清洁装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种清洁装置。所述清洁装置包括：第一喷口，用于朝向一待清洁表面喷射清洗液；第二喷口，用于朝向所述待清洁表面喷射气体，所述清洗液与所述气体混合后形成超临界流体，以去除残留于所述待清洁表面的杂质。本发明专利技术一方面，提高了所述清洁装置的清洁效率；另一方面，提高所述清洁装置的清洁能力。另外，从所述超临界流体中释放的所述气体还能有效的防止晶圆在传送过程中被腐蚀，从而改善晶圆产品的质量。

Cleaning device

【技术实现步骤摘要】
清洁装置
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种清洁装置。
技术介绍
随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR(3D或非)闪存和3DNAND(3D与非)闪存。其中，3DNAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。在3DNAND存储器等半导体器件的制造工艺中，化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolish，CMP)是至关重要的步骤。然而，化学机械研磨装置中研磨垫表面清洁与否，是化学机械研磨过程能否顺利进行、以及评价化学机械研磨质量的一个重要指标。但是，现有的方法不能有效的清除研磨垫表面的杂质，且清洁效率较低，从而导致晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洁装置，其特征在于，包括：/n第一喷口，用于朝向一待清洁表面喷射清洗液；/n第二喷口，用于朝向所述待清洁表面喷射气体，所述清洗液与所述气体混合后形成超临界流体，以去除残留于所述待清洁表面的杂质。/n

【技术特征摘要】
1.一种清洁装置，其特征在于，包括：
第一喷口，用于朝向一待清洁表面喷射清洗液；
第二喷口，用于朝向所述待清洁表面喷射气体，所述清洗液与所述气体混合后形成超临界流体，以去除残留于所述待清洁表面的杂质。


2.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述第一喷口环绕所述第二喷口的外周设置。


3.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，包括喷嘴，所述喷嘴包括：喷嘴本体；
第一通道，位于所述喷嘴本体内部，用于与所述第一喷口连通；
第二通道，位于所述喷嘴本体内部，用于与所述第二喷口连通，所述第二通道嵌套于所述第一通道内。


4.根据权利要求3所述的清洁装置，其特征在于，所述喷嘴还包括：
第一入口，位于所述喷嘴本体背离所述第一喷口的端部，用于向所述第一通道传输所述清洗液，所述第一入口偏离所述喷嘴本体的中心设置；
第二入口，位于所述喷嘴本体背离所述第二喷口的端部，用于向所述第二通道传输所述气体，所述第二入口与所述喷嘴本体的中心对准设置。

【专利技术属性】
技术研发人员：郑凯铭，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42