【技术实现步骤摘要】
进料装置及具有其的单晶炉
本公开涉及半导体工艺
，尤其涉及一种进料装置及具有其的单晶炉。
技术介绍
连续加料系统的单晶炉是在传统单晶炉的基础上增加连续加料装置，设计装置与炉体的接口，重新考虑设备的整体布局方式，从而实现连续加料。随着坩埚技术的发展，应用新型连续加料系统，可以大幅度减少化料时间，提高单台产能，同时单晶的电阻率品质也会变得更加均匀。基于工艺的需求，需要不间断地用加料器将所需硅散料运送到炉体内的坩埚中。单晶生长炉连续加料器在加料过程中，由于热场连续加料加上加料位置空间有限，进料管直接进料过程中，由于硅散料垂落时不易控制，会有部分硅散料飞溅至非指定位置，如飞溅至石英外埚以外的加热器表面处会影响加热器的使用寿命，飞溅至石英内埚里的硅液面区域会影响晶体的生长，造成断线，最终影响产能。
技术实现思路
有鉴于此，本公开提出了一种进料装置，可以使硅散料在进料过程中可沿进料盒内壁形状垂落至指定加料位置，实现了有效的补充加料，避免了飞溅产生的浪费，有效保证了设备的安全，同时提高了设备的产能。
【技术保护点】
1.一种进料装置，其特征在于，包括包裹体和引导体；/n所述包裹体的一侧与所述引导体的一侧固定连接；/n其中，所述包裹体和所述引导体均为中空结构，且所述包裹体与所述引导体连通；/n所述包裹体围设在用于输送硅散料的进料管的外围，并包裹所述进料管的出口；/n所述引导体未与所述包裹体相连接的一侧延伸至晶体生长设备的加料位置，以使所述进料管输送硅散料的过程中，硅散料沿所述引导体的内腔垂落至所述加料位置。/n
【技术特征摘要】
1.一种进料装置，其特征在于，包括包裹体和引导体；
所述包裹体的一侧与所述引导体的一侧固定连接；
其中，所述包裹体和所述引导体均为中空结构，且所述包裹体与所述引导体连通；
所述包裹体围设在用于输送硅散料的进料管的外围，并包裹所述进料管的出口；
所述引导体未与所述包裹体相连接的一侧延伸至晶体生长设备的加料位置，以使所述进料管输送硅散料的过程中，硅散料沿所述引导体的内腔垂落至所述加料位置。
2.根据权利要求1所述的进料装置，其特征在于，所述引导体包括倾斜部和下料部；
其中，所述倾斜部固定连接在所述包裹体与所述下料部之间；
所述倾斜部倾斜方向朝向所述加料位置；
所述下料部的中轴线与所述加料位置所在的平面相垂直。
3.根据权利要求2所述的进料装置，其特征在于，所述倾斜部未与所述包裹体连接的一侧与所述下料部一侧的固定连接方式为焊...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏松涛，关树军，陈辉，
申请(专利权)人：北京天能运通晶体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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