【技术实现步骤摘要】
化学机械式研磨装置用承载头的卡环及具备其的承载头
本专利技术涉及化学机械式研磨装置用承载头的卡环及具备其的承载头，更具体而言，涉及一种能够在研磨工序中使卡环的翘起现象最小化、防止基板脱离的化学机械式研磨装置用承载头的卡环及具备其的承载头。
技术介绍
化学机械式研磨(CMP)装置是，为了在半导体元件制造过程中，消除由于反复执行掩蔽、蚀刻及布线工序等而生成的晶片表面的凹凸而导致的cell区域与周边电路区域间发生高度差的广域平坦化，改善因电路形成用触点/布线膜分离及高集成元件化导致的晶片表面粗糙度等，而用于对晶片表面进行精密研磨加工的装置。在这种CMP装置中，承载头在研磨工序前后，以晶片的研磨面与研磨垫相向的状态对所述晶片加压，使得进行研磨工序，同时，研磨工序结束后，以直接及间接地真空吸附晶片并以把持的状态，移送到下个工序。参照图1及图2所示，承载头1包括：本体部110；底座部120，其与本体部110一同旋转；卡环130，其以环绕底座部120的环形态，可上下移动地安装，与底座部120一同旋转；弹性材质的隔膜140，...
【技术保护点】
1.一种承载头，用于在化学机械式研磨工序中将基板加压于研磨垫，其中，包括：/n承载头本体；/n隔膜，其安装于所述承载头本体的下面，将所述基板加压于所述研磨垫；/n延长瓣，其从所述隔膜的外侧面延伸；/n卡环，其安装于所述延长瓣上，用于约束所述基板的侧面。/n
【技术特征摘要】
20181205 KR 10-2018-01550311.一种承载头，用于在化学机械式研磨工序中将基板加压于研磨垫，其中，包括：
承载头本体；
隔膜，其安装于所述承载头本体的下面，将所述基板加压于所述研磨垫；
延长瓣，其从所述隔膜的外侧面延伸；
卡环，其安装于所述延长瓣上，用于约束所述基板的侧面。
2.根据权利要求1所述的承载头，其中，
在所述延长瓣的上部，形成有向所述卡环施加加压力的卡环压力腔室。
3.根据权利要求2所述的承载头，其中，
所述延长瓣包括：
上部瓣，其在所述隔膜的外侧面一体延伸，并结合于所述承载头本体；
下部瓣，其与所述上部瓣隔开地在所述隔膜的外侧面一体延伸，并结合于所述承载头本体；
所述卡环压力腔室形成在所述上部瓣与所述下部瓣之间。
4.根据权利要求1所述的承载头，其中，
所述延长瓣包括：相对于所述隔膜的外侧面倾斜形成的倾斜瓣部；以及在所述倾斜瓣部的端部水平形成的水平瓣部，
所述卡环包括：接触所述倾斜瓣部的倾斜接触面以及接触所述水平瓣部的水平接触面。
5.根据权利要求4所述的承载头，其中，
所述倾斜接触面紧贴于所述倾斜瓣部，所述水平接触面紧贴于所述水平瓣部。
6.根据权利要求4所述的承载头，其中，
所述延长瓣包括从所述水平瓣部突出形成的突出瓣部，
所述卡环包括用于收纳所述突出瓣部的收纳部。
7.根据权利要求6所述的承载头，其中，
所述突出瓣部具有从上端向下端递增的宽度。
8.根据权利要求1所述的承载头，其中，
所述卡环由借助于在研磨工序中施加的力而能够变形的材质形成。
9.根据权利要求8所述的承载头，其中，
所述卡环由非金属材质形成。
10.根据权利要求8所述的承载头，其中，
所述卡环由聚醚醚酮(peek)、聚苯硫醚(PolyPhenyleneSulfide；PPS)中的一种以上的塑料材质形成。
11.根据权利要求1所述的承载头，其中，
包括护圈，其沿所述基板的半径方向配置于所述卡环的外侧。
12.根据权利要求11所述的承载头，其中，
所述护圈结合于所述承载头本体。
13.根据权利要求11所述的承载头，其中，
所述护圈的下表面被配置成，从所述研磨垫的上表面隔开。
14.根据权利要求11所述的承载头，其中，
所述护圈被配置成，从所述卡环的外侧面隔开。
15.根据权利要求11所述的承载头，其中，
所述卡环包括：形成所述卡环的外侧面的竖直外侧部；以及连接于所述竖直外侧部的下部并朝向所述隔膜倾斜的倾斜外侧部，
所述护圈包括：与所述竖直外侧部对应的竖直引导部以及与所述倾斜外侧部对应的倾斜引导部。
16.根据权利要求11所述的承载头，其中，
包括约束部，其相对于所述护圈，约束所述卡环。
17.根据权利要求16所述的承载头，其中，
所述约束部允许所述卡环相对于所述护圈的上下移动，并约束所述卡环相对于所述护圈的旋转。
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙准晧，申盛皓，
申请(专利权)人：凯斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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