【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及其制作方法
涉及一种在半导体材料层上通过剥离工艺形成图形化结构的方法，具体的涉及一种发光二极管的图形化绝缘层制作方法。
技术介绍
在半导体和微电子机械系统的制造工艺中经常应用到图形化技术，例如形成图形化的金属电极、薄膜层等。目前图形化技术主要有：湿法腐蚀、干法腐蚀、剥离三种。中国专利文献CN101136327A公幵了一种图形化铂/钛金属薄膜的剥离制备方法，在基片上制备牺牲层；通过光刻和刻蚀技术图形化牺牲层，将来Pt/Ti金属薄膜保留的地方，牺牲层被刻蚀掉，将来Pt/Ti金属薄膜被剥离的地方，牺牲层被保留；在图形化后的牺牲层上制备Pt/Ti金属薄膜；释放牺牲层，剥离出Pt/Ti金属薄膜图形。现有发光二极管之增光工艺，经常通过键合工艺在芯片外延层与基板之间制作反射镜面，藉此避免芯片内发光被基板吸收，并将其反射至出光面提升整体亮度。镜面结构的反射率一般采用低折射率材料(例如MgF2)以使折射率差异更大，增加全反射机率以增加反射率。然而低射率材料的化学特性与目前普遍使用的介电质材料SiO2有着明显的不...
【技术保护点】
1.一种发光二极管的制作方法，包括：（1）通过外延生长工艺形成发光二极管的外延层以及待剥离牺牲层，待剥离牺牲层位于外延层的一面侧；/n（2）通过光罩工艺和蚀刻工艺处理所述牺牲层，形成牺牲层图形，在牺牲层图形周围外延层的所述一面侧被部分暴露；/n（3）在牺牲层图形的表面以及外延层的所述一面侧覆盖一层待图形化的绝缘层；/n（4）通过湿法蚀刻工艺剥离掉牺牲层图形以及所述牺牲层表面的绝缘层，形成图形化的绝缘层在外延层的所述一面侧。/n
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制作方法，包括：（1）通过外延生长工艺形成发光二极管的外延层以及待剥离牺牲层，待剥离牺牲层位于外延层的一面侧；
（2）通过光罩工艺和蚀刻工艺处理所述牺牲层，形成牺牲层图形，在牺牲层图形周围外延层的所述一面侧被部分暴露；
（3）在牺牲层图形的表面以及外延层的所述一面侧覆盖一层待图形化的绝缘层；
（4）通过湿法蚀刻工艺剥离掉牺牲层图形以及所述牺牲层表面的绝缘层，形成图形化的绝缘层在外延层的所述一面侧。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的步骤（2）为湿法蚀刻，所述的外延层包括与外延牺牲层接触的顶层，所述的顶层在步骤（2）中为蚀刻截止层。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的绝缘层为氟化物。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：其中位于所述的外延层的一面侧，所述外延牺牲层依次包括第一牺牲层和第二牺牲层，通过步骤（2）的湿法蚀刻工艺使所述的外延牺牲层在外延层的一面侧呈上宽下窄状。
5.根据权利要求4所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述第一牺牲层的厚度高于所述第二牺牲层的厚度，其中所述的第一牺牲层相对于第二牺牲层更接近外延层。
6.根据权利要求4所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的第一牺牲层和第二牺牲层为相同元素组成，但是所述的第一牺牲层为高In百分含量的外延层，所述的第二牺牲层为低In百分含量的外延层。
7.根据权利要求4所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的第一牺牲层和第二牺牲层在步骤（2）湿法蚀刻工艺中采用不同的蚀刻液进行蚀刻或者采用相同的蚀刻溶液蚀刻但是不同蚀刻速率。
8.根据权利要求4所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的第一牺牲层为含In组分不含Al的外延层，所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡均富，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。