非挥发性存储器的制造方法技术

一种非挥发性存储器的制造方法，包括步骤：在基底（50）上形成栅氧化层（60）；将逻辑栅极多晶硅（10,10'）通过至少两次沉积过程后，形成存储单元的叠层电容；通过蚀刻工艺移除多余的逻辑栅极多晶硅（10,10'），形成存储晶体管和外围逻辑晶体管。本发明专利技术所述方法，通过至少两次沉积形成存储晶体管的叠层电容，于标准逻辑工艺中制造出存储器，使得存储器的制造工艺更简单，与逻辑工艺兼容性好，成本低。

Manufacturing method of nonvolatile memory

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非挥发性存储器的制造方法
本专利技术涉及存储器
，特别涉及一种非挥发性存储器的制造方法。
技术介绍
非挥发性存储器，又称非易失性存储器，简称NVM，是指存储器所存储的信息在电源关掉之后依然能长时间存在，不易丢失，因其具有可多次写入、擦除、断电后不消失的特点，在电子设备中得到广泛应用。目前常用的非挥发性存储器有两种结构，一种是具有隧穿氧化物的可擦除且可程式只读存储体(EPROM with Tunnel Oxide，ETOX)，另一种是在存储单元的一侧串接选择晶体管而形成的两晶体管(2T)结构。随着片上系统SOC的发展，嵌入式存储器得到广泛应用。然而，目前的工艺中，存储单元与标准逻辑器件的制作工艺通常是分开进行的，导致工艺步骤复杂，且基于标准逻辑制程需要增加十几道光罩，增加成本，进而也减少竞争力。
技术实现思路
本专利技术的目的在于改善现有技术中所存在的上述不足，提供一种新的非挥发性存储器的制造方法。为了实现上述专利技术目的，本专利技术实施例提供了以下技术方案：一种非挥发性存储器的制造方法，包括步骤：<br>在基底上形成栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非挥发性存储器的制造方法，其特征在于，包括步骤：/n在基底上形成栅氧化层；/n将逻辑栅极多晶硅通过至少两次沉积过程后，形成存储单元的叠层电容；/n通过蚀刻工艺移除除选择晶体管区域、存储晶体管区域以外的其他区域的逻辑栅极多晶硅，形成选择晶体管和存储晶体管。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种非挥发性存储器的制造方法，其特征在于，包括步骤：
在基底上形成栅氧化层；
将逻辑栅极多晶硅通过至少两次沉积过程后，形成存储单元的叠层电容；
通过蚀刻工艺移除除选择晶体管区域、存储晶体管区域以外的其他区域的逻辑栅极多晶硅，形成选择晶体管和存储晶体管。


根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将逻辑栅极多晶硅通过两次沉积过程后，形成存储单元的叠层电容。


根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将逻辑栅极多晶硅通过两次沉积过程后，形成存储单元的叠层电容，包括以下步骤：
第一次沉积逻辑栅极多晶硅，并移除存储单元区域的部分逻辑栅极多晶硅，形成存储晶体管的浮置栅极；
生成栅间介电层，形成存储晶体管的栅间介电层；
移除选择晶体管区域的栅间介电层；
第二次沉积逻辑栅极多晶硅，形成存储晶体管的控制栅极，两次沉积形成选择晶体管的栅极。


根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第一次沉积的逻辑栅极多晶硅和第二次沉积的逻辑栅极多晶硅的总厚度等于标准逻辑栅极多晶硅的厚度。


根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述移除选择晶体管区域的栅间介电层的步骤通过以下步骤代替：移除选择晶体管区域和外围逻辑晶体管区域的栅间介电层；

所述通过蚀刻工艺移除除选择晶体管区域、存储晶体管区域以外的其他区域的逻辑栅极多晶硅，形成选择晶体管和存储晶体管的步骤通过以下步骤代替：通过蚀刻工艺移除除选择晶体管区域、存储晶体管区域、外围逻辑晶体管区域以外的其他区域的逻辑栅极多晶硅，形成选择晶体管、存储晶体管和外围逻辑晶体管。


根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在基底上形成栅氧化层之前，还包括步骤：在存储单元区域形成隧穿介电层。


根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述移除存储单元区域的部分逻辑栅极多晶硅的步骤中，采用一道光罩通过蚀刻工艺移除存储单元区域的部分逻辑栅极多晶硅。


根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述移除选择晶体管区域的栅间介电层的步骤中，通过干法或湿法蚀刻工艺移除选择晶体管区域的栅间介电层。


根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述移除选择晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁丹，王腾锋，
申请(专利权)人：成都锐成芯微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51