工艺腔室及半导体加工设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种工艺腔室及半导体加工设备，包括腔体、基座和隔热密封组件，其中，基座设置在腔体中，基座包括加热盘和用于支撑加热盘的柱状环体，柱状环体的一端与加热盘的底壁连接，另一端贯穿腔体的底壁，并延伸至腔体的外部；隔热密封组件环绕套设在柱状环体的外侧，且隔热密封组件的一端与柱状环体远离加热盘的一端之间通过第一密封圈进行密封连接，另一端与腔体的底壁之间通过第二密封圈进行密封连接。本实用新型专利技术提供的工艺腔室及半导体加工设备能够使第一密封圈和第二密封圈受到的温度降低，使用寿命增加，维护次数减少，使用成本降低，选择范围扩大，从而提高工艺腔室的密封可靠性。

Process chamber and semiconductor processing equipment

【技术实现步骤摘要】
工艺腔室及半导体加工设备
本技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种工艺腔室及半导体加工设备。
技术介绍
目前，在集成电路(IC)的制造工艺中，衬底(wafer)经过刻蚀后会进入去胶机中去除残余光刻胶，去胶工艺通常在高温下进行，以提高衬底上光刻胶的氧化速率，从而提高去胶速率。去胶工艺进行时，内部的高温卡盘会对衬底进行加热。根据去胶工艺需求，高温卡盘的设计使用温度一般为250℃～350℃，有些高温卡盘的设计极限加热温度为400℃。如此高温，如果直接传递到腔室壁或卡盘基座上，会直接对密封元件(O-ring)和高温敏感的元器件造成伤害，而且温度大幅度变化会引起材料的热胀冷缩，影响腔室的真空度，造成腔室漏真空。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺腔室及半导体加工设备，其能够使第一密封圈和第二密封圈受到的温度降低，使用寿命增加，维护次数减少，使用成本降低，选择范围扩大，从而提高工艺腔室的密封可靠性。为实现本技术的目的而提供一种工艺腔室，包括腔体和设置在所述腔体中的基座，所述基座包括加热盘和用于支撑所述加热盘的柱状环体，所述柱状环体的一端与所述加热盘的底壁连接，另一端贯穿所述腔体的底壁，并延伸至所述腔体的外部；所述工艺腔室还包括隔热密封组件，所述隔热密封组件环绕套设在所述柱状环体的外侧，且所述隔热密封组件的一端与所述柱状环体远离所述加热盘的一端之间通过第一密封圈进行密封连接，另一端与所述腔体的底壁之间通过第二密封圈进行密封连接。优选的，所述隔热密封组件包括隔热筒、第一法兰、第二法兰和多个螺钉，其中，所述隔热筒环绕套设在所述柱状环体的外侧；所述第一法兰设置在所述隔热筒一端的外周壁上，所述柱状环体贯穿所述腔体底壁处设置有第一环形凸台，所述第一法兰与所述第一环形凸台相互叠置，并通过所述螺钉相互连接，所述第一密封圈设置在所述第一法兰与所述第一环形凸台之间；所述第二法兰设置在所述隔热筒另一端的内周壁上，所述柱状环体远离所述加热盘的一端设置有第二环形凸台，所述第二法兰与所述第二环形凸台相互叠置，并通过所述螺钉相互连接，所述第二密封圈设置在所述第二法兰与所述第二环形凸台之间。优选的，所述柱状环体的周壁的厚度的取值范围为2.5mm-4mm。优选的，所述柱状环体的外径的取值范围为45mm-90mm。优选的，所述柱状环体在竖直方向上的长度的取值范围为80mm-160mm。优选的，所述隔热筒的内周壁与所述柱状环体的外周壁之间具有间隙。优选的，所述间隙的取值范围为15mm-25mm。优选的，在所述隔热筒的筒壁中设置有冷却通道，所述冷却通道用于供冷却介质在所述隔热筒的筒壁中流动。优选的，所述隔热筒的材料为不锈钢或钛合金。本技术还提供一种半导体加工设置，包括本技术提供的所述工艺腔室。本技术具有以下有益效果：本技术提供的工艺腔室，借助将第一密封圈设置在柱状环体远离加热盘的一端与隔热密封组件的一端之间，将第二密封圈设置在腔体的底壁与隔热密封组件的另一端之间，使第一密封圈和第二密封圈均处于远离加热盘的位置，使第一密封圈和第二密封圈与加热盘之间的距离增加，以使加热盘上的热量传递至第一密封圈和第二密封圈上的传递距离增加，以能够使第一密封圈和第二密封圈受到的温度降低，从而使第一密封圈和第二密封圈的使用寿命增加，维护次数减少，使用成本降低，选择范围扩大，进而提高工艺腔室的密封可靠性。本技术提供的半导体加工设备，借助本技术提供的工艺腔室，能够使第一密封圈和第二密封圈受到的温度降低，使用寿命增加，维护次数减少，使用成本降低，选择范围扩大，从而提高工艺腔室的密封可靠性。附图说明图1为本技术提供的工艺腔室的结构示意图；图2为本技术提供的工艺腔室中加热盘和环状柱体的结构示意图；图3为本技术提供的工艺腔室中隔热密封件的结构示意图；附图标记说明：21-腔体；211-通孔；212-第一环形凸台；22-加热盘；23-柱状环体；231-第二环形凸台；232-第四螺纹孔；24-隔热筒；241-第一法兰；242-第一密封圈；243-第二法兰；244-第二密封圈；245-螺钉；247-第二螺纹孔；248-第三螺纹孔；251-冷却介质进口；252-冷却介质出口。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图来对本技术提供的工艺腔室及半导体加工设备进行详细描述。如图1-图3所示，本实施例提供一种工艺腔室，包括腔体21、基座和隔热密封件，其中，基座设置在腔体21中，基座包括加热盘22和用于支撑加热盘22的柱状环体23，柱状环体23的一端与加热盘22的底壁连接，另一端贯穿腔体21的底壁，并延伸至腔体21的外部；隔热密封组件环绕套设在柱状环体23的外侧，且隔热密封组件的一端与柱状环体23远离加热盘22的一端之间通过第一密封圈242进行密封连接，另一端与腔体21的底壁之间通过第二密封圈244进行密封连接。本实施例提供的工艺腔室，借助将第一密封圈242设置在柱状环体23远离加热盘22的一端与隔热密封组件的一端之间，将第二密封圈244设置在腔体21的底壁与隔热密封组件的另一端之间，使第一密封圈242和第二密封圈244均处于远离加热盘22的位置，使第一密封圈242和第二密封圈244与加热盘22之间的距离增加，以使加热盘22上的热量传递至第一密封圈242和第二密封圈244上的传递距离增加，以能够使第一密封圈242和第二密封圈244受到的温度降低，从而使第一密封圈242和第二密封圈244的使用寿命增加，维护次数减少，使用成本降低，选择范围扩大，进而提高工艺腔室的密封可靠性。具体的，在工艺过程中，加热盘22的热量会传递至柱状环体23与加热盘22连接的一端，由于本实施例中，柱状环体23内部为中空结构部，加热盘22传递至其上的热量会向其内部扩散，这就使得热量在自柱状环体23与加热盘22的底壁连接的一端传递至柱状环体23延伸至腔体21的外部的另一端的过程中，形成温度梯度，逐渐降低，以使柱状环体23延伸至腔体21的外部的另一端的温度低于其与加热盘22的底壁连接的一端的温度，从而使位于柱状环体23远离加热盘22的一端的第一密封圈242受到的温度低于加热盘22对晶片的加热温度，并且，由于柱状环体23的另一端延伸至腔体21的外部，使柱状环体23的另一端与加热盘22的底壁之间能够具有充足的远离空间，这样可以通过延长柱状环体23的长度，使柱状环体23远离加热盘22的一端的温度进一步降低。而对于第二密封圈244来说，其是位于隔热密封组件和腔体21的底壁之间，因此，第二密封圈244并不会与加热盘22直接接触，从而使得第二密封圈244受到来自于加热盘22的温度较低。另外，借助隔热密封件可以阻隔加热盘22、柱状环体23和腔体21内部的热量扩散至与隔热密封件连接的腔体21的底壁上，这样可以避免与腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工艺腔室，包括腔体和设置在所述腔体中的基座，其特征在于，所述基座包括加热盘和用于支撑所述加热盘的柱状环体，所述柱状环体的一端与所述加热盘的底壁连接，另一端贯穿所述腔体的底壁，并延伸至所述腔体的外部；/n所述工艺腔室还包括隔热密封组件，所述隔热密封组件环绕套设在所述柱状环体的外侧，且所述隔热密封组件的一端与所述柱状环体远离所述加热盘的一端之间通过第一密封圈进行密封连接，另一端与所述腔体的底壁之间通过第二密封圈进行密封连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，包括腔体和设置在所述腔体中的基座，其特征在于，所述基座包括加热盘和用于支撑所述加热盘的柱状环体，所述柱状环体的一端与所述加热盘的底壁连接，另一端贯穿所述腔体的底壁，并延伸至所述腔体的外部；
所述工艺腔室还包括隔热密封组件，所述隔热密封组件环绕套设在所述柱状环体的外侧，且所述隔热密封组件的一端与所述柱状环体远离所述加热盘的一端之间通过第一密封圈进行密封连接，另一端与所述腔体的底壁之间通过第二密封圈进行密封连接。


2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述隔热密封组件包括隔热筒、第一法兰、第二法兰和多个螺钉，其中，
所述隔热筒环绕套设在所述柱状环体的外侧；
所述第一法兰设置在所述隔热筒一端的外周壁上，所述柱状环体贯穿所述腔体底壁处设置有第一环形凸台，所述第一法兰与所述第一环形凸台相互叠置，并通过所述螺钉相互连接，所述第一密封圈设置在所述第一法兰与所述第一环形凸台之间；
所述第二法兰设置在所述隔热筒另一端的内周壁上，所述柱状环体远离所述加热盘的一端设置有第二环形凸台，所述第二法兰与所述第二环形凸台相互叠置，并通过所述螺钉相互连接，所述第二密封圈...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁艳成，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11