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一种非挥发性存储器的制造方法，包括步骤：在基底（50）上形成栅氧化层（60）；将逻辑栅极多晶硅（10,10'）通过至少两次沉积过程后，形成存储单元的叠层电容；通过蚀刻工艺移除多余的逻辑栅极多晶硅（10,10'），形成存储晶体管和外围逻辑晶体...该专利属于成都锐成芯微科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都锐成芯微科技股份有限公司授权不得商用。
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