半导体制冷器驱动电路及控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体制冷器驱动电路及控制电路。所述半导体制冷器驱动电路包括微处理器、放大电路和ＭＯＳＦＥＴ，微处理器的第一控制信号输入放大电路，放大电路的输出接ＭＯＳＦＥＴ的栅极，放大电路的输出信号控制ＭＯＳＦＥＴ的导通和关断，ＭＯＳＦＥＴ将开关信号输出外接的半导体制冷器供电电路。所述半导体制冷器控制电路，包括驱动电路和流向控制电路，该驱动电路具有前述结构，所述微处理器将第二控制信号输出流向控制电路，流向控制电路用于控制半导体制冷器供电回路的正向或反向导通。本实用新型专利技术的优点在于：可通过ＭＯＳＦＥＴ对制冷器实现较为复杂的控制；控制信号经放大后输入ＭＯＳＦＥＴ，采用普通的ＭＯＳＦＥＴ即可实现，大大降低了成本。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制冷器，具体是涉及半导体制冷器驱动电路及控制电路。
技术介绍
目前所推出的由继电器控制的半导体冰箱，其制冷器驱动电路一般都采用微处理器的I/O输出直接控制制冷器供电回路通断的形式，这种电路只适用于传统的Pang-Pang控制算法，箱内温度波动较大，不能达到较好的控制效果，对食物的保鲜很不利。
技术实现思路
本技术的目的是提出一种能以低成本、简单结构而适用复杂控制算法(例如PWM(Pulse-Width Modulation脉宽调制)算法)的半导体制冷器驱动电路及控制电路。实现上述目的的技术方案是一种半导体制冷器驱动电路，包括微处理器、放大电路和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，微处理器的第一控制信号输入放大电路，放大电路的输出接MOSFET的栅极，放大电路的输出信号控制MOSFET的导通和关断，MOSFET将开关信号输出外接的半导体制冷器供电电路。所述放大电路优选采用三极管的两极上拉推挽式驱动电路。本技术并提出一种半导体制冷器控制电路，包括驱动电路和流向控制电路，所述驱动电路采用上述结构形式；所述微处理器将第二控制信号输出流向控制电路，所述流向控制电路用于控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制冷器驱动电路，包括微处理器、放大电路和ＭＯＳＦＥＴ，微处理器的第一控制信号输入放大电路，放大电路的输出接ＭＯＳＦＥＴ的栅极，放大电路的输出信号控制ＭＯＳＦＥＴ的导通和关断，ＭＯＳＦＥＴ将开关信号输出外接的半导体制冷器供电电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐天麒，刘建伟，
申请(专利权)人：深圳市和而泰电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]