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本发明公开了一种空腔中芯片嵌入工艺，包括以下步骤：A，在SOI硅片表面制作TSV，孔底停在SOI上面，然后继续刻蚀SOI层，使TSV孔停在硅上；B，填充TSV孔，减薄硅片另一面，在另一面制作凹槽，凹槽停在SOI层；C，继续刻蚀凹槽，使TSV...
该专利属于浙江集迈科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江集迈科微电子有限公司授权不得商用。

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