储存级存储器的双列直插式存储模块装置及访问数据方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及储存级存储器SCM的双列直插式存储模块DIMM装置及访问数据方法。本发明专利技术的装置及读写数据方法能够增加装置的内存空间、提高装置的速率性能、降低印刷电路板设计难度且使主机能够以低的开销访问非易失性存储器。

Dual in-line memory module device and data access method of storage level memory

【技术实现步骤摘要】
储存级存储器的双列直插式存储模块装置及访问数据方法
本专利技术涉及存储器领域。更具体地，本专利技术涉及储存级存储器SCM(StorageClassMemory)的双列直插式存储模块DIMM(DualIn-lineMemoryModule)装置及访问数据方法。
技术介绍
储存级存储器SCM的性双列直插式存储模块DIMM是一种新型的双列直插式存储模块，模块上存在可以以储存形式访问的内存空间。已知现有技术存在的一种储存级存储器SCM的双列直插式存储模块DIMM中的信号流向及接口示意图如图1所示。在图1中，利用分叉(stub)信号，主机(host)或中央处理单元CPU(CentralProcessingUnit)能够在正常工作时访问动态随机存取存储器DRAM(DynamicRandomAccessMemory)及控制器诸如非易失性控制器NVC(Non-VolatileController)，并且经由访问控制器来实现访问非易失性存储器诸如NANDFlash的目的，从而增加了系统的内存空间。分叉信号具体表现在如下方面：命令/地址CA(Com本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种储存级存储器的双列直插式存储模块装置，其特征在于，包括：/n第一存储区，所述第一存储区存储具有第一范围主机访问频率的数据；以及/n第二存储区，所述第二存储区存储具有第二范围主机访问频率的数据；/n其中，所述第一范围主机访问频率大于所述第二范围主机访问频率。/n

【技术特征摘要】
1.一种储存级存储器的双列直插式存储模块装置，其特征在于，包括：
第一存储区，所述第一存储区存储具有第一范围主机访问频率的数据；以及
第二存储区，所述第二存储区存储具有第二范围主机访问频率的数据；
其中，所述第一范围主机访问频率大于所述第二范围主机访问频率。


2.根据权利要求1所述的储存级存储器的双列直插式存储模块装置，其特征在于，
所述具有第二范围主机访问频率的数据间接地经由所述第一存储区而被存储在所述第二存储区中。


3.根据权利要求2所述的储存级存储器的双列直插式存储模块装置，其特征在于，
所述第一存储区中包括用于具有第二范围主机访问频率的数据的一预定大小的存储空间。


4.根据权利要求1-3中的任一项所述的储存级存储器的双列直插式存储模块装置，其特征在于，
所述第二存储区包括多个子存储区，所述多个子存储区各自存储具有不同范围的主机访问频率的数据。


5.根据权利要求4所述的储存级存储器的双列直插式存储模块装置，其特征在于，
所述第二存储区包括两个子存储区，所述两个子存储区为:
第一子存储区，所述第一子存储区存储具有第一子范围主机访问频率的数据；
第二子存储区，所述第二子存储区存储具有第二子范围主机访问频率的数据；
其中，所述第一子范围主机访问频率大于所述第二子范围主机访问频率。


6.一种用于储存级存储器的双列直插...

【专利技术属性】
技术研发人员：周小锋，左丰国，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61