进料装置及具有其的单晶炉制造方法及图纸

本申请涉及一种进料装置及具有其的单晶炉，包括包裹体和引导体，包裹体的一侧与引导体的一侧固定连接，其中，包裹体和引导体均为中空结构，且包裹体与引导体连通，包裹体围设在用于输送硅散料的进料管的外围，并包裹进料管的出口，引导体未与包裹体相连接的一侧延伸至晶体生长设备的加料位置，以使进料管输送硅散料的过程中，硅散料沿引导体的内腔垂落至所述加料位置。通过在进料管外围围设进料装置，硅散料在进料过程中可沿进料装置内壁顺利垂落至指定加料位置，实现可靠的补充加料，避免了硅散料的飞溅浪费，保证了设备的安全，同时增加了产能。

Feeding device and single crystal furnace with it

【技术实现步骤摘要】
进料装置及具有其的单晶炉
本公开涉及半导体工艺
，尤其涉及一种进料装置及具有其的单晶炉。
技术介绍
连续加料系统的单晶炉是在传统单晶炉的基础上增加连续加料装置，设计装置与炉体的接口，重新考虑设备的整体布局方式，从而实现连续加料。随着坩埚技术的发展，应用新型连续加料系统，可以大幅度减少化料时间，提高单台产能，同时单晶的电阻率品质也会变得更加均匀。基于工艺的需求，需要不间断地用加料器将所需硅散料运送到炉体内的坩埚中。单晶生长炉连续加料器在加料过程中，由于热场连续加料加上加料位置空间有限，进料管直接进料过程中，由于硅散料垂落时不易控制，会有部分硅散料飞溅至非指定位置，如飞溅至石英外埚以外的加热器表面处会影响加热器的使用寿命，飞溅至石英内埚里的硅液面区域会影响晶体的生长，造成断线，最终影响产能。
技术实现思路
有鉴于此，本公开提出了一种进料装置，可以使硅散料在进料过程中可沿进料盒内壁形状垂落至指定加料位置，实现了有效的补充加料，避免了飞溅产生的浪费，有效保证了设备的安全，同时提高了设备的产能。根据本公开的一方面，提供了一种进料装置，包括包裹体和引导体；所述包裹体的一侧与所述引导体的一侧固定连接；其中，所述包裹体和所述引导体均为中空结构，且所述包裹体与所述引导体连通；所述包裹体围设在用于输送硅散料的进料管的外围，并包裹所述进料管的出口；所述引导体未与所述包裹体相连接的一侧延伸至晶体生长设备的加料位置，以使所述进料管输送硅散料的过程中，硅散料沿所述引导体的内腔垂落至所述加料位置。在一种可能的实现方式中，所述引导体包括倾斜部和下料部；其中，所述倾斜部固定连接在所述包裹体与所述下料部之间；所述倾斜部倾斜方向朝向所述加料位置处；所述下料部的中轴线与所述加料位置处所在的平面相垂直。在一种可能的实现方式中，所述倾斜部未与所述包裹体连接的一侧与所述下料部一侧的固定连接方式为焊接。在一种可能的实现方式中，所述包裹体的一侧与所述引导体的一侧固定连接方式为焊接。在一种可能的实现方式中，中空结构的所述包裹体的内腔的形状与被围设的所述进料管的形状相匹配；且所述包裹体的内壁，适用于紧密贴合所述进料管的外管壁。在一种可能的实现方式中，所述进料装置的材质为硅化碳和高纯石英中的任意一种。在一种可能的实现方式中，所述包裹体和所述引导体均为盒状结构。在一种可能的实现方式中，所述包裹体和所述引导体均为矩形盒体；且所述包裹体的中轴线与所述引导体的中轴线相垂直。根据本公开的另一方面，提供了一种单晶炉，包括前面任一项所述的进料装置。根据本公开的各方面的进料装置能够使硅散料顺利垂落至指定加料位置，避免了飞溅产生的浪费，保证了设备的安全，提高了产能。并且，方案结构简单，便于实现。根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本公开的其它特征及方面将变得清楚。附图说明包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本公开的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本公开的原理。图1示出本公开实施例的进料装置的主视剖面图；图2示出本公开另一实施例的进料装置的主视剖面图；图3示出本公开实施例的单晶炉的主视剖面图。具体实施方式以下将参考附图详细说明本公开的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。其中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术或简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。另外，为了更好的说明本公开，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本公开同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本公开的主旨。图1示出根据本公开一实施例的进料装置100的主视剖面图。如图1所示，该进料装置100包括：包裹体110和引导体120。其中，包裹体110和引导体120均为中空结构，且包裹体110与引导体120连通。包裹体110围设在用于输送硅散料的进料管300的外围，并包裹进料管300的出口。引导体120未与包裹体110相连接的一侧延伸至晶体生长设备的加料位置，以使进料管300输送硅散料的过程中，硅散料沿引导体120的内腔垂直落至加料位置。由此，本公开实施例的进料装置100，通过将包裹体110围设在用于输送硅散料的进料管300的外围，进料管300的出口被完全包裹在包裹体110内部，包裹体110与引导体120固定均为中空结构且相连通，引导体120未与包裹体110连接一侧延伸至加料位置。从而当进料管300进料的过程中，部分从进料管300的出口飞溅至四周的硅散料触碰到引导体120的内腔后会垂直落下至加料位置，相较于无安装进料装置100的相关设备，有效地避免了硅散料飞溅带来的材料浪费，增加了单晶产能，也大大降低了设备的损坏风险。在一种可能的实现方式中，进料装置100的引导体120包括倾斜部121和下料部122，倾斜部121固定连接在包裹体110与下料部122之间，用于连接包裹体110与下料部122，从进料管300的出口输送出的硅散料通过倾斜部121进入下料部122并从下料部122落入加料位置处。进一步的，倾斜部121倾斜方向朝向加料位置处，即与进料管300的出口运输硅散料的朝向一致，以使在进料管300在运输硅散料时，硅散料能够顺利地通过引导体120，被引导至加料位置处，飞溅至倾斜部121各个位置的硅散料也会在自身重力的作用下滑落至下料部122，最终沿引导体120内腔垂落至加料位置处。有效地提高了硅散料的利用率，增加了产能。进一步的，下料部122的中轴线与加料位置处所在平面相垂直，即通过进料管300的出口和倾斜部121的硅散料可直接垂落入加料位置处。进一步的，倾斜部121未与包裹体110连接的一侧与下料部122的一侧之间的固定连接方式为焊接，分别将倾斜部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种进料装置，其特征在于，包括包裹体和引导体；/n所述包裹体的一侧与所述引导体的一侧固定连接；/n其中，所述包裹体和所述引导体均为中空结构，且所述包裹体与所述引导体连通；/n所述包裹体围设在用于输送硅散料的进料管的外围，并包裹所述进料管的出口；/n所述引导体未与所述包裹体相连接的一侧延伸至晶体生长设备的加料位置，以使所述进料管输送硅散料的过程中，硅散料沿所述引导体的内腔垂落至所述加料位置。/n

【技术特征摘要】
1.一种进料装置，其特征在于，包括包裹体和引导体；
所述包裹体的一侧与所述引导体的一侧固定连接；
其中，所述包裹体和所述引导体均为中空结构，且所述包裹体与所述引导体连通；
所述包裹体围设在用于输送硅散料的进料管的外围，并包裹所述进料管的出口；
所述引导体未与所述包裹体相连接的一侧延伸至晶体生长设备的加料位置，以使所述进料管输送硅散料的过程中，硅散料沿所述引导体的内腔垂落至所述加料位置。


2.根据权利要求1所述的进料装置，其特征在于，所述引导体包括倾斜部和下料部；
其中，所述倾斜部固定连接在所述包裹体与所述下料部之间；
所述倾斜部倾斜方向朝向所述加料位置；
所述下料部的中轴线与所述加料位置所在的平面相垂直。


3.根据权利要求2所述的进料装置，其特征在于，所述倾斜部未与所述包裹体连接的一侧与所述下料部一侧的固定连接方式为焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏松涛，关树军，陈辉，
申请(专利权)人：北京天能运通晶体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11