集成芯片及其形成方法技术

本申请的各个实施例涉及一种集成存储器芯片，集成存储器芯片具有用于减小漏电流的增强的器件区布局和扩大的字线蚀刻工艺窗口(例如，增强的字线蚀刻弹性)。在一些实施例中，集成存储器芯片包括衬底、控制栅极、字线和隔离结构。衬底包括第一源极/漏极区。控制栅极和字线位于衬底上。子线位于第一源极/漏极区和控制栅极之间并且与第一源极/漏极区和控制栅极相邻，并且沿着字线的长度伸长。隔离结构延伸到衬底中并且具有第一隔离结构侧壁。第一隔离结构侧壁沿着字线的长度横向延伸并且位于字线下面。本发明专利技术的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。

Integrated chip and its forming method

【技术实现步骤摘要】
集成芯片及其形成方法
本专利技术的实施例涉及集成芯片及其形成方法。
技术介绍
嵌入式闪存是与公共集成电路(IC)芯片上的逻辑器件集成的闪存。该集成通过消除芯片之间的互连结构来提高性能，并通过共享闪存和逻辑器件之间的处理步骤来降低制造成本。某些类型的闪存包括堆叠栅极闪存和分裂栅极闪存。与堆叠栅极闪存相比，分裂栅极闪存具有更低的功耗、更高的注入效率、对短沟道效应的更小的易感性和过擦除抗扰度。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种集成芯片，包括：衬底，包括第一器件区，并且还包括位于所述第一器件区的边缘处的器件区侧壁；隔离结构，位于所述衬底中，其中，所述隔离结构围绕并且划分所述第一器件区，并且还邻接所述器件区侧壁；以及擦除栅极、控制栅极和字线，位于所述第一器件区上并且在第一方向上彼此间隔开，其中，所述控制栅极位于所述擦除栅极和所述字线之间并且与所述擦除栅极和所述字线相邻，并且其中，所述器件区侧壁在垂直于所述第一方向的第二方向上横向延伸并且位于所述字线下方。本专利技术的另一实施例提供了一种集成芯片，包括：衬底，包括第一源本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，包括：/n衬底，包括第一器件区，并且还包括位于所述第一器件区的边缘处的器件区侧壁；/n隔离结构，位于所述衬底中，其中，所述隔离结构围绕并且划分所述第一器件区，并且还邻接所述器件区侧壁；以及/n擦除栅极、控制栅极和字线，位于所述第一器件区上并且在第一方向上彼此间隔开，其中，所述控制栅极位于所述擦除栅极和所述字线之间并且与所述擦除栅极和所述字线相邻，并且其中，所述器件区侧壁在垂直于所述第一方向的第二方向上横向延伸并且位于所述字线下方。/n

【技术特征摘要】
20180927 US 62/737,288;20190501 US 16/400,3611.一种集成芯片，包括：
衬底，包括第一器件区，并且还包括位于所述第一器件区的边缘处的器件区侧壁；
隔离结构，位于所述衬底中，其中，所述隔离结构围绕并且划分所述第一器件区，并且还邻接所述器件区侧壁；以及
擦除栅极、控制栅极和字线，位于所述第一器件区上并且在第一方向上彼此间隔开，其中，所述控制栅极位于所述擦除栅极和所述字线之间并且与所述擦除栅极和所述字线相邻，并且其中，所述器件区侧壁在垂直于所述第一方向的第二方向上横向延伸并且位于所述字线下方。


2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述衬底还包括第二器件区，其中，所述隔离结构在闭合路径中延伸以完全围绕和划分所述第二器件区，并且其中，所述字线位于所述第二器件区上面。


3.根据权利要求2所述的集成芯片，其中，所述衬底还包括分别位于所述第一器件区和所述第二器件区上的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，并且其中，所述第一源极/漏极区位于所述擦除栅极下面，并且其中，所述第二源极/漏极区与所述字线相邻。


4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一器件区在所述第二方向上伸长，并且其中，所述第一器件区在所述第一方向上突出到所述器件区侧壁。


5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一器件区具有位于所述擦除栅极、所述控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨世匡，李秉澄，施宏霖，刘珀玮，黄文铎，许佑凌，才永轩，林佳盛，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71