非易失存储器的擦除方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种非易失存储器的擦除方法及装置，该方法包括：对待擦除区域进行擦除，并在所述擦除操作执行完成后，检测所述待擦除区域中是否存在擦除失败的区域；当所述待擦除区域中存在擦除失败的区域时，检测所述擦除失败的区域的数量是否小于或等于预设阈值且大于零；若所述擦除失败的区域的数量小于或等于预设阈值且大于零，则对所述擦除失败的区域进行擦除，直至所述擦除失败的区域的数量为零时，进入软编程步骤。通过本发明专利技术，不仅减少了软编程时间，且减少不必要的擦除，间接上提高了非易失存储器的使用寿命。

Erasing method and device of nonvolatile memory

【技术实现步骤摘要】
非易失存储器的擦除方法及装置
本专利技术涉及半导体存储
，尤其涉及非易失存储器的擦除方法及装置。
技术介绍
目前常见的非易失性储存器的最小擦除单位为扇区擦除，其次为块擦除，最大为片擦除。在用户使用中，常常对其中的某个扇区或块进行多次读写擦操作，这些扇区或块的特性会变差，即位于相同的擦除条件下，会更难擦除，时间更长。当这些难擦除的扇区/块同正常的扇区/块一起擦除时，会引起正常扇区/块处于过擦除状态。过擦除形成的主要原因：假设给栅极施加-8v，源级施加10v，漏极悬空，单个擦除脉冲持续几us至几十us。在擦除过程中，一个块中只要有扇区没有达到擦除状态，则需要向整个块施加擦除脉冲。对于那些易擦除的扇区，多次擦除可能导致扇区处于过擦除状态。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于解决现有技术中存在的上述技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种非易失存储器的擦除方法，所述方法包括：对待擦除区域进行擦除，并在所述擦除操作执行完成后，检测所述待擦除区域中是否存在擦除失败的区域；当所述待擦除区域中存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失存储器的擦除方法，其特征在于，所述方法包括：/n对待擦除区域进行擦除，并在所述擦除操作执行完成后，检测所述待擦除区域中是否存在擦除失败的区域；/n当所述待擦除区域中存在擦除失败的区域时，检测所述擦除失败的区域的数量是否小于或等于预设阈值且大于零；/n若所述擦除失败的区域的数量小于或等于预设阈值且大于零，则对所述擦除失败的区域进行擦除，直至所述擦除失败的区域的数量为零时，进入软编程步骤。/n

【技术特征摘要】
1.一种非易失存储器的擦除方法，其特征在于，所述方法包括：
对待擦除区域进行擦除，并在所述擦除操作执行完成后，检测所述待擦除区域中是否存在擦除失败的区域；
当所述待擦除区域中存在擦除失败的区域时，检测所述擦除失败的区域的数量是否小于或等于预设阈值且大于零；
若所述擦除失败的区域的数量小于或等于预设阈值且大于零，则对所述擦除失败的区域进行擦除，直至所述擦除失败的区域的数量为零时，进入软编程步骤。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述检测所述待擦除区域中是否存在擦除失败的区域之后，还包括：
当所述待擦除区域中不存在擦除失败的区域时，进入软编程步骤。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述当所述待擦除区域中存在擦除失败的区域时，检测所述擦除失败的区域的数量是否小于或等于预设阈值且大于零之后，还包括：
若所述擦除失败的区域的数量大于预设阈值，则执行所述对待擦除区域进行擦除，并在所述擦除操作执行完成后，检测所述待擦除区域中是否存在擦除失败的区域的步骤。


4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述预设阈值小于且大于零，其中，M为待擦除区...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘梦，
申请(专利权)人：深圳市芯天下技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44