【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体器件的设备相关申请的交叉应用本申请要求于2018年12月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0163315的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
本专利技术构思的示例实施例涉及用于制造半导体器件的设备。例如，至少一些示例实施例涉及使用等离子制造半导体器件的设备。
技术介绍
通常，为了制造半导体器件，可执行一系列工艺，例如沉积、蚀刻和清洁。可通过包括处理室的沉积、蚀刻或清洁设备来执行这些工艺。例如，在使用等离子处理技术的蚀刻工艺的情况下，通过使用耦合耦合等离子(诸如电容耦合的等离子或电感耦合的等离子)或者使用在处理室外部产生的远程等离子源在衬底上蚀刻材料层的蚀刻设备已被广泛使用。存在的问题是使用这种等离子的蚀刻工艺通常具有低蚀刻速率和低蚀刻选择性。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施例提供了一种用于制造半导体器件的设备，该设备允许改善等离子工艺(例如等离子蚀刻工艺)中的均匀性。本专利技术构思的示例实施例还提供了一种用于制造半导体器件的设备...
【技术保护点】
1.一种构造为制造半导体器件的设备，所述设备包括：/n处理室，其中具有等离子处理空间；和/n衬底支撑件，其位于所述处理室中，所述衬底支撑件构造为支撑衬底，所述衬底支撑件包括：/n基座，其中具有多个升降销孔，使得所述多个升降销孔以节圆直径布置，所述多个升降销孔各自构造为容纳升降销；和/n密封带，其具有环形形状并从所述基座突出，所述密封带的内径小于所述多个升降销孔的所述节圆直径。/n
【技术特征摘要】
20181217 KR 10-2018-01633151.一种构造为制造半导体器件的设备，所述设备包括：
处理室，其中具有等离子处理空间；和
衬底支撑件，其位于所述处理室中，所述衬底支撑件构造为支撑衬底，所述衬底支撑件包括：
基座，其中具有多个升降销孔，使得所述多个升降销孔以节圆直径布置，所述多个升降销孔各自构造为容纳升降销；和
密封带，其具有环形形状并从所述基座突出，所述密封带的内径小于所述多个升降销孔的所述节圆直径。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述多个升降销孔构造为穿透所述密封带。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述多个升降销孔位于所述密封带的外边缘和所述密封带的内边缘之间。
4.根据权利要求2所述的设备，其中，所述密封带在其径向方向上的宽度大于所述多个升降销孔中的每一个升降销孔的直径。
5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述密封带在其径向方向上的宽度是恒定的。
6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述衬底支撑件还包括：
底座温度控制器，其构造为调节装载在所述衬底支撑件上的所述衬底的温度。
7.根据权利要求1所述的设备，还包括：
等离子发生器，其构造为产生等离子；和
分配组件，其构造为扩散从所述等离子发生器供应的等离子，并将所述等离子喷射到所述等离子处理空间。
8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述分配组件包括：
阻挡板，其构造为扩散从所述等离子发生器供应的所述等离子，所述阻挡板包括具有板形状的主体和穿透所述主体的第一通孔；和
喷淋头，其构造为扩散经由所述阻挡板的所述第一通孔喷射的等离子，所述喷淋头包括构造为将所述等离子喷射到所述等离子处理空间的第二通孔。
9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述阻挡板的所述主体包括：
单一材料。
10.根据权利要求8所述的设备，其中，所述第一通孔包括：
多个第一中心通孔，其位于所述阻挡板的中心区域中；和
多个第一边缘通孔，其位于所述阻挡板的边缘区域中，其中
所述多个第一中心通孔的第一密度不同于所述多个第一边缘通孔的第二密度。
11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述多个第一边缘通孔的所述第二密度大于所述多个第一中心通孔的所述第一密度。
12.根据权利要求10所述的设备，其中，所述第一通孔还包括：
多个第一中间通孔，其位于所述阻挡板的所述中心区域与所述阻挡板的所述边缘区域之间的所述阻挡板的中间区域中，其中
所述多个第一中间通孔的第三密度小于所述多个第一中心通孔的所述第一密度和所述多个第一边缘通孔的所述第二密度中的每一个。
13.根据权利要求10所述的设备，其中，所述喷淋头的所述第二通孔包括：
多个第二中心通孔，其位于所述喷淋头的中心区域中，所述多个第二中心通孔的密度对应于所述多个第一中心通孔的所述第一密度；和
多个第二边缘通孔，其位于所述喷淋头的边缘区域中，其中
所述多个第二边缘通孔的密度对应于所述多个第一边缘通孔的所述第二密度。
14.一种构造为制造半导体器件的设备，所述设备包括：
处理室，其中具有等离子处理空间；和
衬底支撑件，其位于所述处理室中，所述衬底支撑件构造为支撑衬底，所述衬底支撑件包括：
基座；和
密封带，其具有环形形...
【专利技术属性】
技术研发人员：金奇奂，金延泰，朴基寿，朴判贵，李真雅，李昌润，林圣根，崔敏浩，崔殷硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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