一种空腔中芯片嵌入工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种空腔中芯片嵌入工艺，包括以下步骤：A，在SOI硅片表面制作TSV，孔底停在SOI上面，然后继续刻蚀SOI层，使TSV孔停在硅上；B，填充TSV孔，减薄硅片另一面，在另一面制作凹槽，凹槽停在SOI层；C，继续刻蚀凹槽，使TSV底部金属露出，在空腔内粘贴底部带有焊料的芯片；D，在芯片和空腔的间隙填充胶体固化，去除芯片表面胶体，得到最终嵌有芯片的空腔。

A technology of chip embedding in cavity

【技术实现步骤摘要】
一种空腔中芯片嵌入工艺
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种空腔中芯片嵌入工艺。
技术介绍
毫米波射频技术在半导体行业发展迅速，其在高速数据通信、汽车雷达、机载导弹跟踪系统以及空间光谱检测和成像等领域都得到广泛应用，预计2018年市场达到11亿美元，成为新兴产业。新的应用对产品的电气性能、紧凑结构和系统可靠性提出了新的要求，对于无线发射和接收系统，目前还不能集成到同一颗芯片上(SOC)，因此需要把不同的芯片包括射频单元、滤波器、功率放大器等集成到一个独立的系统中实现发射和接收信号的功能。传统封装工艺把各种功能芯片和无源器件安装在基板上，占用面积大，可靠性差，不能满足封装系统越来越小型化的趋势，而基于标准硅工艺的三维异构封装技术(系统级封装SIP)运用TSV(ThroughSiliconeVia，硅通孔)技术和空腔结构将不同衬底不同功能的芯片集成在一起，能在较小的区域内实现芯片的堆叠和互联，大大减小了功能件的面积并增加了其可靠性，越来越成为该产业未来发展的方向。射频芯片需要对其底部进行散热和接地互联，这样就要求芯片底部需要有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种空腔中芯片嵌入工艺，其特征在于，包括以下步骤：/nA，在SOI硅片表面制作TSV，孔底停在SOI上面，然后继续刻蚀SOI层，使TSV孔停在硅上；/nB，填充TSV孔，减薄硅片另一面，在另一面制作凹槽，凹槽停在SOI层；/nC，继续刻蚀凹槽，使TSV底部金属露出，在空腔内粘贴底部带有焊料的芯片；/nD，在芯片和空腔的间隙填充胶体固化，去除芯片表面胶体，得到最终嵌有芯片的空腔。/n

【技术特征摘要】
1.一种空腔中芯片嵌入工艺，其特征在于，包括以下步骤：
A，在SOI硅片表面制作TSV，孔底停在SOI上面，然后继续刻蚀SOI层，使TSV孔停在硅上；
B，填充TSV孔，减薄硅片另一面，在另一面制作凹槽，凹槽停在SOI层；
C，继续刻蚀凹槽，使TSV底部金属露出，在空腔内粘贴底部带有焊料的芯片；
D，在芯片和空腔的间隙填充胶体固化，去除芯片表面胶体，得到最终嵌有芯片的空腔。


2.如权利要求1所述的空腔中芯片嵌入工艺，其特征在于，所述步骤A具体包括：
选取SOI硅片，中间为SOI层；
通过光刻，刻蚀工艺在SOI硅片表面制作TSV孔，孔直径范围在1um到1000um，深度在10um到1000um；
刻蚀第一步停留在SOI层上；
转换气体继续刻蚀，使TSV通过SOI界面，底部停在底部硅材质上。


3.如权利要求1所述的空腔中芯片嵌入工艺，其特征在于，所述步骤B具体包括：
在硅片上方沉积氧化硅或者氮化硅等绝缘层，或者直接热氧化，绝缘层厚度范围在10nm到10...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁发新，冯光建，王永河，马飞，程明芳，
申请(专利权)人：浙江集迈科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33