晶圆键合方法以及微执行器的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆键合方法以及一种微执行器的制作方法。所述晶圆键合方法在第一晶圆上形成焊盘金属层以及保护层后，利用光罩上的主掩膜图形定义位于主图形区域内的第一保护区，利用光罩上的辅助掩膜图形定义覆盖辅助图形区域的第二保护区，然后在第一保护区的保护下进行刻蚀形成金属焊盘，刻蚀过程中，由于第二保护区覆盖了辅助图形区域，使辅助图形不受刻蚀的影响，同时由于焊盘金属层位于第二保护区外，可以将金属焊盘以外的焊盘金属层去除干净，之后再将第一晶圆和第二晶圆键合时，由于焊盘金属材料没有残留，可以优化第一晶圆和第二晶圆的键合表面的平整度，提高晶圆键合良率。所述微执行器的制作方法利用了上述晶圆键合方法。

Wafer bonding and micro actuator fabrication

【技术实现步骤摘要】
晶圆键合方法以及微执行器的制作方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆键合方法以及一种微执行器的制作方法。
技术介绍
晶圆键合是半导体元器件制作中的常见工艺。晶圆键合技术通过化学或物理作用将两片晶圆紧密地键合起来，以真空键合为例，两片晶圆在高真空环境下达到足够近的接触，通过相邻材料界面之间的分子间作用力(范德华力或氢键)，进一步拉近两个表面原子间的距离，从而使界面直接形成共价键。以一种微执行器的制作为例，其通过晶圆键合构建上下低阻梳齿结构，通常包括键合在一起的器件晶圆和盖板晶圆。其中，在晶圆键合之前，在器件晶圆上会先通过沉积金属层以及图形化工艺形成凸起设计的金属焊盘，而在盖板晶圆对应于金属焊盘的位置形成凹槽，然后再将两个晶圆键合在一起。但是，利用现有工艺在将器件晶圆和盖板晶圆键合之后，键合效果并不理想，突出表现在，在器件晶圆的主图形之外的区域，存在残留的焊盘金属材料，其存在导致器件晶圆和盖板晶圆在该区域的平整度差，进而使得局部键合不良(bondingfail)。
技术实现思路
为了有效去除器件晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：/n在第一晶圆上沉积焊盘金属层，所述第一晶圆表面包括主图形区域和辅助图形区域，所述焊盘金属层覆盖所述主图形区域且露出所述辅助图形区域；/n形成保护层于所述焊盘金属层上，所述保护层还延伸覆盖所述辅助图形区域；/n利用一光罩对所述保护层进行图形化处理，所述光罩具有主掩膜图形和辅助掩膜图形，其中，利用所述主掩膜图形在所述第一晶圆上定义位于所述主图形区域内的第一保护区，利用所述辅助掩膜图形定义覆盖所述辅助图形区域的第二保护区，所述焊盘金属层位于所述第二保护区外；/n刻蚀所述焊盘金属层，以在所述第一晶圆上对应于所述第一保护区形成金属焊盘，然后去除图形化的所述保护层...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：
在第一晶圆上沉积焊盘金属层，所述第一晶圆表面包括主图形区域和辅助图形区域，所述焊盘金属层覆盖所述主图形区域且露出所述辅助图形区域；
形成保护层于所述焊盘金属层上，所述保护层还延伸覆盖所述辅助图形区域；
利用一光罩对所述保护层进行图形化处理，所述光罩具有主掩膜图形和辅助掩膜图形，其中，利用所述主掩膜图形在所述第一晶圆上定义位于所述主图形区域内的第一保护区，利用所述辅助掩膜图形定义覆盖所述辅助图形区域的第二保护区，所述焊盘金属层位于所述第二保护区外；
刻蚀所述焊盘金属层，以在所述第一晶圆上对应于所述第一保护区形成金属焊盘，然后去除图形化的所述保护层；以及
将所述第一晶圆和第二晶圆键合，所述第二晶圆上设置有凹槽，所述金属焊盘与所述凹槽相对设置。


2.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述辅助图形区域包括设置有基准对位标记的区域。


3.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述保护层包括负性光阻；所述光罩在所述辅助掩膜图形的区域设置有透光开口，所述透光开口的尺寸与所述第二保护区的尺寸相同。


4.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，在所述第一晶圆上沉积所述焊盘金属层之前，所述第一晶圆表面形成有金属接触垫，所述晶圆键合方法在沉积所述焊盘金属层之前，还包括：
在所述第一晶圆上形成钝化层，所述钝化层具有露出所述金属接触垫的开口和露出所述辅助图形区域的开口。


5.如权利要求1至4任一项所述的晶圆键合方...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡双，许继辉，刘国安，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33