光刻簇、光刻设备和器件制造方法技术

一种光刻簇包括轨道单元和光刻设备。该光刻设备包括对准传感器和至少一个控制器。该轨道单元被配置为处理第一批次和第二批次。该光刻设备可操作地耦接到该轨道单元。该对准传感器被配置为测量校准晶片的至少一个对准标记类型的对准。至少一个控制器被配置为基于所测量的该至少一个对准标记类型的对准来确定用于校准该光刻设备的校正集合，并且将第一权重校正和第二权重校正应用于该校正集合，以用于分别处理该第一批次和该第二批次，以便使得在处理该第一批次和该第二批次期间的重叠漂移或跳动减少。

Lithography cluster, lithography equipment and device manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻簇、光刻设备和器件制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月1日递交的美国临时专利申请No.62/580,095的优先权，该美国临时专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本申请涉及光刻设备和系统，包括例如光刻簇设备和系统。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，图案化装置(其替代性地称为掩模或掩模版)可以用于产生对应于IC的单层的电路图案，并且该图案能够被成像到具有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个管芯的一部分或多个管芯)上。通常，单一衬底将包括连续曝光的相邻目标部分的网格。已知光刻设备包括：所谓的步进器，其中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，其中，通过在给定方向(“扫描”方向)上利用辐射束扫描图案同时平行或反向平行于该方向同步地扫描衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装置转移到衬底上。为了监测光刻过程，测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻簇，包括：/n轨道单元，该轨道单元被配置为处理包括多个第一晶片的第一批次和包括多个第二晶片的第二批次，和/n光刻设备，该光刻设备操作地耦接到该轨道单元，该光刻设备包括：/n对准传感器，该对准传感器被配置为测量校准晶片的至少一个对准标记类型的对准；以及/n至少一个控制器，该至少一个控制器被配置为：/n基于所测量的该至少一个对准标记类型的对准来确定用于校准该光刻设备的校正集合，/n将第一权重校正应用于该校正集合以用于处理该第一批次，和/n将第二权重校正应用于该校正集合以用于处理该第二批次，该第二权重校正大于或等于该第一权重校正，使得在处理该第一批次和该第二批次期间的重叠漂移或跳动减少。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171101 US 62/580,0951.一种光刻簇，包括：
轨道单元，该轨道单元被配置为处理包括多个第一晶片的第一批次和包括多个第二晶片的第二批次，和
光刻设备，该光刻设备操作地耦接到该轨道单元，该光刻设备包括：
对准传感器，该对准传感器被配置为测量校准晶片的至少一个对准标记类型的对准；以及
至少一个控制器，该至少一个控制器被配置为：
基于所测量的该至少一个对准标记类型的对准来确定用于校准该光刻设备的校正集合，
将第一权重校正应用于该校正集合以用于处理该第一批次，和
将第二权重校正应用于该校正集合以用于处理该第二批次，该第二权重校正大于或等于该第一权重校正，使得在处理该第一批次和该第二批次期间的重叠漂移或跳动减少。


2.如权利要求1所述的光刻簇，其中，该轨道单元进一步被配置为串流和处理该校准晶片。


3.如权利要求1所述的光刻簇，其中，该校准晶片是经蚀刻且未经涂覆的晶片。


4.如权利要求1所述的光刻簇，其中，该校准晶片是经涂覆的。


5.如权利要求1所述的光刻簇，其中，该轨道单元和该光刻设备被配置为串流该第一批次和该第二批次，以使得处理该第二批次的开始时间发生在处理该第一批次的完成时间之前。


6.如权利要求1所述的光刻簇，其中，该对准传感器测量该校准晶片的至少一个对准标记类型的对准，而该校准晶片在该第一批次和该第二批次之前串流。


7.如权利要求1所述的光刻簇，其中，该校准晶片的至少一个对准标记类型包括双向精细晶片对准(BF)标记。...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·采马，E·B·凯蒂，J·D·康妮，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL