掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法技术方案

一种掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法，掩膜版包括：基板，所述基板对于曝光光线具有透光性；遮光膜，所述遮光膜覆盖所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主图形及辅助图形，所述主图形对于曝光光线具有遮光性且可转移，所述辅助图形对于曝光光线具有遮光性但不可转移。本发明专利技术能够在保证主图形正常转移的同时降低所述掩膜版的透光率。

Mask plate, layout, lithography system and lithography process

【技术实现步骤摘要】
掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法。
技术介绍
光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为曝光光线，以掩膜版为中间媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。光刻掩膜版是光刻工艺所使用的图形母版，是由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构。掩膜版的应用十分广泛，在涉及光刻工艺的领域都有应用，如IC(IntegratedCircuit，集成电路)、FPD(FlatPanelDisplay，平板显示器)、PCB(PrintedCircuitBoards，印刷电路板)制造领域等。但是，现有掩膜版的结构仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法，在保证主图形正常转移的同时能够降低所述掩膜版的透光率。为解决上述问题，本专利技术提供一种掩膜版，包括：基板，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：/n基板，所述基板对于曝光光线具有透光性；/n遮光膜，所述遮光膜覆盖所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主图形及辅助图形，所述主图形对于曝光光线具有遮光性且可转移，所述辅助图形对于曝光光线具有遮光性但不可转移。/n

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：
基板，所述基板对于曝光光线具有透光性；
遮光膜，所述遮光膜覆盖所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主图形及辅助图形，所述主图形对于曝光光线具有遮光性且可转移，所述辅助图形对于曝光光线具有遮光性但不可转移。


2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述辅助图形呈直线状、点状或者曲线状。


3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述辅助图形的宽度小于所述曝光光线波长的四分之一。


4.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述辅助图形与所述主图形距离大于所述曝光光线波长的二分之一。


5.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述辅助图形的数量为一个或者多个。


6.如权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，当所述辅助图形的数量为多个时，相邻所述辅助图形间距大于所述曝光光线波长的三分之一。


7.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟峰，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31