化合物、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于OLED技术领域并提供了一种用作空穴传输材料和电子阻挡材料的化合物，所述化合物具有[化学式1]所示的通式结构，在[化学式1]中，L

Compounds, display panels and display devices

【技术实现步骤摘要】
化合物、显示面板和显示装置
本专利技术属于OLED
，具体涉及一种主要用作空穴传输材料和电子阻挡材料的化合物、包括该化合物的显示面板和显示装置。
技术介绍
手机消费品等中小尺寸OLED屏幕很多采用R、G、B子像素显示方式。为了提高生产良率，往往会将一些功能层设计为公共层，这样就可以减少FMM(精细金属掩膜)的使用，而空穴传输层经常采用公共层，一般公共空穴传输层可以用市售材料。现有的空穴传输材料技术存在几个问题。一是材料溶解性不好，会导致量产时的蒸镀掩膜清洗效果不好；二是材料的迁移率太慢，会导致器件的整体电压太高；三是材料的迁移率过快，尤其是材料横向迁移率过快，导致相邻像素之间发生串扰；四是材料的LUMO能级太深，不能有效阻挡可能越过发光层的电子迁移；五是材料的三线态能级较低，不能同时实现RGB三色中的空穴的有效传输，导致掩膜使用数量的增加以及工艺难度的提升。因此，有必要设计和开发性能更好的空穴传输材料。
技术实现思路
本专利技术提供一种化合物，所述化合物具有[化学式1]所示的通式结构：其中，在[化学式1]中，L1和L2分别独立地选自单键、取代或未取代的C6-C40亚芳基或取代或未取代的C4-C40亚杂芳基；Ar1和Ar2分别独立地选自[化学式2]和[化学式3]表示的基团，且Ar1和Ar2彼此不相同；在[化学式2]中，R1和R2分别独立地选自取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C12-C40稠芳基、取代或未取代的C4-C40杂芳基；在[化学式3]中，Cy表示稠合的C6-C20芳香环，X选自O原子或S原子；杂芳基或亚杂芳基中的杂原子选自P、S、N、O、B、Si中的一种或多种；*表示连接位置。本专利技术提供的化合物含有稠环并氧杂芴/硫杂芴、咔唑基团和二芳胺基团的空穴传输材料。这种材料的化合物分子具有较浅的LUMO值和合适的HOMO值，可以有效地提升空穴的传输能力，有效阻挡电子的跃迁。本专利技术的化合物还具有较高的三线态能级ET，可以有效阻挡激子的传输，将激子限制在发光层中，提升空穴的传输。此外，本专利技术的化合物具有高的空穴迁移率，优异的热稳定性和薄膜稳定性，有利于提升发光效率和器件寿命。附图说明图1示出本专利技术的一个示例性化合物HT001的化学结构；图2是本专利技术实施例提供的OLED器件的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种显示装置的示意图。具体实施方式下面通过实施例和对比例进一步说明本专利技术，这些实施例只是用于说明本专利技术，本专利技术不限于以下实施例。凡是对本专利技术技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本专利技术技术方案的范围，均应涵盖在本专利技术的保护范围中。本专利技术的一方面提供一种化合物，所述化合物具有[化学式1]所示的通式结构：其中，在[化学式1]中，L1和L2分别独立地选自单键、取代或未取代的C6-C40亚芳基或取代或未取代的C4-C40亚杂芳基；Ar1和Ar2分别独立地选自[化学式2]和[化学式3]表示的基团，且Ar1和Ar2彼此不相同；在[化学式2]中，R1和R2分别独立地选自取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C12-C40稠芳基、取代或未取代的C4-C40杂芳基；在[化学式3]中，Cy表示稠合的C6-C20芳香环，X选自O原子或S原子；杂芳基或亚杂芳基中的杂原子选自P、S、N、O、B、Si中的一种或多种；*表示连接位置。本专利技术的化合物具有咔唑和芳胺结构，具有良好的空穴传输能力，并且二苯并噻吩或二苯并呋喃基团的加入可以有效地调节分子的HOMO能级，以便匹配其他发光功能层的材料。根据本专利技术所述化合物的一种实施方式，L1和L2选自单键，Ar1选自[化学式2]表示的基团，Ar2选自[化学式3]表示的基团。本实施例的分子合成简便，并且不会增大分子本身的共轭链长度，从而不会导致空穴传输型材料的吸收变差。根据本专利技术所述化合物的一种实施方式，在[化学式2]中，R1和R2选自苯基。[化学式2]的基团中的R1和R2选自苯基时，不会导致分子的溶解度变差而增加掩膜的清洗难度，也不会增大分子本身的共轭链长度，从而不会导致空穴传输型材料的吸收变差。根据本专利技术所述化合物的一种实施方式，在[化学式3]中，Cy表示稠合的苯环。根据本专利技术所述化合物的一种实施方式，L1和L2各自独立地选自如下所示的任一种基团：Z1和Z2各自独立地选自氢原子、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30稠芳基、取代或未取代的C6-C30稠杂芳基、取代或未取代的C1-C16烷基、取代或未取代的C1-C16烷氧基；p和q各自独立地选自1、2、3；#表示连接位置。根据本专利技术所述化合物的一种实施方式，L1和L2各自独立地选自如下所示的任一种基团：根据本专利技术所述化合物的一种实施方式，所述化合物选自以下化合物中的任意一种：根据本专利技术所述化合物的一种实施方式，所述化合物的三线态能级ET为2.6eV以上。本专利技术的化合物具有高的三线态能级，可以有效阻挡激子的传输，将激子限制在发光层中，防止激子的损失，从而提升器件的发光效率。根据本专利技术所述化合物的一种实施方式，所述化合物的玻璃化转变温度Tg为120℃以上。本专利技术还提供一种显示面板，包括有机发光器件，其中所述有机发光器件包括相对设置的阳极、阴极，位于阳极与阴极之间的空穴传输层和发光层，其中空穴传输层的材料包括本专利技术所述的化合物中的一种或多种。根据本专利技术所述的显示面板的一种实施方式，所述显示面板还包括位于阳极与阴极之间的电子阻挡层，所述电子阻挡层包括本专利技术所述的化合物中的一种或多种。在本专利技术提供的显示面板中，有机发光器件的阳极材料可以选自金属例如铜、金、银、铁、铬、镍、锰、钯、铂等及它们的合金。阳极材料也可以选自金属氧化物如氧化铟、氧化锌、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等；阳极材料还可以选自导电性聚合物例如聚苯胺、聚吡咯、聚(3-甲基噻吩)等。此外，阳极材料还可以选自除以上列举的阳极材料以外的有助于空穴注入的材料及其组合，其包括已知的适合做阳极的材料。在本专利技术提供的显示面板中，有机发光器件的阴极材料可以选自金属例如铝、镁、银、铟、锡、钛等及它们的合金。阴极材料也可以选自多层金属材料例如LiF/Al、LiO2/Al、BaF2/Al等。除了以上列举的阴极材料以外，阴极材料还可以是有助于电子注入的材料及其组合，包括已知的适合做阴极的材料。在本专利技术的实施例中，有机发光器件的制作过程为：在透明或不透明的光滑的基板上形成阳极，在阳极上形成有机薄膜层，在有机薄膜层上形成阴极。有机薄膜层的形成可以采用如蒸镀、溅射、旋涂、浸渍、离子镀等已知的成膜方法。其中有机薄膜层至少包括空穴传输层和发光层，空穴传输层的材料为本专利技术所述的化合物。其中有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有[化学式1]所示的通式结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有[化学式1]所示的通式结构：



其中，在[化学式1]中，L1和L2分别独立地选自单键、取代或未取代的C6-C40亚芳基或取代或未取代的C4-C40亚杂芳基；
Ar1和Ar2分别独立地选自[化学式2]和[化学式3]表示的基团，且Ar1和Ar2彼此不相同；



在[化学式2]中，R1和R2分别独立地选自取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C12-C40稠合芳基、取代或未取代的C4-C40杂芳基；
在[化学式3]中，Cy表示稠合的C6-C20芳香环，X选自O原子或S原子；
杂芳基或亚杂芳基中的杂原子选自P、S、N、O、B、Si中的一种或多种；
*表示连接位置。


2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，L1和L2选自单键，Ar1选自[化学式2]表示的基团，Ar2选自[化学式3]表示的基团。


3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，在[化学式2]中，R1和R2选自苯基。


4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，在[化学式3]中，Cy表示稠合的苯环。


5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，L1和L2各自独立地选自如下所示的任一种基团：



Z1和Z2各自独立地选自氢原子、取代或未取代的C6-C30芳基...

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，高威，牛晶华，代文朋，李侠，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31