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本发明涉及储存级存储器SCM的双列直插式存储模块DIMM装置及访问数据方法。本发明的装置及读写数据方法能够增加装置的内存空间、提高装置的速率性能、降低印刷电路板设计难度且使主机能够以低的开销访问非易失性存储器。...
该专利属于西安紫光国芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安紫光国芯半导体有限公司授权不得商用。

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