Mini LED封装基板制造工艺制造技术

技术编号:24415474 阅读:52 留言:0更新日期:2020-06-06 11:16
本发明专利技术公开了Mini LED封装基板制造工艺,包括:提供母板,母板包括绝缘板和第一铜箔,绝缘板具有第一表面和背离第一表面的第二表面,第一铜箔压合于第一表面;加工第一铜箔形成芯片焊盘和与芯片焊盘间隔的焊线焊盘;在芯片焊盘远离绝缘板一侧的边缘加工形成围壁,围壁和芯片焊盘围合形成用于供Mini LED封装的腔体。本发明专利技术公开的Mini LED封装基板制造工艺通过在芯片焊盘的边缘加工形成围壁,可以有效阻止封装Mini LED芯片后各单元之间的串光问题,提高显示质量,而且可以有效防止芯片贴装时流胶到二焊点造成产品局部短路,提高封装质量。

Manufacturing process of mini LED packaging substrate

【技术实现步骤摘要】
MiniLED封装基板制造工艺
本专利技术涉及封装基板制造领域,尤其涉及一种MiniLED封装基板制造工艺。
技术介绍
随着5G时代的来临,高清显示领域的机遇与挑战并存。更小更薄的空间内,如何获得更稳定并且更高的分辨率的课题不断地被设想并实现。LED显示基板从当下的1010,0808发展到2合1,4合1和6合1,均是为了获得更高集成、更高分辨率的高清显示而努力。而更高阶的MiniLED则可以在N合1的基础上集成度和分辨率提升50%,但由于更高的集成导致了各单元间发光器件相互干扰,影响了最终的应用推广。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本专利技术的目的公开一种MiniLED封装基板制造工艺,用以解决现有的MiniLED封装由于高集成度导致了各单元间发光器件相互干扰,影响了最终的应用推广的问题。本专利技术的目的采用如下技术方案实现:一种MiniLED封装基板制造工艺,包括:提供母板,所述母板包括绝缘板和第一铜箔,所述绝缘板具有第一表面和背离所述第一表面的第二表面,所述第一铜箔压合于所述第一表面;加工所述第一铜箔形成芯片焊盘和与所述芯片焊盘间隔的焊线焊盘;在所述芯片焊盘远离所述绝缘板一侧的边缘加工形成围壁,所述围壁和所述芯片焊盘围合形成用于供MiniLED封装的腔体。作为一种改进方式,所述“加工所述第一铜箔形成芯片焊盘和与所述芯片焊盘间隔的焊线焊盘”具体包括:在所述第一铜箔远离所述绝缘板的一侧贴附第一干膜;在所述第一干膜上开窗以露出所述第一铜箔;在所述开窗的位置对所述第一铜箔进行蚀刻,形成所述芯片焊盘和与所述芯片焊盘间隔的所述焊线焊盘。作为一种改进方式,所述“在所述芯片焊盘的边缘加工形成围壁”具体包括:在所述第一铜箔远离所述绝缘板的一侧贴附第二干膜;在所述芯片焊盘远离所述绝缘板一侧的边缘处对所述第二干膜进行开窗以露出所述芯片焊盘;在所述开窗处电镀铜以形成所述围壁。作为一种改进方式,所述母板还包括贴附于所述第二表面的第二铜箔,所述MiniLED封装基板制造工艺还包括:加工所述第二铜箔以在所述第二表面形成线路;在所述母板上加工导通孔以连通所述焊线焊盘和所述线路。作为一种改进方式,所述“加工所述第二铜箔以在所述第二表面形成线路”具体包括:在所述第二铜箔远离所述绝缘板的一侧贴附第三干膜;在所述第三干膜上开窗以露出所述第二铜箔;在所述开窗的位置对所述第二铜箔进行蚀刻,形成所述线路。作为一种改进方式,所述MiniLED封装基板制造工艺还包括:在所述导通孔中填充绝缘材料或者导电材料;在所述开窗处电镀铜以形成所述围壁之后,在所述焊线焊盘处设置油墨覆盖所述导通孔。作为一种改进方式,所述MiniLED封装基板制造工艺还包括:在所述第二铜箔的蚀刻位置印刷指示油墨。作为一种改进方式,所述MiniLED封装基板制造工艺还包括:在所述芯片焊盘、所述焊线焊盘的表面电镀保护金属层。作为一种改进方式,所述围壁的高度为50-100um。作为一种改进方式,所述绝缘板的材质为BT、环氧树脂、硅树脂、PPA和ABF中一种或者多种的组合;所述导通孔填充的绝缘材料为环氧树脂、硅树脂、PPA和ABF中一种或者多种的组合;所述保护金属层为电镍金、电镍银金、镍钯金和OSP中一种或者多种的组合。相比现有技术,本专利技术的有益效果在于:本专利技术提供的MiniLED封装基板制造工艺通过在芯片焊盘的边缘加工形成围壁,可以有效阻止封装MiniLED芯片后各单元之间的串光问题,提高显示质量,而且可以有效防止芯片贴装时流胶到二焊点造成产品局部短路,提高封装质量。附图说明图1为本专利技术实施例公开的MiniLED封装基板制造工艺的流程示意图;图2为本专利技术实施例公开的MiniLED封装基板制造工艺的结构变化示意图;图3为本专利技术实施例公开的在第一铜箔上成型芯片焊盘和焊线焊盘的结构变化示意图;图4为本专利技术实施例公开的在芯片焊盘上成型围壁的结构变化示意图;图5和图6为本专利技术一个实施例中公开的MiniLED封装基板制造过程的流程示意图;图7和图8为本专利技术一个实施例中公开的MiniLED封装基板制造过程的结构变化示意图。具体实施方式下面,结合附图以及具体实施方式,对本专利技术做进一步描述,需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。需要说明,本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。还需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时,它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。另外,在本专利技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本专利技术要求的保护范围之内。实施例一:请参阅图1-2,本专利技术的实施例一公开一种MiniLED封装基板制造工艺S100,包括:S10,提供母板10,所述母板10包括绝缘板11和第一铜箔12,所述绝缘板11具有第一表面111和背离所述第一表面111的第二表面112,所述第一铜箔12压合于所述第一表面111;S20,加工所述第一铜箔12形成芯片焊盘121和与所述芯片焊盘121间隔的焊线焊盘122;S30,在所述芯片焊盘121远离所述绝缘板11一侧的边缘加工形成围壁123,所述围壁123和所述芯片焊盘121围合形成用于供MiniLED封装的腔体124。其中,芯片焊盘121用于芯片的贴装,焊线焊盘122用于焊接焊线。本实施例中,通过在芯片焊盘121的边缘加工形成围壁123,可以有效阻止封装MiniLED芯片后各单元之间的串光问题,提高显示质量,而且可以有效防止芯片贴装时流胶到二焊点造成产品局部短路,提高封装质量。请参阅图3,作为本实施例的一种改进方式,所述“加工所述第一铜箔12形成芯片焊盘121和与所述芯片焊盘121间隔的焊线焊盘122”具体包括:在所述第一铜箔12远离所述绝缘板11的一侧贴附第一干膜13;在所述第一干膜13上开窗以露出所述第一铜箔12;在所述开窗的位置对所述第一铜箔12进行蚀刻,形成所述芯片焊盘121和与所述芯片焊盘121本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Mini LED封装基板制造工艺,其特征在于,包括:/n提供母板,所述母板包括绝缘板和第一铜箔,所述绝缘板具有第一表面和背离所述第一表面的第二表面,所述第一铜箔压合于所述第一表面;/n加工所述第一铜箔形成芯片焊盘和与所述芯片焊盘间隔的焊线焊盘;/n在所述芯片焊盘远离所述绝缘板一侧的边缘加工形成围壁,所述围壁和所述芯片焊盘围合形成用于供Mini LED封装的腔体。/n

【技术特征摘要】
1.一种MiniLED封装基板制造工艺,其特征在于,包括:
提供母板,所述母板包括绝缘板和第一铜箔,所述绝缘板具有第一表面和背离所述第一表面的第二表面,所述第一铜箔压合于所述第一表面;
加工所述第一铜箔形成芯片焊盘和与所述芯片焊盘间隔的焊线焊盘;
在所述芯片焊盘远离所述绝缘板一侧的边缘加工形成围壁,所述围壁和所述芯片焊盘围合形成用于供MiniLED封装的腔体。


2.根据权利要求1所述的MiniLED封装基板制造工艺,其特征在于,所述“加工所述第一铜箔形成芯片焊盘和与所述芯片焊盘间隔的焊线焊盘”具体包括:
在所述第一铜箔远离所述绝缘板的一侧贴附第一干膜;
在所述第一干膜上开窗以露出所述第一铜箔;
在所述开窗的位置对所述第一铜箔进行蚀刻,形成所述芯片焊盘和与所述芯片焊盘间隔的所述焊线焊盘。


3.根据权利要求2所述的MiniLED封装基板制造工艺,其特征在于,所述“在所述芯片焊盘的边缘加工形成围壁”具体包括:
在所述第一铜箔远离所述绝缘板的一侧贴附第二干膜;
在所述芯片焊盘远离所述绝缘板一侧的边缘处对所述第二干膜进行开窗以露出所述芯片焊盘;
在所述开窗处电镀铜以形成所述围壁。


4.根据权利要求3所述的MiniLED封装基板制造工艺,其特征在于,所述母板还包括贴附于所述第二表面的第二铜箔,所述MiniLED封装基板制造工艺还包括:
加工所述第二铜箔以在所述第二表面形成线路;
在所述母板上加工导通孔以连通所述焊线焊盘和所述线路。


5...

【专利技术属性】
技术研发人员:康孝恒蔡克林唐波杨飞李瑞许凯蒋乐元
申请(专利权)人:深圳市志金电子有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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