【技术实现步骤摘要】
一种用于化学机械抛光的保持环和承载头
本专利技术属于化学机械抛光
,具体而言,涉及一种用于化学机械抛光的保持环和承载头。
技术介绍
化学机械抛光(ChemicalMechanicalPlanarization,CMP)是一种全局平整化的超精密表面加工技术。这种抛光方法通常将基板吸合于承载头的下部,基板具有沉积层的底面抵接于旋转的抛光垫,承载头在驱动部件的带动下与抛光垫同向旋转并给予基板向下的载荷;同时,抛光液供给于抛光垫与基板之间,在化学和机械的共同作用下实现基板的材料去除。承载头的下部设置有保持环,其在基板抛光中的作用如下:一方面,保持环可以防止抛光过程的基板从承载头的底部飞出;另一方面,保持环的底部设置有沟槽,其可以更新基板与抛光垫之间的抛光液;再者,保持环抵压于抛光垫参与基板边缘压力的调整,有利于实现基板的全局平坦化。基板在进行化学机械抛光过程中,抛光液内部的研磨剂等颗粒物会附着于保持环的表面,尤其是保持环的内侧面与弹性膜的外侧面形成的间隔内。所述间隔尺寸较小,其上会形成大量抛光液结晶。这些结晶的 ...
【技术保护点】
1.一种用于化学机械抛光的保持环,其特征在于,包括环形部,所述环形部包括顶面、底面、外侧面和内侧面,所述顶面与承载头固定连接,所述底面与抛光表面抵接,所述外侧面设置于环形部的外侧并连接顶面与底面,所述内侧面设置于环形部的内侧并连接顶面与底面;所述内侧面和外侧面涂覆有耐污涂层,所述耐污涂层的厚度为0.01μm-30μm。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于化学机械抛光的保持环,其特征在于,包括环形部,所述环形部包括顶面、底面、外侧面和内侧面,所述顶面与承载头固定连接,所述底面与抛光表面抵接,所述外侧面设置于环形部的外侧并连接顶面与底面,所述内侧面设置于环形部的内侧并连接顶面与底面;所述内侧面和外侧面涂覆有耐污涂层,所述耐污涂层的厚度为0.01μm-30μm。
2.如权利要求1所述的保持环,其特征在于,所述环形部的顶面也涂覆有耐污涂层,其厚度为0.05μm-0.2μm。
3.如权利要求1所述的保持环,其特征在于,所述环形部的内侧面、顶面和外侧面的表面粗糙度Ra介于6.3μm-12.5μm。
4.如权利要求1所述的保持环,其特征在于,所述耐污涂层为热塑性聚合物,其为聚四氟乙烯(PTFE)。
5.如权利要求1所述的保持环,其特征在于,所述环形部...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵德文,路新春,李长坤,孙张璞,孟松林,
申请(专利权)人:清华大学,华海清科股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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