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本专利公开了一种LED芯片的制造方法，所述方法包括如下步骤：在衬底上生长外延层材料，形成包括多个LED芯片的晶圆模块；在所述衬底上形成多层改质层，包括：在衬底中形成端部改质层，所述端部改质层位于所述衬底内距离衬底厚度方向端部附近；在衬底中形...
该专利属于北京中科优唯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中科优唯科技有限公司授权不得商用。

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