三维存储器设备的局部触点及用于形成其的方法技术

公开了3D存储器设备和用于形成其的方法的实施方式。在一示例中，3D存储器设备包括衬底、存储器堆叠、沟道结构、沟道局部触点和狭缝结构。存储器堆叠包括在衬底之上的交错的导电层和电介质层。沟道结构垂直地延伸穿过存储器堆叠。沟道局部触点在沟道结构之上并与沟道结构接触。狭缝结构垂直地延伸穿过存储器堆叠。狭缝结构包括触点，其包括第一接触部分和在第一接触部分之上并具有第一接触部分的不同材料的第二接触部分。狭缝结构的第二接触部分的上端与沟道局部触点的上端齐平。

The local contact of 3D memory device and its forming method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三维存储器设备的局部触点及用于形成其的方法背景本公开内容的实施方式涉及三维(3D)存储器设备及其制造方法。通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺来将平面存储器单元按比例缩小到较小的尺寸。然而，当存储器单元的特征尺寸接近下限时，平面工艺和制造技术变得越来越有挑战性且造价昂贵。作为结果，平面存储器单元的存储器密度接近上限。3D存储器架构可以处理在平面存储器单元中的密度限制。3D存储器架构包括存储器阵列和用于控制去往和来自存储器阵列的信号的外围设备。概述本文公开了3D存储器设备及用于形成其的方法的实施方式。在一个示例中，3D存储器设备包括衬底、存储器堆叠、沟道结构、沟道局部触点和狭缝结构。存储器堆叠包括在衬底之上的交错的导电层和电介质层。沟道结构垂直地延伸穿过存储器堆叠。沟道局部触点在沟道结构之上并与沟道结构接触。狭缝结构垂直地延伸穿过存储器堆叠。狭缝结构包括触点，其包括第一接触部分和在第一接触部分之上并具有第一接触部分的不同材料的第二接触部分。狭缝结构的第二接触部分的上端与沟道局部触点的上端齐平。在另一示例中，3D存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维(3D)存储器设备，包括：/n衬底；/n存储器堆叠，其包括在所述衬底之上的交错的导电层和电介质层；/n沟道结构，其垂直地延伸穿过所述存储器堆叠；/n沟道局部触点，其在所述沟道结构之上并与所述沟道结构接触；以及/n狭缝结构，其垂直地延伸穿过所述存储器堆叠，/n其中，所述狭缝结构包括触点，所述触点包括第一接触部分和在所述第一接触部分之上并具有所述第一接触部分的不同材料的第二接触部分，以及/n所述狭缝结构的所述第二接触部分的上端与所述沟道局部触点的上端齐平。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种三维(3D)存储器设备，包括：
衬底；
存储器堆叠，其包括在所述衬底之上的交错的导电层和电介质层；
沟道结构，其垂直地延伸穿过所述存储器堆叠；
沟道局部触点，其在所述沟道结构之上并与所述沟道结构接触；以及
狭缝结构，其垂直地延伸穿过所述存储器堆叠，
其中，所述狭缝结构包括触点，所述触点包括第一接触部分和在所述第一接触部分之上并具有所述第一接触部分的不同材料的第二接触部分，以及
所述狭缝结构的所述第二接触部分的上端与所述沟道局部触点的上端齐平。


2.根据权利要求1所述的3D存储器设备，其中，所述狭缝结构的所述第二接触部分和所述沟道局部触点包括相同的导电材料。


3.根据权利要求2所述的3D存储器设备，其中，所述狭缝结构的所述第一接触部分包括多晶硅，以及所述狭缝结构的所述第二接触部分和所述沟道局部触点包括相同的金属。


4.根据权利要求3所述的3D存储器设备，其中，所述金属包括钨。


5.根据权利要求1-4中的任一项所述的3D存储器设备，其中，所述狭缝结构包括横向地在所述狭缝结构的所述触点和所述存储器堆叠的所述导电层之间的隔板。


6.根据权利要求5所述的3D存储器设备，其中，在平面图中，所述狭缝结构的所述第二接触部分的所述上端不超出所述隔板的边界。


7.根据权利要求5所述的3D存储器设备，其中，所述第二接触部分的所述上端的直径不大于所述隔板的外径。


8.根据权利要求7所述的3D存储器设备，其中，所述第二接触部分的所述上端的直径大于所述沟道局部触点的直径。


9.根据权利要求1-8中的任一项所述的3D存储器设备，其中，所述沟道结构包括半导体沟道和存储器膜。


10.根据权利要求1-9中的任一项所述的3D存储器设备，其中，所述沟道结构包括在所述沟道结构的顶部部分中并与所述沟道局部触点接触的沟道插塞。


11.一种三维(3D)存储器设备，包括：
衬底；
存储器堆叠，其包括在所述衬底之上的交错的导电层和电介质层；
沟道结构，其垂直地延伸穿过所述存储器堆叠；
沟道局部触点，其在所述沟道结构之上并与所述沟道结构接触；以及
狭缝结构，其垂直地延伸穿过所述存储器堆叠，
其中，所述狭缝结构包括隔板和触点，所述触点包括第一接触部分和在所述第一接触部分之上并具有所述第一接触部分的不同材料的第二接触部分，以及
所述第二接触部分的上端的直径大于所述第一接触部分的上端的直径且不大于所述隔板的外径。


12.根据权利要求11所述的3D存储器设备，其中，所述狭缝结构的所述第二接触部分的所述上端与所述沟道局部触点的上端齐平。


13.根据权利要求11或12所述的3D存储器设备，其中，所述狭缝结构的所述第二接触部分和所述沟道局部触点包括相同的导电材料。


14.根据权利要求13所述的3D存储器设备，其中，所述狭缝结构的所述第一接触部分包括多晶硅，以及所述狭缝结构的所述第二接触部分和所述沟道局部触点包括相同的金属。

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建中，张坤，赵婷婷，苏睿，孙中旺，周文犀，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42