一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，所述低温共烧电介质材料包含氧化锆主相和硅基非晶相填充料，所述氧化锆主相和硅基非晶相填充料的重量之比为：氧化锆主相：硅基非晶相填充料＝40～65：35～60；所述SiO

A low temperature co fired dielectric material with adjustable dielectric constant series and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料及其制备方法
本专利技术属于陶瓷材料
，具体涉及一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料及其制备方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，主动元件的封装已经得到了快速的发展。然而在实际器件应用中，被动元件(电容、电感等)的数量通常比主动元件要多十倍以上。如此大的被动原件的数量制约着器件的小型化发展。低温共烧陶瓷技术因其独特的三维立体结构，已经成为目前最有前景的被动元件封装技术。常用的低温共烧陶瓷材料主要基于微晶玻璃体系和玻璃/陶瓷复合体系。目前对于氧化锆在低温共烧陶瓷材料中的研究主要集中在微晶玻璃体系，即氧化锆作为成核剂来控制玻璃的晶化。对于不同组分的玻璃，加入的氧化锆的含量通常在1％～10％，而且一般存在最佳值。如果偏离这个最佳值，则会引起明显的性能退化，所以样品的介电常数相对单一。对于玻璃/陶瓷复合体系，其中的玻璃主要用来降低烧结温度，而陶瓷材料主要决定烧结后的性能。I.Choi等人曾尝试将ZrO2作为陶瓷填充材料与钙铝硼硅酸盐玻璃主相(由熔融-淬火法制备主相共烧，所得的样品介电常数在9左右，而且介电损耗偏高(tanδ＝0.006)。总的来说，尽管有研究者对氧化锆在低温共烧陶瓷中的应用做了一些研究和探索，但这些产品的介电常数相对单一，由于玻璃相的高介电成分太高，从而使整个材料系统无法实现介电常数可连续调控。在低温共烧陶瓷材料的集成模块中常包含不同介电常数的材料，如果这些材料都是基于不同的材料体系，那么在共烧时由于它们之间烧结特性的不同，往往会引发层裂、翘曲等缺陷。但如果能基于同一材料体系开发出介电常数系列可调的配方，则可以有效地避免这类问题。另外，目前基于玻璃/陶瓷复合的LTCC材料中，几乎所有的玻璃都是由熔融-淬火法制得。这种方法有两个主要的弊端：一是因为玻璃中一些易挥发的组分，比如B2O3和Bi2O3，使得到的玻璃粉与最初设计的组分有偏差，进而导致最终样品性能不及预期效果；另一个是这种方法并不适用于制备所有玻璃，比如CaO-SiO2玻璃等。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料及其制备方法。为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，所述低温共烧电介质材料包含氧化锆主相和硅基非晶相填充料，所述氧化锆主相和硅基非晶相填充料的重量之比为：氧化锆主相：硅基非晶相填充料40～65：35～60；所述SiO2在所述硅基非晶相填充料中的重量百分含量≥50％。氧化锆主相和硅基非晶相填充料组成的低温共烧电介质材料介电常数可调性增强，可实现介电常数在7～12的调控。优选地，所述低温共烧电介质材料包含以下重量百分含量的组分：ZrO240％～65％、SiO227.03％～46.33％、Na2O0.27％～0.46％、K2O1.23％～2.11％、CaO0.73％～1.26％和B2O35.73％～9.83％。该材料体系具有相似的烧结特性，共烧时可以避免层裂、翘曲等缺陷。优选地，所述氧化锆主相为晶态或者非晶态。单斜ZrO2(～20)和非晶ZrO2(～22)的介电常数接近，选择任意一种或两种都能实现介电常数在7～12的调控。优选地，所述硅基非晶相填充料为玻璃或者非晶相的混合物。选用硅基非晶相则不需要经过高温熔融过程，可以避免B2O3的挥发。优选地，所述硅基非晶相填充料中，Na和K的原子比为：Na/K＝1:2～4。在上述比值下可以减少介电损耗。优选地，所述硅基非晶相填充料中Al元素的重量百分含量≤0.01％。优选地，所述ZrO2的颗粒尺寸为0.5μm～10μm。在ZrO2的颗粒尺寸范围内的比表面积合适，在该配比下能实现介电常数系列可调的低温共烧电介质材料的制备。更优选地，所述ZrO2的颗粒尺寸为1μm～5μm。所述硅基非晶相填充料可以由各组分的混合而成，也可以由湿化学法制备。优选地，所述硅基非晶相填充料的制备方法包括以下步骤：S1：将正硅酸乙酯溶于酒精和去离子水的混合溶液中；S2:调节溶液pH至1～3；S3:加入玻璃粉元素对应的盐，在60～80℃加热并搅拌均匀；S4:调节溶液pH至6～8使其凝胶，将凝胶烘干并在600～750℃煅烧，即得所述玻璃粉。传统的熔融-淬火法制备的玻璃的组分往往会与最初设计的玻璃组分有偏差，这主要是由于玻璃中一些易挥发的组分在高温熔融过程中的挥发，比如B2O3和Bi2O3。采用上述方法可以在低温条件下(～700℃)合成硅基非晶相填充料，可有效抑制这些组分的挥发，使得合成的硅基非晶相填充料更接近设计的组分。所述硅基非晶相填充料的制备方法中涉及的除硅以外其他元素对应的盐，优选可溶性盐，可以为Na、K、Ca、B的硝酸盐、醋酸盐等。优选地，步骤S1中，所述正硅酸乙酯、酒精和去离子水的体积比为：1：5～15：1。本专利技术的目的还在于提供所述介电常数系列可调的低温共烧电介质材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将硅基非晶相填充料和氧化锆主相按比例混合球磨6～24小时，然后在800～900℃下烧结，得所述介电常数系列可调的低温共烧陶瓷材料。本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供了一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，本专利技术通过控制氧化锆主相和硅基非晶相填充料的比例，所得材料的介电常数在7～12较宽的范围内连续可调，而且介电损耗可低至0.1％@1MHz。该材料体系可在800～900℃烧结，能够与银电极兼容共烧，可以用作低温共烧电介质材料。附图说明图1为实施例1～4所述样品的介电性能(@1MHz)；图2中，图(a)为实施例3中银电极与粉末干压成的生片在850℃共烧后的横截面的SEM图(b)为图(a)中各点位置的银含量。具体实施方式为更好的说明本专利技术的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本专利技术作进一步说明。实施例1本专利技术所述低温共烧电介质材料的制备方法的一种实施例，本实施例所述低温共烧电介质材料的制备方法包括以下步骤：将9.3mL的正硅酸乙酯溶于酒精(100mL)和去离子水(9.3mL)的混合溶液中；为促进水解，加入硝酸调节溶液pH至1左右并搅拌；待溶液澄清后，加入0.07gNaNO3、0.24gKNO3、0.28gCa(NO3)2·4H2O和0.92gHBO3溶液，剧烈搅拌并在75℃加热，然后加入氨水调节pH至7左右形成凝胶，所得凝胶烘干后在700℃煅烧2h，得硅基非晶相填充料；最后称量49.81％的ZrO2(颗粒尺寸为5μm)和50.19％的硅基非晶相填充料进行球磨混料18小时，干燥后在7MPa下干压成片并在850℃烧结，得所述低温共烧陶瓷材料。本实施例制得的低温共烧电介质材料的介电性能如图1所示，介电常数为8.89@1MHz，介电损耗为0.0012@1MHz。本实施例所述低温共烧电介质材料与银电极共烧后结合紧密，没有发生层裂、翘曲等现象。实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，其特征在于，所述低温共烧电介质材料包含氧化锆主相和硅基非晶相填充料，所述氧化锆主相和硅基非晶相填充料的重量之比为：氧化锆主相：硅基非晶相填充料＝40～65：35～60；所述SiO

【技术特征摘要】
1.一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，其特征在于，所述低温共烧电介质材料包含氧化锆主相和硅基非晶相填充料，所述氧化锆主相和硅基非晶相填充料的重量之比为：氧化锆主相：硅基非晶相填充料＝40～65：35～60；所述SiO2在所述硅基非晶相填充料中的重量百分含量≥50％。


2.如权利要求1所述介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，其特征在于，所述低温共烧电介质材料包含以下重量百分含量的组分：ZrO240％～65％、SiO227.03％～46.33％、Na2O0.27％～0.46％、K2O1.23％～2.11％、CaO0.73％～1.26％和B2O35.73％～9.83％。


3.如权利要求1或2所述介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，其特征在于，所述氧化锆主相为晶态或者非晶态。


4.如权利要求1或2所述介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，其特征在于，所述硅基非晶相填充料为玻璃或者非晶相的混合物。


5.如权利要求2所述介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，其特征在于，所述硅基非晶相填充料中，Na和K的原子比为：Na/K＝1:2～4。


6.如权利要求2所述介电常数系列可调的低...

【专利技术属性】
技术研发人员：沓世我，王小舟，陈涛，刘芸，特里·詹姆士·弗朗科姆，付振晓，曹秀华，胡春元，
申请(专利权)人：广东风华高新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44