芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片制造技术

本实用新型专利技术涉及芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，包括设于芯片上的硅片一侧的挡片本体，所述挡片本体包括外部的环形支撑片和中间用于遮住芯片上光刻图案的遮挡部，所述中间的遮挡部与外部的环形支撑片之间通过若干条凸起的筋连接在一起。本实用新型专利技术提出的芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，在铝蒸发时可以很好的保护芯片上的光刻图案，避免蒸上铝，省去了后续的二次光刻工艺，减少了工序成本和时间成本。

The protection plate for evaporation of chip secondary lithography

【技术实现步骤摘要】
芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片
本技术涉及半导体制造
，特别是涉及芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片。
技术介绍
铝蒸发是芯片制作过程中极为重要的工艺，该工艺的优劣会直接关系到芯片的成品率及后续成品的可靠性，目前现有的芯片制造工艺流程中，由于铝蒸发会导致芯片中间的光刻图案无法保护，蒸上铝，在蒸发后需要二次光刻剥离残留的铝，增加了后续的工序成本和时间成本。
技术实现思路
为了克服现有技术的上述不足，本技术提出了芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，解决现有芯片在蒸发时无法保护光刻图案，需要二次光刻增加成本的技术问题。本技术是通过以下技术方案实现的：芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，包括设于芯片上的硅片一侧的挡片本体，所述挡片本体包括外部的环形支撑片和中间用于遮住芯片上光刻图案的遮挡部，所述中间的遮挡部与外部的环形支撑片之间通过若干条凸起的筋连接在一起。进一步的，所述中间的遮挡部与外部的环形支撑片在同一平面。进一步的，所述芯片包括钼片、硅片及设于所述钼片、硅片之间的铝箔，所述硅片上设有用于放置挡片本体的定位环，当所述挡片本体放在定位环内时，所述挡片本体的各个侧壁均与所述定位环的环壁紧密贴合。进一步的，所述中间的遮挡部与外部的环形支撑片之间通过三条凸起的筋连接在一起。与现有技术相比，本技术的有益效果在于：本技术提出的芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，在铝蒸发时可以很好的保护芯片上的光刻图案，避免蒸上铝，省去了后续的二次光刻工艺，减少了工序成本和时间成本。>附图说明图1为本技术实施例所述的芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片的结构示意图；图2为本技术实施例所述的芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片应用到芯片上的结构示意图；图3为本技术实施例所述芯片的正视图；图4为本技术实施例所述芯片的俯视图。图中：1、挡片本体；2、环形支撑片；3、遮挡部；4、凸起的筋；5、芯片；6、光刻图案；7、硅片；8、铝箔；9、钼片；10、硅橡胶。具体实施方式展示一下实例来具体说明本技术的某些实施例，且不应解释为限制本技术的范围。对本技术公开的内容可以同时从材料、方法和反应条件进行改进，所有这些改进，均应落入本技术的的精神和范围之内。如图1-4所示，芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，包括设于芯片5上的硅片7一侧的挡片本体1，所述挡片本体1包括外部的环形支撑片2和中间用于遮住芯片5上光刻图案6的遮挡部3，所述中间的遮挡部3与外部的环形支撑片2之间通过三条凸起的筋4连接在一起，所述中间的遮挡部3与外部的环形支撑片2在同一平面，厚度为0.2mm；所述凸起的筋4宽度为0.5-0.8mm，高度为1-1.5mm。在本实施例中，所述芯片5包括钼片9、硅片7及设于所述钼片9、硅片7之间的铝箔8，所述硅片7上还设有用于放置挡片本体1的定位环，当所述挡片本体1放在定位环内时，所述挡片本体1的各个侧壁均与所述定位环的环壁紧密贴合，在蒸发锅上朝下，铝蒸发时，被挡片本体1遮住的光刻图案6就蒸不上铝了，避免了后续的二次光刻，减少了工序成本和时间成本。传统的芯片制作流程：硅片镓扩散—硅片氧化—硅片一次光刻—硅片磷扩散—硅片割圆—烧结(硅片、钼片中间夹一层薄铝箔在真空状态下高温加热，铝箔熔化将二者粘在一起)—铝蒸发—合金—二次光刻—磨角—腐蚀(磨角面化学腐蚀、涂硅橡胶10)；在铝蒸发阶段采用本申请的保护挡片之后，省去了二次光刻，具体的工艺制作流程为：硅片镓扩散—硅片氧化—硅片一次光刻—硅片磷扩散—硅片割圆—烧结(硅片、钼片中间夹一层薄铝箔在真空状态下高温加热，铝箔熔化将二者粘在一起)—铝蒸发—合金—磨角—腐蚀(磨角面化学腐蚀、涂硅橡胶10)；综上，采用本申请的铝蒸发用的保护挡片，在铝蒸发时可以很好的保护芯片上的光刻图案，避免蒸上铝，省去了后续的二次光刻工艺，减少了工序成本和时间成本。以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，其特征在于，包括设于芯片(5)上的硅片(7)一侧的挡片本体(1)，所述挡片本体(1)包括外部的环形支撑片(2)和中间用于遮住芯片(5)上光刻图案(6)的遮挡部(3)，所述中间的遮挡部(3)与外部的环形支撑片(2)之间通过若干条凸起的筋(4)连接在一起。/n

【技术特征摘要】
1.芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，其特征在于，包括设于芯片(5)上的硅片(7)一侧的挡片本体(1)，所述挡片本体(1)包括外部的环形支撑片(2)和中间用于遮住芯片(5)上光刻图案(6)的遮挡部(3)，所述中间的遮挡部(3)与外部的环形支撑片(2)之间通过若干条凸起的筋(4)连接在一起。


2.根据权利要求1所述的芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，其特征在于，所述中间的遮挡部(3)与外部的环形支撑片(2)在同一平面。


3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：周新华，
申请(专利权)人：襄阳赛普尔电子有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42