工艺腔室及半导体加工设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种工艺腔室及半导体加工设备，包括腔体、基座和隔热密封组件，其中，基座设置在腔体中，基座包括加热盘和用于支撑加热盘的柱状环体，柱状环体的一端与加热盘的底壁连接，另一端贯穿腔体的底壁，并延伸至腔体的外部；隔热密封组件环绕套设在柱状环体的外侧，且隔热密封组件的一端与柱状环体远离加热盘的一端之间通过第一密封圈进行密封连接，另一端与腔体的底壁之间通过第二密封圈进行密封连接。本实用新型专利技术提供的工艺腔室及半导体加工设备能够使第一密封圈和第二密封圈受到的温度降低，使用寿命增加，维护次数减少，使用成本降低，选择范围扩大，从而提高工艺腔室的密封可靠性。

Process chamber and semiconductor processing equipment

【技术实现步骤摘要】
工艺腔室及半导体加工设备
本技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种工艺腔室及半导体加工设备。
技术介绍
目前，在集成电路(IC)的制造工艺中，衬底(wafer)经过刻蚀后会进入去胶机中去除残余光刻胶，去胶工艺通常在高温下进行，以提高衬底上光刻胶的氧化速率，从而提高去胶速率。去胶工艺进行时，内部的高温卡盘会对衬底进行加热。根据去胶工艺需求，高温卡盘的设计使用温度一般为250℃～350℃，有些高温卡盘的设计极限加热温度为400℃。如此高温，如果直接传递到腔室壁或卡盘基座上，会直接对密封元件(O-ring)和高温敏感的元器件造成伤害，而且温度大幅度变化会引起材料的热胀冷缩，影响腔室的真空度，造成腔室漏真空。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺腔室及半导体加工设备，其能够使第一密封圈和第二密封圈受到的温度降低，使用寿命增加，维护次数减少，使用成本降低，选择范围扩大，从而提高工艺腔室的密封可靠性。为实现本技术的目的而提供一种工艺腔室，包括腔体和设置在所述腔体中的基座，所述基座包括加热盘和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工艺腔室，包括腔体和设置在所述腔体中的基座，其特征在于，所述基座包括加热盘和用于支撑所述加热盘的柱状环体，所述柱状环体的一端与所述加热盘的底壁连接，另一端贯穿所述腔体的底壁，并延伸至所述腔体的外部；/n所述工艺腔室还包括隔热密封组件，所述隔热密封组件环绕套设在所述柱状环体的外侧，且所述隔热密封组件的一端与所述柱状环体远离所述加热盘的一端之间通过第一密封圈进行密封连接，另一端与所述腔体的底壁之间通过第二密封圈进行密封连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，包括腔体和设置在所述腔体中的基座，其特征在于，所述基座包括加热盘和用于支撑所述加热盘的柱状环体，所述柱状环体的一端与所述加热盘的底壁连接，另一端贯穿所述腔体的底壁，并延伸至所述腔体的外部；
所述工艺腔室还包括隔热密封组件，所述隔热密封组件环绕套设在所述柱状环体的外侧，且所述隔热密封组件的一端与所述柱状环体远离所述加热盘的一端之间通过第一密封圈进行密封连接，另一端与所述腔体的底壁之间通过第二密封圈进行密封连接。


2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述隔热密封组件包括隔热筒、第一法兰、第二法兰和多个螺钉，其中，
所述隔热筒环绕套设在所述柱状环体的外侧；
所述第一法兰设置在所述隔热筒一端的外周壁上，所述柱状环体贯穿所述腔体底壁处设置有第一环形凸台，所述第一法兰与所述第一环形凸台相互叠置，并通过所述螺钉相互连接，所述第一密封圈设置在所述第一法兰与所述第一环形凸台之间；
所述第二法兰设置在所述隔热筒另一端的内周壁上，所述柱状环体远离所述加热盘的一端设置有第二环形凸台，所述第二法兰与所述第二环形凸台相互叠置，并通过所述螺钉相互连接，所述第二密封圈...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁艳成，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11