【技术实现步骤摘要】
气密性探测装置及半导体设备控制方法
本专利技术涉及半导体加工
，特别是一种气密性探测装置及半导体设备控制方法。
技术介绍
半导体设备一般包括至少两个腔室，且两个腔室之间或者腔室与设备外部之间设有狭缝阀。狭缝阀用于隔离两个腔室或者腔室与外部空间，并根据加工流程选择性的开闭。腔室内的气体环境，例如真空、充入卤素气体或充入惰性气体等依据加工流程改变。半导体设备对气体环境的要求高，而狭缝阀可能会具有各种原因造成的气密性不足的问题，导致各腔室的气体环境的不期望的改变，例如，两个腔室之间的气体混合、腔室内的气体泄漏至外部或外部的气体进入到腔室内等。上述气体环境的改变会造成设备腐蚀、处理气体混合比变动从而导致作业成本提高及良率降低。现有的气体感测装置通常与泄漏或进入的气体发生反应实现感测气体。因此，需要将现有气体感测装置安装至靠近狭缝阀的位置，尤其是设于腔室之内靠近狭缝阀的位置。但是，由于腔室内的各种环境依加工流程发生改变，或其他结构上的影响，设置气体感测装置很难。此外，现有气体感测装置的效率也并不高。专利技...
【技术保护点】
1.一种气密性探测装置，用于探测半导体设备的狭缝阀的气密性，所述狭缝阀隔离所述半导体设备的两个腔室，所述狭缝阀根据所述半导体设备的加工流程选择性地开闭，其特征在于，所述气密性探测装置包括至少一个光学气体成像件，所述至少一个光学气体成像件位于所述腔室之外，所述至少一个光学气体成像件的探测区域覆盖所述狭缝阀，且通过一视窗探测所述狭缝阀，所述视窗能够透过位于所述光学气体成像件的探测区域内的特定气体的辐射。/n
【技术特征摘要】
20181214 US 62/7795061.一种气密性探测装置，用于探测半导体设备的狭缝阀的气密性，所述狭缝阀隔离所述半导体设备的两个腔室，所述狭缝阀根据所述半导体设备的加工流程选择性地开闭，其特征在于，所述气密性探测装置包括至少一个光学气体成像件，所述至少一个光学气体成像件位于所述腔室之外，所述至少一个光学气体成像件的探测区域覆盖所述狭缝阀，且通过一视窗探测所述狭缝阀，所述视窗能够透过位于所述光学气体成像件的探测区域内的特定气体的辐射。
2.如权利要求1所述的气密性探测装置，其特征在于，所述光学气体成像件根据探测信号分析得到所述探测区域的气体分布图，所述气体分布图至少包含气体类型、气体位置及气体量的信息。
3.如权利要求2所述的气密性探测装置，其特征在于，所述气密性探测装置还包括控制机构，所述控制机构与所述光学气体成像件、所述半导体设备通信连接，所述控制机构在判断得到的所述探测区域内有不期望存在的气体的量超过预定值时，向所述半导体设备发送警示信息。
4.如权利要求2所述的气密性探测装置，其特征在于，所述气密性探测装置还包括显示器，...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑宇现，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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