一种晶圆测试方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆测试方法及装置，所述方法包括：获取相同产品多个不同批次晶圆中的部分批次晶圆，每个批次中有多个晶圆，每个所述晶圆上具有若干个芯片；获取每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆，对每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆依次进行探针测试和形貌测试后，获取部分批次中的每个批次的晶圆测试图和优化晶圆测试图，其中，下一批次晶圆根据上一批次的优化晶圆测试图进行探针测试；对部分批次中的每个批次晶圆测试图统计分析获取最终的晶圆测试图；本发明专利技术还公开了一种晶圆测试装置，本发明专利技术公开的技术方案有效提高晶圆测试效率，减少探针损伤。

A test method and device for wafer

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆测试方法及装置
本专利技术属于半导体测试
，特别涉及一种晶圆测试方法及装置。
技术介绍
半导体组件的制造过程，大致上可分为晶圆制造、晶圆测试、封装及最后的测试，晶圆制造是在硅晶圆上制作电子电路组件，制作完成之后，晶圆上变成一个个的晶粒(die)，接着晶圆测试步骤针对晶粒作电性测试，将不合格的晶粒淘汰，并将晶圆切割成若干个晶粒，而封装是将合格的晶粒经过包装与打线的步骤，使晶粒成为集成电路(IntegratedCircuit，IC)，最后要再经过电性测试确保集成电路的质量。关于晶圆测试技术，依晶圆制造的不同阶段，分为芯片测试与成品测试两种。前者是以探针在产品仍处于晶圆制造阶段时进行的芯片良莠测试。对体积更小、功能更强的芯片的需求正推动集成电路产业的发展，同时也推动着集成电路设计和测试的发展。降低测试成本成为晶圆测试发展的首要目标。现有技术中，对每个晶圆上的芯片都需要进行探针测试，这样降低了测试效率，测试成本较高。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于克服上述问题或者至少部分地解决或缓减解决上述问题，通过本专利技术公开的技术方案可以有效解决测试效率低下的问题。第一方面，本专利技术公开了一种晶圆测试方法，包括：获取相同产品多个不同批次晶圆中的部分批次晶圆，每个批次中有多个晶圆，每个所述晶圆上具有若干个芯片；获取每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆，对每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆依次进行探针测试和形貌测试后，获取部分批次中的每个批次的晶圆测试图和优化晶圆测试图，其中，下一批次晶圆根据上一批次的优化晶圆测试图进行探针测试；对部分批次中的每个批次晶圆测试图统计分析获取最终的晶圆测试图；根据获得最终的晶圆测试图对相同产品其它晶圆进行探针测试。优选地，所述对所述每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆依次进行探针测试和形貌测试后，获取部分批次中的每个批次的晶圆测试图和优化晶圆测试图，包括：对每个所述部分批次晶圆中第一批次晶圆中的的一个晶圆进行探针测试，获得第一晶圆测试图，所述第一晶圆测试图上设置有失效芯片位置和有效芯片位置；对所述第一晶圆测试图上的失效芯片进行形貌测试，获得形貌测试结果，当第一晶圆测试图上的失效芯片经形貌测试合格时，在所述第一晶圆测试图上将失效芯片位置修改为有效芯片位置，获得并存储第一优化晶圆测试图；根据第一优化晶圆测试图对所述部分批次晶圆中的第二批次晶圆中的一个晶圆进行探针测试，获取第二晶圆测试图，所述第二晶圆测试图上标注有失效芯片位置和有效芯片位置；对所述第二晶圆测试图上的失效芯片进行形貌测试，获得形貌测试结果，当第二晶圆测试图上的失效芯片经形貌测试合格时，在所述第二晶圆测试图上将失效芯片位置修改为有效芯片位置，获得并存储第二优化晶圆测试图；重复上述步骤直到将获取每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆测试完毕，获取部分批次中的每个批次晶圆的优化晶圆测试图。优选地，所述对所述每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆先进行探针测试，获得晶圆测试图，然后进行形貌测试后，根据形貌测试结果优化晶圆测试图获取部分批次中的每个批次的优化晶圆测试图，包括：对每个所述部分批次晶圆中的第一批次晶圆中的一个晶圆进行探针测试，获得第一晶圆测试图，所述第一晶圆测试图上设置有失效芯片位置和有效芯片位置；对所述第一晶圆测试图上的失效芯片进行形貌测试，获得形貌测试结果，当第一晶圆测试图上的失效芯片经形貌测试合格时，在所述第一晶圆测试图上将失效芯片位置修改为有效芯片位置，获得并存储第一优化晶圆测试图；根据第一优化晶圆测试图对所述部分批次晶圆中的第二批次晶圆中的一个晶圆进行探针测试，获取第二晶圆测试图，所述第二晶圆测试图上标注有失效芯片位置和有效芯片位置；对所述第二晶圆测试图上的失效芯片进行形貌测试，获得形貌测试结果，将所述第二晶圆测试图上的失效芯片进行形貌测试结果与所述第一优化晶圆测试图进行对比，判断所述第一优化晶圆测试图上除失效芯片位置之外是否存在失效芯片，如果存在，则在所述第一优化晶圆测试图上将有效芯片位置修改为无效芯片位置，判断所述第一优化晶圆测试图上除失效芯片位置上是否存在失效芯片，如果存在，则在所述第一优化晶圆测试图上将无效芯片位置修改为有效芯片位置，最终获得并存储第二优化晶圆测试图；重复上述步骤直到将获取每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆测试完毕，获取部分批次中的每个批次晶圆的晶圆测试图和优化晶圆测试图。优选地，所述部分批次晶圆为相同产品的五个批次。优选地，所述对部分批次中的每个批次优化晶圆测试图统计分析获取最终的晶圆测试图，包括，统计所述部分批次晶圆第一晶圆测试图中失效芯片在部分批次晶圆晶圆测试图中相同位置测试结果和在其它批次晶圆中失效芯片在部分批次晶圆晶圆测试图中相同位置测试结果，并计算第一晶圆测试图中失效芯片的良率和其它批次晶圆晶圆测试图中失效芯片的良率，如果第一晶圆测试图中存在失效芯片的良率和其它批次晶圆晶圆测试图中存在失效芯片的良率大于预设阈值，则确定第一晶圆测试图中的失效芯片和其它批次晶圆晶圆测试图中的失效芯片修改为有效芯片；如果第一晶圆测试图中存在失效芯片的良率和其它批次晶圆中存在失效芯片的良率小于预设阈值，则将确定第一次晶圆测试图中的失效芯片和在其它批次晶圆中的失效芯片为失效芯片。优选地，所述失效芯片位置和有效芯片位置通过位置坐标进行标注。优选地，所述形貌测试通过显微镜进行目测。与现有技术相比，本专利技术提供的一种晶圆测试方法通过获取相同产品多个不同批次晶圆中的部分批次晶圆，每个批次中有多个晶圆，每个所述晶圆上具有若干个芯片；获取每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆，对每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆依次进行探针测试和形貌测试后，获取部分批次中的每个批次的晶圆测试图和优化晶圆测试图，其中，下一批次晶圆根据上一批次的优化晶圆测试图进行探针测试；对部分批次中的每个批次晶圆测试图统计分析获取最终的晶圆测试图；根据获得最终的晶圆测试图对相同产品其它晶圆进行探针测试。本专利技术公开的技术方案通过对晶圆测试图进行多次优化，获得最终的测试晶圆图，这样避免对晶圆上无效芯片进行测试，这样可以提高测试效率，减少了探针损坏，降低测试成本。第二当面，本专利技术还公开了一种晶圆测试装置，包括：获取模块，用于获取相同产品多个不同批次晶圆中的部分批次晶圆，每个批次中有多个晶圆，每个所述晶圆上具有若干个芯片；第一测试模块，用于获取每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆，对每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆依次进行探针测试和形貌测试后，获取部分批次中的每个批次的晶圆测试图和优化晶圆测试图，其中，下一批次晶圆根据上一批次的优化晶圆测试图进行探针测试；统计分析模块，用于对部分批次中的每个批次晶圆测试图统计分析获取最终的晶圆测试图；第二测试模块，用于根据获得最终的晶圆测试图对相同产品其它晶圆进行探针测试。与现有技术相比，本专利技术提供的一种晶圆测试装置的有益效果与上述任一一技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆测试方法，其特征在于，包括：/n获取相同产品多个不同批次晶圆中的部分批次晶圆，每个批次中有多个晶圆，每个所述晶圆上具有若干个芯片；/n获取每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆，对每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆依次进行探针测试和形貌测试后，获取部分批次中的每个批次的晶圆测试图和优化晶圆测试图，其中，下一批次晶圆根据上一批次的优化晶圆测试图进行探针测试；/n对部分批次中的每个批次晶圆测试图统计分析获取最终的晶圆测试图；/n根据获得最终的晶圆测试图对相同产品其它晶圆进行探针测试。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试方法，其特征在于，包括：
获取相同产品多个不同批次晶圆中的部分批次晶圆，每个批次中有多个晶圆，每个所述晶圆上具有若干个芯片；
获取每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆，对每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆依次进行探针测试和形貌测试后，获取部分批次中的每个批次的晶圆测试图和优化晶圆测试图，其中，下一批次晶圆根据上一批次的优化晶圆测试图进行探针测试；
对部分批次中的每个批次晶圆测试图统计分析获取最终的晶圆测试图；
根据获得最终的晶圆测试图对相同产品其它晶圆进行探针测试。


2.如权利要求1所述的一种晶圆测试方法，其特征在于，所述对所述每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆先进行探针测试，获得晶圆测试图，然后进行形貌测试后，根据形貌测试结果优化晶圆测试图获取部分批次中的每个批次的优化晶圆测试图，包括：
对每个所述部分批次晶圆中的第一批次晶圆中的一个晶圆进行探针测试，获得第一晶圆测试图，所述第一晶圆测试图上设置有失效芯片位置和有效芯片位置；
对所述第一晶圆测试图上的失效芯片进行形貌测试，获得形貌测试结果，当第一晶圆测试图上的失效芯片经形貌测试合格时，在所述第一晶圆测试图上将失效芯片位置修改为有效芯片位置，获得并存储第一优化晶圆测试图；
根据第一优化晶圆测试图对所述部分批次晶圆中的第二批次晶圆中的一个晶圆进行探针测试，获取第二晶圆测试图，所述第二晶圆测试图上标注有失效芯片位置和有效芯片位置；
对所述第二晶圆测试图上的失效芯片进行形貌测试，获得形貌测试结果，当第二晶圆测试图上的失效芯片经形貌测试合格时，在所述第二晶圆测试图上将失效芯片位置修改为有效芯片位置，获得并存储第二优化晶圆测试图；
重复上述步骤直到将获取每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆测试完毕，获取部分批次中的每个批次晶圆的晶圆测试图和优化晶圆测试图。


3.如权利要求1所述的一种晶圆测试方法，其特征在于，所述对所述每个所述部分批次晶圆中的一个晶圆先进行探针测试，获得晶圆测试图，然后进行形貌测试后，根据形貌测试结果优化晶圆测试图获取部分批次中的每个批次的优化晶圆测试图，包括：
对每个所述部分批次晶圆中的第一批次晶圆中的一个晶圆进行探针测试，获得第一晶圆测试图，所述第一晶圆测试图上设置有失效芯片位置和有效芯片位置；
对所述第一晶圆测试图上的失效芯片进行形貌测试，获得形貌测试结果，当第一晶圆测试图上的失效芯片经形貌测试合格时，在所述第一晶圆测试图上将失效芯片位置修改为有效芯片位置，获得并存储第一优化晶圆测试图；
根据第一优化晶圆测试图对所述部分批次晶圆中的第二批次晶圆中的一个晶圆进行探针测试，获取第二晶圆测试图，所述第二晶圆测试图上...

【专利技术属性】
技术研发人员：诸舜杰，岳瑞芳，李宏亮，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31