【技术实现步骤摘要】
一种新型氧化锌材料的制备方法
本专利技术涉及氧化锌制备
，尤其涉及一种新型氧化锌材料的制备方法。
技术介绍
氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，对应的响应波长在380nm左右，激子束缚能高达60meV，使ZnO在室温下也发生激子吸收和复合，且其光增益系数高达300cm-1，由于ZnO体积小，制备简单、响应波段窄，灵敏度高等优点，使得ZnO迅速成国际研究的热点，而纳米级的ZnO具有更多的优异的性能，如压电效应、近紫外光电效应、生物兼容性、透明导电现象等，可以压电材料领域、紫外光激发探测领域、太阳能电池领域、气体传感器等领域得到应用，这些不同的应用使得ZnO材料具有广泛的研究价值。ZnO纳米结构也被用于目前在消费市场上可用的许多商业产品，ZnO纳米结构的物理化学，结构和形貌特征主要取决于它们的合成过程，此前已经有个相关的制造技术，如纳米粒子、纳米棒、纳米线、纳米带、纳米管、纳米片和纳米球，还有由低维纳米材料构建的分层结构，例如纳米片组装的花状结构，Mn掺杂的氧化锌纳米球，纳米片...
【技术保护点】
1.一种新型氧化锌材料的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：/nS1：取蓝宝石基片作为生长衬底，并对其进行清洗；/nS2：选用ZnO作为靶材，采用脉冲激光沉积技术，通入氧气流，并控制在特定温度下生长一段时长，待生长结束后，自然冷却至室温，便得到ZnO籽晶层；/nS3：称取一定量的乙酸锌（Zn(CH
【技术特征摘要】
1.一种新型氧化锌材料的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
S1：取蓝宝石基片作为生长衬底，并对其进行清洗；
S2：选用ZnO作为靶材，采用脉冲激光沉积技术，通入氧气流，并控制在特定温度下生长一段时长，待生长结束后，自然冷却至室温，便得到ZnO籽晶层；
S3：称取一定量的乙酸锌（Zn(CH3COO)2·2H2O）和六次甲基四胺(HMTA)，浓度配比设定为1:1，将其充分溶解，从而配得反应液；
S4：将ZnO籽晶层基片放入聚四氟乙烯反应釜中，倒入配制好的反应液，密封后放入恒温干燥箱中，设置一定的反应时间和反应温度，使其在水溶液中生长；
S5：反应完成后待自然冷却，将生长好的基片从反应釜中取出，去除表面多余的反应液，将其浸泡在去离子水中一段时间后烘干。
2.根据权利要求1所述的一种新型氧化锌材料的制备方法，其特征在于，该方法还包括：将反应液的沉淀物从反应釜中取出。
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄国家，郭华超，杨波，文芳，张双红，翟伟，李茂东，尹宗杰，利观宝，
申请(专利权)人：广州特种承压设备检测研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44
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