储存级存储器的双列直插式存储模块装置及其缓存方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及储存级存储器的双列直插式存储模块装置及其缓存方法。本发明专利技术的储存级存储器的双列直插式存储模块能够将双列直插式存储模块上的非易失性存储器扩展为系统的存储器进行使用，使系统的存储器空间增加。另外，在本发明专利技术的储存级存储器SCM的双列直插式存储模块DIMM上存在一个核心的控制器，用于在输出命令/地址信号以及数据信号时对其进行驱动，以提高模块的速率性能。

Dual in-line memory module device of storage level memory and its caching method

【技术实现步骤摘要】
储存级存储器的双列直插式存储模块装置及其缓存方法
本专利技术涉及存储器领域。更具体地，本专利技术涉及储存级存储器(StorageClassMemory，SCM)的双列直插式存储模块(DualIn-lineMemoryModule，DIMM)装置及其缓存方法。
技术介绍
储存级存储器SCM的双列直插式存储模块DIMM是一种新型的双列直插式存储模块，模块上存在可以以储存形式访问的内存空间。已知现有技术存在的储存级存储器SCM的双列直插式存储模块DIMM中的信号流向及接口示意图如图1中所示。在现有技术中，利用分叉(stub)信号，主机(host)或中央处理单元CPU(CentralProcessingUnit)能够在正常工作时访问动态随机存取存储器DRAM(DynamicRandomAccessMemory)及控制器诸如非易失性控制器NVC(Non-VolatileController)，并且通过访问控制器来实现访问非易失性存储器NVM(Non-VolatileMemory)诸如NANDFlash的目的，从而增加系统的内存空间。分叉信本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种储存级存储器的双列直插式存储模块装置，其特征在于，所述双列直插式存储模块装置包括：/n第一存储区，所述第一存储区存储具有第一范围主机访问频率的数据；以及/n第二存储区，所述第二存储区存储具有第二范围主机访问频率的数据；/n其中，所述第一范围主机访问频率大于所述第二范围主机访问频率。/n

【技术特征摘要】
1.一种储存级存储器的双列直插式存储模块装置，其特征在于，所述双列直插式存储模块装置包括：
第一存储区，所述第一存储区存储具有第一范围主机访问频率的数据；以及
第二存储区，所述第二存储区存储具有第二范围主机访问频率的数据；
其中，所述第一范围主机访问频率大于所述第二范围主机访问频率。


2.根据权利要求1所述的储存级存储器的双列直插式存储模块装置，其特征在于，
所述第一存储区为动态随机存取存储器。


3.根据权利要求1所述的储存级存储器的双列直插式存储模块装置，其特征在于，
所述第二存储区包括多个子存储区，所述多个子存储区各自存储具有不同范围的主机访问频率的数据。


4.根据权利要求3所述的储存级存储器的双列直插式存储模块装置，其特征在于，
所述第二存储区包括三个子存储区，即:
第一子存储区、
第二子存储区、
第三子存储区；
其中所述第一子存储区、第二子存储区、第三子存储区各自存储具有不同范围的主机访问频率的数据。


5.根据权利要求4所述的储存级存储器的双列直插式存储模块装置，其特征在于，
所述第一子存储区中存储具有第一子范围主机访问频率的数据；
所述第二子存储区中存储具有第二子范围主机访问频率的数据；以及
所述第三子存储区中存储具有第三子范围主机访问频率的数据；
其中，第一子范围主机访问频率高于所述第二子范围主机访问频率，所述第二子范围主机访问频率高于所述第三子范围主机访问频率。


6.一种储存级存储器的双列直插式存储模块装置的缓存方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周小锋，江喜平，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61