光刻簇、光刻设备和器件制造方法技术

一种光刻簇包括轨道单元和光刻设备。该光刻设备包括对准传感器和至少一个控制器。该轨道单元被配置为处理第一批次和第二批次。该光刻设备可操作地耦接到该轨道单元。该对准传感器被配置为测量校准晶片的至少一个对准标记类型的对准。至少一个控制器被配置为基于所测量的该至少一个对准标记类型的对准来确定用于校准该光刻设备的校正集合，并且将第一权重校正和第二权重校正应用于该校正集合，以用于分别处理该第一批次和该第二批次，以便使得在处理该第一批次和该第二批次期间的重叠漂移或跳动减少。

Lithography cluster, lithography equipment and device manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻簇、光刻设备和器件制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月1日递交的美国临时专利申请No.62/580,095的优先权，该美国临时专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本申请涉及光刻设备和系统，包括例如光刻簇设备和系统。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，图案化装置(其替代性地称为掩模或掩模版)可以用于产生对应于IC的单层的电路图案，并且该图案能够被成像到具有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个管芯的一部分或多个管芯)上。通常，单一衬底将包括连续曝光的相邻目标部分的网格。已知光刻设备包括：所谓的步进器，其中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，其中，通过在给定方向(“扫描”方向)上利用辐射束扫描图案同时平行或反向平行于该方向同步地扫描衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装置转移到衬底上。为了监测光刻过程，测量经图案化的衬底的参数。该参数例如可以包括形成于经图案化的衬底中或该衬底上的连续层之间的重叠误差以及经显影的感光性抗蚀剂的临界线宽。可以对产品衬底和/或对专用对准标记执行该测量。存在用于进行在光刻过程中形成的显微结构的测量的多种技术，这些技术包括使用扫描电子显微镜以及各种专用工具。快速或非侵入形式的专用检验工具是散射仪，其中，将辐射束引导到衬底表面上的标记上并且测量经散射或反射的束的属性。通过将束在其由衬底反射或散射之前与之后的特性进行比较，能够确定衬底的属性。例如，可以通过将反射束和存储于与已知衬底属性相关联的已知测量库中的数据进行比较来进行该确定。光刻过程的漂移可能随着时间推移而发生。漂移可能是由标记对准、台对准或者它们的某种组合引起的。当对准位置的精确性降低时，可以发现并测量重叠影响。精确且一致的对准改善了重叠，并且批次串流改善了总体生产率。一种改善精确性的方法是制造基准件(即，参考标记)，并且将束相对于该基准件定位。可以在产品衬底的经图案化的标记或专用对准标记的基准件上测量对准模块的漂移。然后，可以将校正应用于产品衬底的标准参考标记或对准标记。利用这些校准结构完成校准，目的是该校准对于在各种应用结构上的测量将仍然有效。然而，在通过光刻设备曝光之前减少漂移的校准操作可能是耗时的并且降低生产量。虽然高级对准模型能够模型化和校正对准位置，但是由于满足重叠或漂移减少要求所需的标记的数目增加而导致显著的费用。此外，如果临界尺寸或层不合格(例如，超过阈值)，则可能发生严重的延迟。此外，将偏移应用于标准参考标记可能导致重叠漂移或跳动。重叠漂移或跳动可能导致产品衬底层的返工和严重的处理延迟。因此，需要在光刻簇中在批次串流期间改善对准精确性以减少重叠漂移或跳动，防止衬底层的返工，避免时间损耗延迟，并且减少批次费用(LOH)以提高系统生产量和生产率。
技术实现思路
在一些实施例中，一种光刻簇包括轨道单元和光刻设备。在一些实施例中，光刻设备包括对准传感器和至少一个控制器。在一些实施例中，轨道单元被配置为处理包括多个第一晶片的第一批次和包括多个第二晶片的第二批次。在一些实施例中，光刻设备可操作地耦接到轨道单元。在一些实施例中，对准传感器被配置为测量校准晶片的至少一个对准标记类型的对准。在一些实施例中，至少一个控制器被配置为基于所测量的至少一个对准标记类型的对准来确定用于校准光刻设备的校正集合。在一些实施例中，至少一个控制器被配置为将第一权重校正应用于该校正集合，以用于处理第一批次。在一些实施例中，至少一个控制器被配置为将第二权重校正应用于该校正集合，以用于处理第二批次。在一些实施例中，第二权重校正大于或等于第一权重校正。在一些实施例中，使用于处理第一批次和第二批次的重叠漂移或跳动减少。在一些实施例中，轨道单元进一步被配置为串流和处理校准晶片。在一些实施例中，校准晶片是经蚀刻且未经涂覆的晶片。在一些实施例中，校准晶片是经涂覆的。在一些实施例中，光刻设备包括对准传感器。在一些实施例中，光刻设备还包括检验装置。在一些实施例中，光刻设备包括该检验装置。在一些实施例中，轨道单元包括该检验装置。在一些实施例中，至少一个控制器包括被配置为确定校正集合的第一控制器以及被配置为控制至少一个对准传感器与轨道单元和光刻设备中的一者的第二控制器。在一些实施例中，至少一个控制器包括控制器，该控制器被配置为确定校正集合及控制至少一个对准传感器并控制轨道单元和光刻设备中的至少一者。在一些实施例中，第一批次和第二批次被实时地处理。在一些实施例中，其中，轨道单元和光刻设备被配置为串流第一批次和第二批次，以使得处理第二批次的开始时间发生在处理第一批次的完成时间之前。在一些实施例中，对准传感器测量校准晶片的至少一个对准标记类型的对准，而校准晶片在第一批次和第二批次之前串流。在一些实施例中，校准晶片的至少一个对准标记类型包括双向精细晶片对准(BF)标记。在一些实施例中，校准晶片的至少一个对准标记类型包括对称精细晶片对准(SF)标记。在一些实施例中，应用第一权重校正和应用第二权重校正各自包括实施应用特定校正(ASC)、动态应用特定校正(ASC2)、应用过程校正(APC)、内部APC回路、或者它们的某种组合。在一些实施例中，第一权重校正是约0％至100％，并且第二权重校正是约0％至100％。在一些实施例中，第一权重校正和第二权重校正可以各自是约15％至75％。在一些实施例中，第二权重校正大于或等于第一权重校正。在一些实施例中，校正集合包括例如选配方案、层、标记类型、扫描速度、场布局、多个标记位置、经对准的位置、或者它们的某种组合。检验装置能够并行测量第一权重校正的第一重叠影响。在一些实施例中，检验装置能够在光刻设备外部并且在对准传感器测量对准精确性的同时检查重叠影响。在一些实施例中，光刻簇被配置为通过串流校准而减小LOH。例如，对准传感器可校准经串流校准晶片之标记类型偏移以确定校正集合。例如，权重校正可以作为对准位置偏移应用于对准传感器测量以减少在批次串流期间的重叠漂移或跳动从而改善生产率并减少LOH。在一些实施例中，一种用于减少光刻簇中的重叠漂移或跳动的方法包括：使用对准传感器测量校准晶片的至少一个对准标记类型的对准。在一些实施例中，该方法包括：使用至少一个控制器基于所测量的至少一个对准标记类型的对准来确定校正集合。在一些实施例中，该方法包括：使用光刻设备通过将第一权重校正应用于校正集合来处理包括多个第一晶片的第一批次以及通过将第二权重校正应用于校正集合来处理包括多个第二晶片的第二批次。在一些实施例中，处理包括串流第一批次和第二批次，以使得第二批次的开始时间发生在第一批次的完成时间之前。在一些实施例中，处理实时地发生。在一些实施例中，用于减少光刻簇中的重叠漂移或跳动的方法还包括：在第一批次和第二批次之前串流校准晶片，以使得处理第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻簇，包括：/n轨道单元，该轨道单元被配置为处理包括多个第一晶片的第一批次和包括多个第二晶片的第二批次，和/n光刻设备，该光刻设备操作地耦接到该轨道单元，该光刻设备包括：/n对准传感器，该对准传感器被配置为测量校准晶片的至少一个对准标记类型的对准；以及/n至少一个控制器，该至少一个控制器被配置为：/n基于所测量的该至少一个对准标记类型的对准来确定用于校准该光刻设备的校正集合，/n将第一权重校正应用于该校正集合以用于处理该第一批次，和/n将第二权重校正应用于该校正集合以用于处理该第二批次，该第二权重校正大于或等于该第一权重校正，使得在处理该第一批次和该第二批次期间的重叠漂移或跳动减少。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171101 US 62/580,0951.一种光刻簇，包括：
轨道单元，该轨道单元被配置为处理包括多个第一晶片的第一批次和包括多个第二晶片的第二批次，和
光刻设备，该光刻设备操作地耦接到该轨道单元，该光刻设备包括：
对准传感器，该对准传感器被配置为测量校准晶片的至少一个对准标记类型的对准；以及
至少一个控制器，该至少一个控制器被配置为：
基于所测量的该至少一个对准标记类型的对准来确定用于校准该光刻设备的校正集合，
将第一权重校正应用于该校正集合以用于处理该第一批次，和
将第二权重校正应用于该校正集合以用于处理该第二批次，该第二权重校正大于或等于该第一权重校正，使得在处理该第一批次和该第二批次期间的重叠漂移或跳动减少。


2.如权利要求1所述的光刻簇，其中，该轨道单元进一步被配置为串流和处理该校准晶片。


3.如权利要求1所述的光刻簇，其中，该校准晶片是经蚀刻且未经涂覆的晶片。


4.如权利要求1所述的光刻簇，其中，该校准晶片是经涂覆的。


5.如权利要求1所述的光刻簇，其中，该轨道单元和该光刻设备被配置为串流该第一批次和该第二批次，以使得处理该第二批次的开始时间发生在处理该第一批次的完成时间之前。


6.如权利要求1所述的光刻簇，其中，该对准传感器测量该校准晶片的至少一个对准标记类型的对准，而该校准晶片在该第一批次和该第二批次之前串流。


7.如权利要求1所述的光刻簇，其中，该校准晶片的至少一个对准标记类型包括双向精细晶片对准(BF)标记。...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·采马，E·B·凯蒂，J·D·康妮，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL