静电测量设备及静电测量方法技术

本发明专利技术公开了一种用于半导体晶圆表面静电测量的静电测量设备，包括：支撑部顶部设有多个第一电性测量件，各第一电性测量件第一端分别与半导体晶圆各晶粒测试触点电性连接；第二电性测量件卡固在半导体晶圆周侧并形成电性连接；测量单元第一端电性连接各第一电性测量件第二端，其第二端电性连接第二电性测量件，其用于测量第一电性测量件和第二电性测量件之间电流。本发明专利技术还公开了一种用于半导体晶圆表面静电测量的静电测量方法。通过本发明专利技术提供的静电测量设备/测量方法能够在半导体生产中及时发现晶圆静电，并能够通过本发明专利技术提供的静电测量设备将晶圆静电接地导出，避免晶圆静电造成后续工艺缺陷，进而提高半导体产品的良品率，提高生产效率。

Electrostatic measuring equipment and methods

【技术实现步骤摘要】
静电测量设备及静电测量方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种用于半导体晶圆的静电测量设备。本专利技术还涉及一种利用所述静电测量设备的静电测量方法。
技术介绍
在晶圆生产过程中由于生产设备的特性在生产过程中会产生大量静电，使晶圆处于带电状态。如果工艺结束后静电没有被有效释放，晶圆本身会是一个带电状态，在后续的生产工艺中，这种带电状态会影响正常的工艺进行，产生一定的缺陷。例如在生产工艺过程中离子注入机台由于使用高剂量的等离子体注入使晶圆的带电，这种带电现象会在钨连接孔化学机械研磨的过程从导致研磨液静电吸附团聚产生小球状缺陷，影响产品的良品率。因此，需要对晶圆生产过程中的静电进行测量机释放，避免由于晶圆静电造成产品的缺陷。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电测量设备，其用于半导体晶圆表面静电测量，其特征在于，包括：/n支撑部，其顶部设有多个第一电性测量件；/n多个第一电性测量件，各第一电性测量件第一端分别与半导体晶圆各晶粒测试触点电性连接；/n第二电性测量件，其卡固在半导体晶圆周侧并形成电性连接；/n测量单元，其第一端电性连接各第一电性测量件第二端，其第二端电性连接第二电性测量件，其用于测量第一电性测量件和第二电性测量件之间电流；/n其中，多个第一电性测量件对半导体晶圆形成支撑，多个第一电性测量件与支撑部绝缘。/n

【技术特征摘要】
1.一种静电测量设备，其用于半导体晶圆表面静电测量，其特征在于，包括：
支撑部，其顶部设有多个第一电性测量件；
多个第一电性测量件，各第一电性测量件第一端分别与半导体晶圆各晶粒测试触点电性连接；
第二电性测量件，其卡固在半导体晶圆周侧并形成电性连接；
测量单元，其第一端电性连接各第一电性测量件第二端，其第二端电性连接第二电性测量件，其用于测量第一电性测量件和第二电性测量件之间电流；
其中，多个第一电性测量件对半导体晶圆形成支撑，多个第一电性测量件与支撑部绝缘。


2.如权利要求1所述静电测量设备，其特征在于，还包括：控制件，其第一端电性连接测量单元第一端，其第二端电性连接地。


3.如权利要求1所述静电测量设备，其特征在于：所述支撑部包括支撑台和载物台；
支撑台，其为框架结构，用于支撑固定载物台；
载物台，其为绝缘材料制造，其顶面为平面，其用于支撑各第一电性测量件，第一电性测量件能在其顶面移动位置。


4.如权利要求1所述静电测量设备，其特征在于：所述第一电性测量件的数量大于等于13。


5.如权利要求1所述静电测量设备，其特征在于：所述第一电性测量件为顶部形成有导电接触角的圆柱体。


6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁增艺，龙吟，王恺，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31