【技术实现步骤摘要】
一种选择性发射极技术的保护工艺
本专利技术涉及一种太阳电池制作领域，具体涉及一种选择性发射极技术的保护工艺。
技术介绍
选择性发射极(SE-selectiveemitter)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂，这样既可降低硅片和电极之间的接触电阻，又可降低表面的复合，提高少子寿命，从而提高转换效率。但随着光伏技术的进步，也存在一些问题，如在碱抛光工艺中使用激光SE技术，在高掺杂区域，由于激光掺杂，使磷硅玻璃层遭到破坏，在碱抛光工艺中没有了磷硅层的保护，该区域容易抛光，达不到高浓度掺杂，使选择性发射极技术在碱抛SE工艺中失去优势。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是解决上述现有技术的不足，提供一种选择性发射极技术的保护工艺，该工艺适用于选择性发射极技术中，在激光掺杂后的硅片上形成保护层，该保护层能够有效保护激光掺杂区域，在碱抛光过程中不受到破坏，使选择性发射极技术在碱抛光工艺中能发挥更好的优势，克服了选择性发射极技术在碱抛光工艺中使用的局限性，从而提高太阳能电池的转换效率。具体方案如下：一种选择性发射极技术的保护工艺，其特征在于：从掺杂区域的硅片上方均匀通入臭氧，在掺杂区域上氧化生成保护层。进一步，通入臭氧的浓度在100-10000ppm。进一步，通入臭氧的时间为10-1000s。进一步，生成的保护层厚度为2-20nm。本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中进一步给出，部分将从下面的描述中变...
【技术保护点】
1.一种选择性发射极技术的保护工艺，其特征在于：从掺杂区域的硅片上方均匀通入臭氧，在掺杂区域上氧化生成保护层。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种选择性发射极技术的保护工艺，其特征在于：从掺杂区域的硅片上方均匀通入臭氧，在掺杂区域上氧化生成保护层。
2.根据权利要求书1所述的一种选择性发射极技术的保护工艺，其特征在于，通入臭氧的浓度在100-10000ppm。
技术研发人员：乐雄英，陈如龙，钱俊，
申请(专利权)人：江苏润阳悦达光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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