硅衬底上硅外延层厚度的测量方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及硅衬底上硅外延层厚度的测量方法，制备晶片样品的横截面和利用染色技术对硅衬底染色来区分硅衬底本体和硅外延层；所述染色技术应用的染色溶液由质量浓度为69％的硝酸与质量浓度为49％的氢氟酸按体积比为20:1配置而成和染色的时间为3‑5秒。本发明专利技术提供的硅衬底上硅外延层厚度的测量方法，为了在晶片样品的横截面上把硅外延层和硅衬底本体明显区分，使用本发明专利技术提供的化学染色技术对样品进行染色，达到了检测硅外延层厚度的目的。

Measurement of thickness of silicon epitaxial layer on silicon substrate

【技术实现步骤摘要】
硅衬底上硅外延层厚度的测量方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及硅衬底上硅外延层厚度的测量方法。
技术介绍
在半导体晶圆制造中，必须准确控制和测量硅衬底上硅外延层(Epi)的厚度。目前硅衬底上硅外延层(Epi)的厚度是使用红外光谱(FTIR)或分布电阻曲线(SRP)进行测量和监控的。但是，其周转时间长且分析成本高。
技术实现思路
本专利技术提供硅衬底上硅外延层厚度的测量方法，用于晶片制造中硅衬底上硅外延层厚度的快速而准确的测量，可以减少分析周期和成本。具体地，本专利技术提供了硅衬底上硅外延层厚度的测量方法，利用染色溶液对硅衬底染色来区分硅衬底本体和硅外延层；所述染色溶液由质量浓度为69％的硝酸与质量浓度为49％的氢氟酸按体积比为20:1配置而成。本专利技术提供的硅衬底上硅外延层厚度的测量方法，为了在晶片样品的横截面上把硅外延层和硅衬底本体明显区分，使用本专利技术提供的化学染色溶液和染色时间对样品进行染色，达到了检测硅外延层厚度的目的。在一些可能的实施方式中，所述硅衬底在染色前要进行切割和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.硅衬底上硅外延层厚度的测量方法，其特征在于，利用染色溶液对硅衬底染色来区分硅衬底本体和硅外延层；/n所述染色溶液由质量浓度为69％的硝酸与质量浓度为49％的氢氟酸按体积比为20:1配置而成。/n

【技术特征摘要】
1.硅衬底上硅外延层厚度的测量方法，其特征在于，利用染色溶液对硅衬底染色来区分硅衬底本体和硅外延层；
所述染色溶液由质量浓度为69％的硝酸与质量浓度为49％的氢氟酸按体积比为20:1配置而成。


2.根据权利要求1所述的硅衬底上硅外延层厚度的测量方法，其特征在于，所述硅衬底在染色前还进行切割和抛光。


3.根据权利要求2所述的硅衬底上硅外延层厚度的测量方法，其特征在于，所述抛光后的硅衬底用去离子水清洗，然后干燥；
进一步地，所述硅衬底用去离子水清洗后使用压缩空气高压枪干燥。


4.根据权利要求2所述的硅衬底上硅外延层厚度的测量方法，其特征在于，用所述染色溶液的染色时间为3-5秒。


5.根据权利要求4所述的硅衬底上硅外延层厚度的测量方法，其特征在于，用所述染色溶液对硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：华佑南，李晓旻，
申请(专利权)人：胜科纳米苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32