【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片的制造方法
本专利技术的技术方案涉及半导体器件，具体涉及一种LED芯片的制造方法，尤其是涉及一种提高衬底LED芯片出光效率的方法。
技术介绍
发光二极管作为传统灯具的替代品，LED照明发展前景广阔，被誉为新一代光源。LED具有寿命长、低功耗、绿色环保等优点。并且LED光源是直接将电能转化为光能，并且能量转换效率相当高，理论上只需要白炽灯的10％的能耗或者荧光灯50％的能耗。但是，目前LED芯片的发光效率依然较低，严重制约了LED的应用和发展。现无论是正装结构、倒装结构还是垂直结构，提高芯片的最大出光效率，均为各结构的研发突破重点。目前制备LED芯片已有很多提高出光效率的方法，比如：制作反射镜、表面粗化、优化电极等等。但以上大部分方法只提高了光子透过上表面的效率，因此提供一种常规且操作简单、可控且良率高的方法来对衬底侧壁进行优化实属必要。本专利技术提供一种使用隐形激光切割划片方法从而达到衬底侧面粗化效果。隐形切割的方法对增加外部量子效率有很好的效果，且可控和方便，并适用于不同厚度的...
【技术保护点】
1.一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：/n在衬底上生长外延层材料，形成包括多个LED芯片的晶圆模块；/n在所述衬底上形成多层改质层，包括：在衬底中形成端部改质层，所述端部改质层位于所述衬底内距离衬底厚度方向端部附近；在衬底中形成多个中部改质层,所述中部改质层在所述衬底厚度的方向上比所述端部改质层更接近所述衬底厚度的中心；/n将所述晶圆模块分裂成多个LED芯片。/n
【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
在衬底上生长外延层材料，形成包括多个LED芯片的晶圆模块；
在所述衬底上形成多层改质层，包括：在衬底中形成端部改质层，所述端部改质层位于所述衬底内距离衬底厚度方向端部附近；在衬底中形成多个中部改质层,所述中部改质层在所述衬底厚度的方向上比所述端部改质层更接近所述衬底厚度的中心；
将所述晶圆模块分裂成多个LED芯片。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述端部改质层位于所述衬底的厚度两端附近；包括第一端部改质层和第二端部改质层；所述第一端部改质层位于所述衬底的下表面附近，所述第二端部改质层位于所述衬底的上表面附近。
3.根据权利要求2所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述端部改质层与两芯片之间的切割中线对其。
4.根据权利要求1所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，
所述中部改质层包括N个独立的改质层，其中N≥2；所述中部改质层分为括第一组中部改质层和第二组中部改质层；所述第一组中部改质层内各层之间沿着所述衬底厚度的方向对齐；所述第二组中部改质层内各...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭凯，崔志勇，薛建凯，张向鹏，尉尊康，王雪，张晓娜，李勇强，
申请(专利权)人：北京中科优唯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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