降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法技术

本发明专利技术公布了一种降低N‑Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法，所述方法原有N‑topcon工艺基础上，在N‑Topcon电池正面经过B元素掺杂处理后，增加正面激光边缘刻蚀处理；在背面经过P元素掺杂处理后，增加背面激光边缘刻蚀处理，降低了正、背面边缘30～100um区域内载流子的横向传输能力，改善边缘复合电流，降低N‑Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的几率，提升光电转换效率。

Method of reducing edge recombination of n-topcon crystalline silicon solar cell

【技术实现步骤摘要】
降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法
本专利技术涉及一种降低N-Topcon电池边缘复合的方法，属于晶硅太阳能电池生产

技术介绍
在晶硅太阳能电池制造工艺中，光学损失、复合损失以及电阻损失是限制晶硅太阳能电池光电转换效率极限的3大损失机制，其中正背表面、基体、边缘、PN结耗尽区以及金属接触区都存在复合损失，对于不同结构的电池，不同区域的复合占比具有一定差异。N-Topcon电池正、背面分别经过B、P元素掺杂处理，导致正、背表面都具有很强的载流子横向传输能力；且正、背面分别有AlOx/SiNx、SiO2/Poly-Si钝化处理，表面复合损失非常小。该结构电池正背表面钝化效果均比较好，因此正背表面复合比较小；且正背表面载流子横向传输能力比较强，因此边缘复合比较大。此起彼伏，因此增加了边缘复合占总复合的比例；综合以上两点，边缘区域复合在N-Topcon电池中的复合占比要远大于其它结构电池。
技术实现思路
为了解决上述
技术介绍
中的问题，本专利技术的目的是提供一种能够降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法，其特征在于，所述方法原有N-topcon工艺基础上，在N-Topcon电池正面经过B元素掺杂处理后，增加正面激光边缘刻蚀处理；在背面经过P元素掺杂处理后，增加背面激光边缘刻蚀处理，降低了正、背面边缘30～100um区域内载流子的横向传输能力，改善边缘复合电流，降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的几率，提升光电转换效率。/n

【技术特征摘要】
1.降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法，其特征在于，所述方法原有N-topcon工艺基础上，在N-Topcon电池正面经过B元素掺杂处理后，增加正面激光边缘刻蚀处理；在背面经过P元素掺杂处理后，增加背面激光边缘刻蚀处理，降低了正、背面边缘30～100um区域内载流子的横向传输能力，改善边缘复合电流，降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的几率，提升光电转换效率。


2.根据权利要求1所述的降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法，其特征在于，所述方法具体为：
步骤一，在N-topcon电池正面B掺杂后，利用激光脉冲对正面边缘扩散区域刻蚀处理；
步骤二，在背面和...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖光明，
申请(专利权)人：江苏日托光伏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32