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本申请的各个实施例涉及一种集成存储器芯片，集成存储器芯片具有用于减小漏电流的增强的器件区布局和扩大的字线蚀刻工艺窗口(例如，增强的字线蚀刻弹性)。在一些实施例中，集成存储器芯片包括衬底、控制栅极、字线和隔离结构。衬底包括第一源极/漏极区。控...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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