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本发明提供一种选择性发射极技术的保护工艺，其特征在于：从掺杂区域的硅片上方均匀通入臭氧，在掺杂区域上氧化生成保护层。其中通入臭氧的浓度在100‑10000ppm，通入臭氧的时间为10‑1000s，生成的保护层厚度为2‑20nm。使用本发明选...
该专利属于江苏润阳悦达光伏科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏润阳悦达光伏科技有限公司授权不得商用。

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