配置时，至少所述工艺气体供应管位于基板上部。


7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：崔宇镕，李学文，朴暻完，金东均，李成熙，金建昊，朴大善，张城民，郑盈箕，
申请(专利权)人：圆益IPS股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR