门极驱动电路、充电装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例公开了一种门极驱动电路，包括：整流电路、供能电路、放大电路、电阻器、MOS管和变压器；变压器的第一端连接放大电路的第一端和整流电路的第一端，变压器的第二端连接MOS管的源极和供能电路的第二端；整流电路的第二端连接供能电路的第一端和放大电路的第二端；放大电路的第三端连接电阻器的第一端；电阻器的第二端连接MOS管的栅极；MOS管的漏极连接外接电路；变压器用于产生驱动信号，整流电路用于控制供能电路进行充电，放大电路用于对供能电路输出的信号和变压器产生的驱动信号进行放大，放大电路输出的信号用于对MOS管进行驱动，实施本实用新型专利技术实施例，可以有效增强变压器对MOSFET门极驱动电路提供的驱动能力。

Gate drive circuit, charging device

【技术实现步骤摘要】
门极驱动电路、充电装置
本技术涉及电子
，尤其涉及一种门极驱动电路、一种充电装置。
技术介绍
随着开关电源以及电机控制技术的发展，金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)门极驱动电路也随之发展，市场出现了各式各样的MOSFET门极驱动电路。驱动电路的作用是通过一个低压的信号控制MOSFET的通断操作。参见图1，如图1所示，现有的变压器一般在绕制时有两种绕法，一种为原副线并绕，一种为原副线单绕。原副线并绕时，耦合度高，漏感小，驱动能力大，但产生的共模电压较大；原副线单绕时，漏感大，驱动能力较小，共模电压小。常见的门极驱动电路如图2所示，此电路有如下缺点：由于驱动变压器T1采用原副线单绕的绕制方法，因此变压器T1存在较大漏感，电压较小，所以变压器T1对MOSFET门极驱动电路提供的驱动能力小，无法导通驱动电路中的金属-氧化物-半导体管(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)从而为外接电路提供能量。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种门极驱动电路，其特征在于，所述门极驱动电路包括：整流电路、供能电路、放大电路、电阻器、MOS管和变压器；/n所述变压器的第一端连接所述放大电路的第一端和所述整流电路的第一端，所述变压器的第二端连接所述MOS管的源极和所述供能电路的第二端；/n所述整流电路的第二端连接所述供能电路的第一端和所述放大电路的第二端；/n所述放大电路的第三端连接所述电阻器的第一端；/n所述电阻器的第二端连接所述MOS管的栅极；/n所述MOS管的漏极连接外接电路；/n所述变压器用于产生驱动信号，当所述驱动信号流经所述整流电路时，所述整流电路用于控制所述供能电路进行充电，所述放大电路用于对所述供能电路输出的信号和所...

【技术特征摘要】
1.一种门极驱动电路，其特征在于，所述门极驱动电路包括：整流电路、供能电路、放大电路、电阻器、MOS管和变压器；
所述变压器的第一端连接所述放大电路的第一端和所述整流电路的第一端，所述变压器的第二端连接所述MOS管的源极和所述供能电路的第二端；
所述整流电路的第二端连接所述供能电路的第一端和所述放大电路的第二端；
所述放大电路的第三端连接所述电阻器的第一端；
所述电阻器的第二端连接所述MOS管的栅极；
所述MOS管的漏极连接外接电路；
所述变压器用于产生驱动信号，当所述驱动信号流经所述整流电路时，所述整流电路用于控制所述供能电路进行充电，所述放大电路用于对所述供能电路输出的信号和所述变压器产生的驱动信号进行放大，所述放大电路输出的信号用于对所述MOS管进行驱动，所述电阻器用于对所述放大电路输出的信号进行限流。


2.根据权利要求1所述的门极驱动电路，其特征在于，
所述变压器包括第一线圈和第二线圈，所述第一线圈包括第一端和第二端，所述第二线圈包括第一端和第二端，所述第一线圈的第一端和所述第二线圈的第一端为同名端，所述变压器的第一端为所述第二线圈的第一端，所述变压器的第二端为所述第二线圈的第二端。


3.根据权利要求2所述的门极驱动电路，其特征在于，所述整流电路包括第一整流二极管和第二整流二极管；所述第二线圈的第一端连接所述第一整流二极管的阴极和所述第二整流二极管的阳极。


4.根据权利要求3所述的门极驱动电路，其特征在于，所述供能电路包括第一电容和第二电容，所述第二线圈的第二端连接所述第一电容的第一端和所述第二电容的第一端，所述第一整流二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：张盘龙，赵德琦，吴壬华，
申请(专利权)人：深圳欣锐科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44