体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备技术

本发明专利技术公开了一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：所述谐振器还包括设置在压电层的顶面的下方与基底的顶面之间的至少一个下凸起结构，所述至少一个下凸起结构包括第一凸起结构；顶电极具有桥翼结构，且桥翼结构下侧设置有第二凸起结构，第二凸起结构的外侧与压电层顶面之间具有间隙，且第二凸起结构的内侧延伸到压电层的顶面；在谐振器的厚度方向上的投影中，第一凸起结构与第二凸起结构之间在谐振器的有效区域内存在重合部分。本发明专利技术还公开了一种具有该谐振器的滤波器及具有该滤波器或谐振器的电子设备。

Bulk acoustic resonator and its manufacturing method, filter and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器及其制造方法、一种滤波器，以及一种具有该谐振器或该滤波器的电子设备。
技术介绍
近年来随着无线通讯
的高速发展，滤波器在射频前端领域得到了广泛的应用。其中，薄膜体声波谐振器作为体声波射频滤波器的基本组成单元，与声表面波射频滤波器相比，由于具备较小的尺寸、较高的机电耦合系数和Q值(品质因子)，在射频前端领域，尤其是高频GHz频段上，展现出更大的发展前景。谐振器的Q值越大，声波能量损失越小，以此制备的薄膜体声波滤波器的插入损耗越小，滚降越快。因此薄膜体声波谐振器的Q值成为体声波滤波器器件性能好坏的关键因素。提升谐振器的Q值，有望实现更高性能的射频滤波器，使得体声波滤波器在无线通信领域展现出更大的优势。如图1所示，传统薄膜体声波谐振器会在有效区域的边缘设置凸起结构100，该声反射层可增加谐振器对声波的反射能力，有提高Q值的作用。在图1中，附图标记如下：10：基底，30：声学镜，50：第一种子层；60：底电极，110：压电层，70：空隙，80：顶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n基底；/n声学镜；/n底电极；/n顶电极；/n压电层，设置在底电极与顶电极之间，/n其中：/n所述谐振器还包括设置在压电层的顶面的下方与基底的顶面之间的至少一个下凸起结构，所述至少一个下凸起结构包括第一凸起结构；/n顶电极具有桥翼结构，且桥翼结构下侧设置有第二凸起结构，第二凸起结构的外侧与压电层顶面之间具有间隙，且第二凸起结构的内侧延伸到压电层的顶面；/n在谐振器的厚度方向上的投影中，第一凸起结构与第二凸起结构之间在谐振器的有效区域内存在重合部分。/n

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；
压电层，设置在底电极与顶电极之间，
其中：
所述谐振器还包括设置在压电层的顶面的下方与基底的顶面之间的至少一个下凸起结构，所述至少一个下凸起结构包括第一凸起结构；
顶电极具有桥翼结构，且桥翼结构下侧设置有第二凸起结构，第二凸起结构的外侧与压电层顶面之间具有间隙，且第二凸起结构的内侧延伸到压电层的顶面；
在谐振器的厚度方向上的投影中，第一凸起结构与第二凸起结构之间在谐振器的有效区域内存在重合部分。


2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述第一凸起结构的厚度小于所述第二凸起结构的厚度。


3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述第一凸起结构的厚度在的范围内。


4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
所述第一凸起结构的厚度在的范围内。


5.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
第二凸起结构的材料选自钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、锇、铬或以上金属的复合或其合金，或者不导电固态介质材料；和/或
第一凸起结构的材料选自钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、锇、铬或以上金属的复合或其合金，或者空气或者不导电固态介质材料。


6.根据权利要求1-5中任一项所述的谐振器，其中：
所述第二凸起结构的内侧与所述第一凸起结构的内侧在谐振器的横向方向上彼此错开一个距离d1；和/或
所述第一凸起结构的内侧与所述第二凸起结构下方的间隙的内侧在谐振器的横向方向上彼此错开一个距离d2。


7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
距离d1在0.2-10μm的范围内；和/或
距离d2在0.2-10μm的范围内。


8.根据权利要求1-7中任一项所述的谐振器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞慰，孔庆路，杨清瑞，张孟伦，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12