半导体存储装置和电子设备制造方法及图纸

[问题]本发明专利技术解决提供以下的问题：半导体存储装置，其设置有由于存储器单元的小型化和高集成度而适合的结构；和电子设备。[解决方案]该半导体存储装置设置有：凹部，设置在半导体基板中；铁电膜，沿着凹部的内侧设置；电极，设置在铁电膜上以使得凹部被电极填充；第一导电类型的分离区域，设置在凹部下方的半导体基板中；以及第二导电类型的电极区域，设置在凹部的至少一侧的半导体基板中。

Semiconductor storage devices and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体存储装置和电子设备
本公开涉及半导体存储装置和电子设备。
技术介绍
已知包括在同一基板上设置的n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)和p型MOSFET(pMOSFET)的互补MOS(CMOS)电路是功耗较低、可以执行高速操作并且可以容易地实现小型化和高集成度的电路。因此，CMOS电路被用于大量的大规模集成(LSI)装置中。注意，近年来，这种LSI装置已经作为将模拟电路、存储器、逻辑电路等安装在芯片上的片上系统(SoC)投入生产。LSI装置上安装的存储器例如是静态随机存取存储器(静态RAM：SRAM)等。近年来，为了进一步降低LSI装置的成本和功耗，已经研究了使用动态RAM(DRAM)、磁性RAM(MRAM)、铁电RAM(FeRAM)等代替SRAM。在此，FeRAM是通过使用铁电体的剩余极化方向来存储信息的半导体存储装置。作为FeRAM的结构的示例，例如，提出了包括由铁电材料制成的沟槽型电容器作为存储器单元的结构。例如，以下引用的专利文献1公开了一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括包含设置在沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，包括：/n凹部，设置在半导体基板中；/n铁电膜，沿着凹部的内侧设置；/n电极，设置为从铁电膜上埋入凹部中；/n第一导电类型的分离区域，设置在凹部下方的半导体基板中；和/n第二导电类型的电极区域，设置在凹部的至少一侧的半导体基板中。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171017 JP 2017-2009571.一种半导体存储装置，包括：
凹部，设置在半导体基板中；
铁电膜，沿着凹部的内侧设置；
电极，设置为从铁电膜上埋入凹部中；
第一导电类型的分离区域，设置在凹部下方的半导体基板中；和
第二导电类型的电极区域，设置在凹部的至少一侧的半导体基板中。


2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
分离区域包括第一导电类型的杂质，以及
电极区域包括第二导电类型的杂质，该第二导电类型的杂质的导电类型不同于第一导电类型的杂质的导电类型。


3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述分离区域和所述电极区域包括1×1018个/cm3或更大的浓度的所述第一导电类型的杂质或所述第二导电类型的杂质。


4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
所述电极、所述铁电膜和所述电极区域形成电容器，该电容器通过利用所述铁电膜的极化来存储信息，
所述电极电连接到源极线，并且
所述电极区域经由场效应晶体管的源极和漏极电连接到位线。


5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，所述电容器的电容等于或大于在所述电极区域和所述半导体基板中形成的寄生电容的两倍。


6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，在所述半导体基板上设置有将各个元件区域隔离并在所述半导体基板的面内的第一方向上延伸的元件分离层，在每个元件区域中形成有所述分离区域和所述电极区域。


7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中
所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚本雅则，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP