一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，所述低温共烧电介质材料包含氧化锆主相和硅基非晶相填充料，所述氧化锆主相和硅基非晶相填充料的重量之比为：氧化锆主相：硅基非晶相填充料＝40～65：35～60；所述SiO

A low temperature co fired dielectric material with adjustable dielectric constant series and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料及其制备方法
本专利技术属于陶瓷材料
，具体涉及一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料及其制备方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，主动元件的封装已经得到了快速的发展。然而在实际器件应用中，被动元件(电容、电感等)的数量通常比主动元件要多十倍以上。如此大的被动原件的数量制约着器件的小型化发展。低温共烧陶瓷技术因其独特的三维立体结构，已经成为目前最有前景的被动元件封装技术。常用的低温共烧陶瓷材料主要基于微晶玻璃体系和玻璃/陶瓷复合体系。目前对于氧化锆在低温共烧陶瓷材料中的研究主要集中在微晶玻璃体系，即氧化锆作为成核剂来控制玻璃的晶化。对于不同组分的玻璃，加入的氧化锆的含量通常在1％～10％，而且一般存在最佳值。如果偏离这个最佳值，则会引起明显的性能退化，所以样品的介电常数相对单一。对于玻璃/陶瓷复合体系，其中的玻璃主要用来降低烧结温度，而陶瓷材料主要决定烧结后的性能。I.Choi等人曾尝试将ZrO2作为陶瓷填充材料与钙铝硼硅酸盐玻璃主相(由熔融-淬火法制备主相共烧，所得的样品介电常数在9左右，而且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，其特征在于，所述低温共烧电介质材料包含氧化锆主相和硅基非晶相填充料，所述氧化锆主相和硅基非晶相填充料的重量之比为：氧化锆主相：硅基非晶相填充料＝40～65：35～60；所述SiO

【技术特征摘要】
1.一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，其特征在于，所述低温共烧电介质材料包含氧化锆主相和硅基非晶相填充料，所述氧化锆主相和硅基非晶相填充料的重量之比为：氧化锆主相：硅基非晶相填充料＝40～65：35～60；所述SiO2在所述硅基非晶相填充料中的重量百分含量≥50％。


2.如权利要求1所述介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，其特征在于，所述低温共烧电介质材料包含以下重量百分含量的组分：ZrO240％～65％、SiO227.03％～46.33％、Na2O0.27％～0.46％、K2O1.23％～2.11％、CaO0.73％～1.26％和B2O35.73％～9.83％。


3.如权利要求1或2所述介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，其特征在于，所述氧化锆主相为晶态或者非晶态。


4.如权利要求1或2所述介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，其特征在于，所述硅基非晶相填充料为玻璃或者非晶相的混合物。


5.如权利要求2所述介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，其特征在于，所述硅基非晶相填充料中，Na和K的原子比为：Na/K＝1:2～4。


6.如权利要求2所述介电常数系列可调的低...

【专利技术属性】
技术研发人员：沓世我，王小舟，陈涛，刘芸，特里·詹姆士·弗朗科姆，付振晓，曹秀华，胡春元，
申请(专利权)人：广东风华高新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44