保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种保护膜形成用膜(13)，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用膜(13)与硅晶圆之间的粘着力为3N/25mm以上，对所述保护膜形成用膜(13)照射紫外线而制成保护膜时，该保护膜的剪切强度为10.5N/3mm□以上。

Manufacturing methods of protective film forming film, compound sheet and semiconductor chip for protective film forming

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法
本专利技术涉及保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法。本申请基于2017年10月27日于日本提出申请的日本特愿2017-208432号主张优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
近年来，正在进行着应用了被称作倒装(facedown)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，半导体芯片的与电路面为相反侧的背面有时会露出。在该露出的半导体芯片的背面形成有作为保护膜的含有有机材料的树脂膜，有时将其作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。为了防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹而利用保护膜。为了形成这样的保护膜，例如使用一种保护膜形成用复合片，其具备用于在支撑片上形成保护膜的保护膜形成用膜。保护膜形成用膜能够通过固化而形成保护膜。此外，将在背面具备保护膜形成用膜或保护膜的半导体晶圆分割成半导体芯片时，支撑片能够用于固定半导体晶圆。进一步，支撑片也能够用作切割片，保护膜形成用复合片也能够制成将保护膜形成用膜与切割片一体化而成的部件而进行使用。作为这样的保护膜形成用复合片，迄今为止主要利用了例如具备通过加热而进行固化并由此形成保护膜的热固性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。然而，由于热固性的保护膜形成用膜的加热固化通常需要数小时左右的长时间，因此期望缩短固化时间。对此，正在研究将能够通过紫外线等能量射线的照射而固化的(能量射线固化性的)保护膜形成用膜用于保护膜的形成。另一方面，作为得到半导体芯片的方法，广泛地利用有使用切割刀片而切割半导体晶圆的方法。在该方法中，通常利用切割刀片而将在背面具备保护膜形成用膜或保护膜的半导体晶圆与这些保护膜形成用膜或保护膜一同分割，进行单颗化(singulation)，由此得到半导体芯片。与此不同，近年来还对不使用切割刀片的半导体晶圆的分割方法进行了各种研究。例如已知有如下方法：以聚焦于设定在半导体晶圆的内部的焦点的方式照射激光，在半导体晶圆的内部形成改性层，然后将形成有该改性层且在背面贴附了树脂膜的半导体晶圆与该树脂膜一同沿树脂膜的表面方向扩张(expand)，切断树脂膜，且同时在改性层的部位分割半导体晶圆，进行单颗化，由此得到半导体芯片。该方法与使用切割刀片的方法不同，具有以下优点：在半导体晶圆中，能够由半导体晶圆得到更多的半导体芯片而不会随之形成由切割刀片造成的切削部，且不会产生切削屑。作为用于将半导体芯片芯片键合(diebonding)在基板的电路形成面上的物质，有膜状粘合剂，但迄今为止，主要在将该膜状粘合剂用作所述树脂膜的情况下利用上述分割方法(参照专利文献1)。因此，若能够对作为所述树脂膜而具备能量射线固化性的保护膜形成用膜或作为其固化物的保护膜的半导体晶圆应用如上所述的基于扩张的分割方法，则这样的方法作为具备保护膜的半导体芯片的制造方法而言是极其有用的。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-222002号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题然而，对具备保护膜形成用膜或保护膜的半导体晶圆进行扩张时，所得到的半导体芯片有时会从切断后的保护膜形成用膜或保护膜上剥离并浮起。该问题在半导体芯片的周缘部、特别是在角部尤为显著。本专利技术的目的在于提供一种保护膜形成用膜、具备所述保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法，其中，对在背面具备保护膜形成用膜或作为其固化物的保护膜、内部形成有改性层的半导体晶圆进行扩张而切断保护膜形成用膜或保护膜，且同时分割半导体晶圆而制成所述半导体芯片时，能够抑制半导体芯片从保护膜形成用膜或保护膜上浮起。解决技术问题的技术手段为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，通过下述方法测定的保护膜形成用膜与硅晶圆之间的粘着力为3N/25mm以上，对所述保护膜形成用膜照射紫外线而制成保护膜时，通过下述方法测定的保护膜的剪切强度为10.5N/3mm□以上。关于保护膜形成用膜与硅晶圆之间的粘着力，将厚度为25μm的所述保护膜形成用膜贴附在硅晶圆上之后，以使所述保护膜形成用膜与硅晶圆相互接触的面彼此呈180°的角度的方式、以300mm/min的剥离速度从硅晶圆上剥离所述保护膜形成用膜，测定此时的剥离力(N/25mm)，将该测定值作为保护膜形成用膜与硅晶圆之间的粘着力。关于保护膜的剪切强度，将厚度为25μm的所述保护膜形成用膜贴附在硅晶圆上之后，以照度为195mW/cm2、光量为170mJ/cm2的条件对保护膜形成用膜照射紫外线，使保护膜形成用膜固化而制成保护膜，切割所得到的带保护膜的硅晶圆，制成大小为3mm×3mm的带保护膜的硅芯片，仅对所得到的带保护膜的硅芯片中的保护膜以200μm/s的速度沿保护膜的表面方向施加力，将施加至保护膜被破坏时为止的力的最大值(N/3mm□)作为保护膜的剪切强度。此外，本专利技术提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片，并在所述支撑片上具备所述保护膜形成用膜。此外，本专利技术提供一种半导体芯片的制造方法，其具备：将所述保护膜形成用膜或所述保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜贴附在半导体晶圆上；对贴附于所述半导体晶圆后的所述保护膜形成用膜照射能量射线，形成保护膜；以聚焦于设定在所述半导体晶圆的内部的焦点的方式，隔着所述保护膜或保护膜形成用膜照射激光，在所述半导体晶圆的内部形成改性层；将形成有所述改性层的所述半导体晶圆与所述保护膜或保护膜形成用膜一同沿所述保护膜或保护膜形成用膜的表面方向扩张，切断所述保护膜或保护膜形成用膜，且同时在所述改性层的部位分割所述半导体晶圆，得到多个半导体芯片。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种保护膜形成用膜、具备所述保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法，其中，对在背面具备保护膜形成用膜或作为其固化物的保护膜、内部形成有改性层的半导体晶圆进行扩张而切断保护膜形成用膜或保护膜，且同时分割半导体晶圆而制成所述半导体芯片时，能够抑制半导体芯片从保护膜形成用膜或保护膜上浮起。附图说明图1为示意性地表示本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用膜的截面图。图2为示意性地表示本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的截面图。图3为示意性地表示本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的截面图。图4为示意性地表示本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的截面图。图5为示意性地表示本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的截面图。图6为示意性地表示本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的截面图。图7为用于示意性地说明使用未构成保护膜形成用复合片的保护膜形成用膜时的、半导体芯片的制造方法的一个实施方式的截面图。图8为用于示意性地说明使用未构成保护膜形成用复合片的保护膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，/n通过下述方法测定的保护膜形成用膜与硅晶圆之间的粘着力为3N/25mm以上，/n对所述保护膜形成用膜照射紫外线而制成保护膜时，通过下述方法测定的保护膜的剪切强度为10.5N/3mm□以上，/n关于保护膜形成用膜与硅晶圆之间的粘着力，将厚度为25μm的所述保护膜形成用膜贴附在硅晶圆上之后，以使所述保护膜形成用膜与硅晶圆相互接触的面彼此呈180°的角度的方式，以300mm/min的剥离速度从硅晶圆上剥离所述保护膜形成用膜，测定此时的剥离力(N/25mm)，将该测定值作为保护膜形成用膜与硅晶圆之间的粘着力，/n关于保护膜的剪切强度，将厚度为25μm的所述保护膜形成用膜贴附在硅晶圆上之后，以照度为195mW/cm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171027 JP 2017-2084321.一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，
通过下述方法测定的保护膜形成用膜与硅晶圆之间的粘着力为3N/25mm以上，
对所述保护膜形成用膜照射紫外线而制成保护膜时，通过下述方法测定的保护膜的剪切强度为10.5N/3mm□以上，
关于保护膜形成用膜与硅晶圆之间的粘着力，将厚度为25μm的所述保护膜形成用膜贴附在硅晶圆上之后，以使所述保护膜形成用膜与硅晶圆相互接触的面彼此呈180°的角度的方式，以300mm/min的剥离速度从硅晶圆上剥离所述保护膜形成用膜，测定此时的剥离力(N/25mm)，将该测定值作为保护膜形成用膜与硅晶圆之间的粘着力，
关于保护膜的剪切强度，将厚度为25μm的所述保护膜形成用膜贴附在硅晶圆上之后，以照度为195mW/cm2、光量为170mJ/cm2的条件对保护膜形成用膜照射紫外线，使保护膜形成用膜固化而制成保护膜，切割所得到的带保护膜的硅晶圆，制成...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻男洋一，小桥力也，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP