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本发明公开了一种用于半导体晶圆表面静电测量的静电测量设备，包括：支撑部顶部设有多个第一电性测量件，各第一电性测量件第一端分别与半导体晶圆各晶粒测试触点电性连接；第二电性测量件卡固在半导体晶圆周侧并形成电性连接；测量单元第一端电性连接各第一电...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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