用于化学气相沉积装置中生长碳纳米管阵列的石英舟结构制造方法及图纸

技术编号:24605186 阅读:118 留言:0更新日期:2020-06-21 06:38
本实用新型专利技术公开了一种用于化学气相沉积装置中生长碳纳米管阵列的石英舟结构。所述的石英舟结构包括石英舟主体和在石英舟主体表面的多个卡槽,卡槽中用来放置生长碳纳米管阵列的基底;卡槽为布置于石英舟主体上表面的截面为U形的条形槽,条形槽的两端非封闭,多个卡槽相平行间隔布置且位于石英舟主体上表面的中部。本实用新型专利技术解决了在化学气相沉积装置用、双面生长碳纳米管阵列时,基底两面生长的碳纳米管阵列形貌不一致的问题。

Quartz boat structure for the growth of carbon nanotube arrays in CVD device

【技术实现步骤摘要】
用于化学气相沉积装置中生长碳纳米管阵列的石英舟结构
本技术涉及了一种化学制备的石英舟结构,尤其是涉及一种用于化学气相沉积装置中生长碳纳米管阵列的石英舟结构。
技术介绍
碳纳米管是一种由碳原子组成的直径为纳米量级的碳管,在碳纳米管石墨层中央部份都是六元环,而在末端或转折部份则有五元环或七元环。碳纳米管是在1991年由Iijima在电弧放电的产物中首次发现的,发表在1991年出版的Nature354,56。碳纳米管的特殊结构决定了其具有优良的综合力学性能,如高弹性模量、高杨氏模量和低密度,以及优异的电学性能、热学性能和吸附性能。随着碳纳米管的长度、直径和螺旋方式的变化,碳纳米管可呈现出金属性或半导体性质。由于碳纳米管的优异特性,因此可望其在纳米电子学、材料科学、生物学、化学等领域中发挥重要作用。目前制备碳纳米管的方法主要有电弧放电法、脉冲激光蒸发法及化学气相沉积法几种。化学气相沉积作为一种常用的方法,在基底双面同时生长碳纳米管阵列时,上下表面的碳管形貌通常相差较大。这是由于常用的石英舟无法使基底上下表面处在相同的生长环境下,导致上下表面的碳管生长不一致。
技术实现思路
为了解决
技术介绍
中存在的问题,主要解决在使用化学气相沉积双面生长碳纳米管阵列时基底上下表面的碳管形貌不一致的问题,本技术提出了一种特殊的石英舟结构,提供了基底片在化学气相沉积中相同的生长环境,有效解决了碳纳米管阵列上下表面形貌不一致的问题,能够用于在化学气相沉积装置中双面生长碳纳米管阵列。本技术采用的技术方案如下:所述的石英舟结构包括石英舟主体和在石英舟主体表面的多个卡槽,卡槽中用来放置生长碳纳米管阵列的基底;卡槽为布置于石英舟主体上表面的截面为U形的条形槽,条形槽的两端非封闭,多个卡槽相平行间隔布置且位于石英舟主体上表面的中部。所述的石英舟主体表面布置有三个卡槽。所述的石英舟主体为上端开口的方形壳体结构。所述的石英舟主体的长10厘米,宽4厘米,高1厘米,外壁宽0.4厘米。所述的卡槽长7厘米,高度低于1厘米,单个卡槽的槽宽为0.1-0.2厘米。本技术的有益效果是:与现有的石英舟相比,本技术公开的石英舟结构,用于实现基底上下表面生长环境的一致性,解决了在基底双面同时生长碳纳米管阵列时,上下表面的碳管形貌通常相差较大的问题,能够用于实现改善在化学气相沉积装置中生长碳纳米管阵列时上下表面形貌的一致性。附图说明图1为实施例制成的石英舟结构示意图。图1(a)为实施例制成的石英舟结构俯视图。图1(b)为实施例制成的石英舟结构侧视图之一。图1(c)为实施例制成的石英舟结构侧视图之二。图中:石英舟主体1、卡槽2。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步说明。本技术主要结构包括石英舟主体和在主体正面的三个卡槽,下面结合附图说明本技术提出的石英舟结构的使用方法。如图1所示,具体实施的石英舟结构包括石英舟主体1和在石英舟主体1表面的多个卡槽2,卡槽中用来放置生长碳纳米管阵列的基底;卡槽为布置于石英舟主体1上表面的截面为U形的条形槽,条形槽的两端非封闭,多个卡槽相平行间隔布置且位于石英舟主体1上表面的中部。石英舟结构其尺寸可放置在化学气相沉积设备的石英管中。石英舟主体1表面布置有三个卡槽,卡槽2长7厘米,高度低于1厘米,单个卡槽的槽宽为0.1-0.2厘米,壁厚0.2cm。石英舟主体1为上端开口的方形壳体结构。石英舟主体1的长10厘米,宽4厘米,高1厘米,外壁宽0.4厘米,壁厚0.4cm。具体实施中,把基底薄片垂直插入到石英舟主体中的卡槽中即可。不同于传统的石英舟,基底薄片垂直于化学气相沉积设备的反应腔内,可使得上下表面的生长环境完全一致。同时,三个卡槽的设计可以支持多个基底插入同时生长,提高了单次生长碳纳米管的产品数量。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于化学气相沉积装置中生长碳纳米管阵列的石英舟结构,其特征在于:所述的石英舟结构包括石英舟主体(1)和在石英舟主体(1)表面的多个卡槽(2),卡槽中用来放置生长碳纳米管阵列的基底;卡槽为布置于石英舟主体(1)上表面的截面为U形的条形槽,条形槽的两端非封闭,多个卡槽相平行间隔布置且位于石英舟主体(1)上表面的中部;/n所述的石英舟主体(1)为上端开口的方形壳体结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积装置中生长碳纳米管阵列的石英舟结构,其特征在于:所述的石英舟结构包括石英舟主体(1)和在石英舟主体(1)表面的多个卡槽(2),卡槽中用来放置生长碳纳米管阵列的基底;卡槽为布置于石英舟主体(1)上表面的截面为U形的条形槽,条形槽的两端非封闭,多个卡槽相平行间隔布置且位于石英舟主体(1)上表面的中部;
所述的石英舟主体(1)为上端开口的方形壳体结构。


2.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积装置中生长碳纳...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪小知张亮沈龙胡海洋
申请(专利权)人:杭州英希捷科技有限责任公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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